【課題】主磁極に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された帰磁路部と主磁極を経由する磁路の長さを短くしながら、主磁極から十分な大きさの記録磁界を発生させる。
【解決手段】磁気ヘッドは、コイル、主磁極１５、記録シールド１６および帰磁路部４０を備えている。帰磁路部４０は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向の前側に配置されて空間Ｓ１を形成する。コイルは、空間Ｓ１を通過するように延びる１つの第１のコイル要素１２１Ａおよび複数の第２のコイル要素１２２Ａ，１２２Ｂを含んでいる。第２のコイル要素１２２Ａ，１２２Ｂは、第１のコイル要素１２１Ａに対して記録媒体の進行方向の前側に配置されている。帰磁路部４０は、媒体対向面１００との間で第１のコイル要素１２１Ａを挟む第１の部分４０Ａと、媒体対向面１００との間で第２のコイル要素１２２Ａ，１２２Ｂを挟む第２の部分４０Ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】単位時間あたりに製造できる積層チップパッケージの個数を増やして積層チップパッケージの製造コストを低減する。
【解決手段】積層半導体基板１００は、複数の半導体基板１が積層されている。各半導体基板１はスクライブラインに沿った複数のスクライブ溝部２０，２１が形成されている。また、各半導体基板１は半導体装置が形成され、それぞれ絶縁されている複数のデバイス領域１０と、複数のデバイス領域１０のそれぞれに形成されている半導体装置に接続され、かつデバイス領域１０からスクライブ溝部２０，２１の内側に延出している複数の配線電極１５とを有している。複数の配線電極１５は部分配置パターンで配置され、スクライブ溝部２０，２１を挟んで隣り合う２つのデバイス領域１０のうちのいずれか一方だけから延出している。 （もっと読む）

【課題】プラズモンジェネレータによって表面プラズモンを効率よく伝播させながら、単一の材料によって形成されたプラズモンジェネレータでは実現できない性能を実現する。
【解決手段】導波路のコアより発生されるエバネッセント光と結合することによって表面プラズモンが励起されるプラズモンジェネレータ５０は、第１の金属材料よりなる第１の部分５１と、第１の金属材料とは異なる第２の金属材料よりなる第２の部分５２とを備えている。プラズモンジェネレータ５０は、前端面５０ａを有し、この前端面５０ａは、表面プラズモンに基づいて近接場光を発生する近接場光発生部５０ｇを含んでいる。第２の部分５２は、前端面５０ａに配置された端面５２ａを含んでいる。第２の金属材料は、第１の金属材料に比べて、イオン化傾向が小さいことと、電気伝導率が小さいことと、ビッカース硬度が大きいことの少なくとも１つの要件を満たす。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法およびその薄膜磁気ヘッド並びにＨＧＡおよびＨＤＤにおいて、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善する。
【解決手段】薄膜磁気ヘッド３００の製造方法は下部シールド層４０を形成する下部シールド層形成工程を有している。この工程は、ＡＢＳ３０に沿った予定ラインを含む下部シールド予定領域にリーディングシールド部４７を形成する工程と、予定ラインを含む下部除外ゾーンを除いた下部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層を形成する工程と、部分下部シード層上にサイドシールド部を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】主磁極層の基板側に配置されているシールド磁性層の構造に起因したデータ消去等を軽減する。
【解決手段】薄膜磁気ヘッド３００は，主磁極層２６と、ライトシールド層６０と、ギャップ層２９と、薄膜コイル１１，５１とが基板１上に積層された構成を有している。薄膜磁気ヘッド３００はシールド磁性層４０を有している。シールド磁性層４０は、主磁極層２６に接続されている。シールド磁性層４０は、下部前側シールド部４２を有している。下部前側シールド部４２の前端面４２ａと、下端面４２ｂとのなす角度を示す前端角αが鈍角に設定されている。前端面４２ａは、ＡＢＳ３０に配置されている。下端面４２ｂは下部前側シールド部４２のうちの最も基板１に近い位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】サブパッケージ内の１つ以上の半導体チップに対応付けられる複数の信号のうちのいくつかを、サブパッケージ毎に容易に変える。
【解決手段】複合型積層チップパッケージ２１は、積層された第１および第２のサブパッケージ１Ｓを備えている。各サブパッケージ１Ｓは本体と配線を備えている。本体は、主要部分の上面に配置された複数の第１の端子と、主要部分の下面に配置された複数の第２の端子を有している。第１および第２のサブパッケージ１Ｓは、基準の相対的位置関係とは異なる特定の相対的位置関係で配置されている。いずれの相対的位置関係においても、互いに接する第１のサブパッケージ１Ｓにおける第１の端子と第２のサブパッケージ１Ｓにおける第２の端子の複数の対が形成される。特定の相対的位置関係では、対を構成する第１の端子と第２の端子の組み合わせが、基準の相対的位置関係とは異なる。 （もっと読む）

【課題】近接場光発生部を含む前端面の幅が小さなプラズモンジェネレータを製造する。
【解決手段】プラズモンジェネレータ５０は、表面プラズモンを伝播する伝播部５１を備えている。伝播部５１は、下面５１ａ、上面５１ｂ、第１の側面５１ｃ、第２の側面５１ｄ、前端面５１ｅを有している。前端面５１ｅは近接場光発生部５１ｇを含んでいる。プラズモンジェネレータ５０の製造方法は、ベース部を形成する工程と、後にプラズモンジェネレータとなる金属膜を形成する工程と、充填層を形成する工程を備えている。ベース部は、ベース面と、ベース面から突出した突出部とを備え、突出部は、ベース面に対して高低差を有する上面と、ベース面と突出部の上面とを連結する第１の側壁２４１Ｐｂとを有している。金属膜は、第１の側壁２４１Ｐｂに付着した付着部を含んでいる。充填層は、第１の側壁２４１Ｐｂとの間で付着部を挟む第２の側壁を有している。 （もっと読む）