向上された効果で２端子半導体素子から光放射を生産ための方法は、以下の、少なくとも１つのドレイン層を備える半導体ドレイン領域、前記ドレイン領域上に配置され、少なくとも１つのベース層を含む半導体ベース領域、および前記ベース領域の部分上に配置され、少なくとも１つのエミッタ層を含むエミッタメサを備える半導体エミッタ領域を含む層構造の半導体構造を提供する、前記ベース領域上に量子サイズ効果を示す少なくとも１つの領域を提供する、前記ベース領域の露出した表面上に第１の部分と、前記ドレイン領域と連結されたさらなる部分とを有するベース／ドレイン電極を提供し、前記エミッタ領域の表面上にエミッタ電極を提供する、前記ベース領域から光放射を得るため前記ベース／ドレインおよびエミッタ電極に対して信号を印加する、これらの領域の間で電圧分布の実質的な一様性のため、前記ベース／ドレインおよびエミッタ電極を構成するステップを有する。さらなる実施形態の中で、側面の大きさの拡大縮小は高周波数動作のため、素子の速度を制御するために使用される。 （もっと読む）

半導体発光素子は、エミッタとコレクタ領域の間のベース領域を有するヘテロ結合バイポーラ発光トランジスタと、エミッタ、ベース、およびコレクタ領域それぞれで、結合電気信号ためのエミッタ、ベース、およびコレクタ電極と、前記ベース領域の中に量子サイズ領域とを備え、前記ベース領域は、前記量子サイズ領域のエミッタ側上に第１のベースサブ領域と、前記量子サイズ領域のコレクタ側上に第２のベースサブ領域を備え、前記第１と第２のベースサブ領域は非対称バンド構造を有する。２端子半導体構造から光放射を生み出すための方法は、第１の伝導型のエミッタ領域と、第１の伝導型の領域と反対に第２の伝導型のベース領域の間に第１の半導体接合、および前記ベース領域とドレイン領域との間に第２の半導体接合を含む半導体構造を提供するステップと、前記ベース領域の間に量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極を提供するステップと、前記ベース領域と前記ドレイン領域に結合されたベース／ドレイン電極を提供するステップとを含み、前記半導体構造から光放射を得るため、前記エミッタおよび前記ベース／ドレイン電極に信号を印加する。 （もっと読む）

【課題】様々な選択された光出力を得るための好ましい信号処理が可能で、光波混合変調レーザトランジスタ及びその技術を含むヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその技術を作り出すことである。
【解決手段】光出力を作り出す方法は、以下の工程、つまり第１及び第２の電気信号を提供する；コレクタ領域、ベース領域、及びエミッタ領域を含むバイポーラ発光トランジスタ素子を提供する；コレクタ領域に結合されるコレクタ電極及びエミッタ領域に結合されるエミッタ電極を提供し、及び電位をコレクタ電極及びエミッタ電極に対して結合する；ベース領域との光通信における光結合器を提供する；ベース領域に結合される第１及び第２のベース電極を提供する；及び第１及び第２の電気信号をそれぞれ第１及び第２の電極に結合して、ベース領域から放出され及び光結合器に結合される光出力を作り出すという工程を含み、その光出力は、第１及び第２の電気信号の関数である。また、改良されたｐｎｐトランジスタレーザと出力レーザパルスを作り出す誘導放出モードと自然放出モード間を交互に切り替える技術も開示されている。 （もっと読む）

【課題】既に達した速度を潜在的に越えることさえできる極めて高速で動作できるバイポーラトランジスタとその方法を提供することである。
【解決手段】バイポーラトランジスタから制御可能な光放射を生成する方法及び素子が開示されている。また、以下の工程、つまりエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を有するバイポーラトランジスタを提供し、電気信号とエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を結合する電極を提供し、及び自然放射の不利益に対して誘導放射を強化するためにベース領域を適合させ、それによりベース領域のキャリア再結合寿命を削減する工程を含むバイポーラトランジスタの速度を増大させる方法も開示されている。 （もっと読む）