【課題】半導体デバイス構造及び高電圧トランジスタを作製するためのプロセスに関する。
【解決手段】一実施形態として、半導体ダイ上に作製されたトランジスタは、半導体ダイの第１エリアに配置されたトランジスタセグメントの第１セクションと、半導体ダイの第１エリアに隣接した第２エリアに配置されたトランジスタセグメントの第２セクションとを含む。第１及び第２セクション内のトランジスタセグメントの各々は、垂直方向に延びる半導体材料のピラーを含む。第１及び第２誘電領域がピラーの両側に配置される。第１及び第２フィールドプレートが第１及び第２誘電領域にそれぞれ配置される。第１及び第２セクションに隣接するトランジスタセグメントの外側フィールドプレートは分離されるか又は部分的に併合される。この要約は、サーチャ又は他の閲覧者が本開示の対象を迅速に調査できるようになる要約を必要とする規則に適合するように提供された。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス構造、及び高電圧トランジスタを作製するためのプロセスに関する。
【解決手段】１つの実施形態において、半導体ダイ上に作製されたトランジスタは、細長いトランジスタセグメントのセクションに配列される。当該セクションは、当該半導体ダイの実質的に全体にわたって列及び行で配列される。列内又は行で隣接するセクションは、隣接するセクションの第１のスタブライン中のトランジスタセグメントの長さが第１の方向に延び、隣接するセクションの第２のスタブライン中のトランジスタセグメントの長さが第２の方向に延びるような向きにされ、該第１の方向は第２の方向に実質的に直交する。この要約は、サーチャ又は他の閲覧者が本技術的開示事項の対象を迅速に調査できるようになる要約を必要とする規則に適合するように提供される点は強調される。 （もっと読む）

【課題】電源のスイッチをスイッチングする装置および方法を開示する。
【解決手段】本発明の態様によれば、方法は、スイッチング・サイクル内でオンおよびオフをスイッチングするために、スイッチング電源のスイッチを制御することを含む。スイッチ信号発生器に、変調回路から電源の出力の負荷条件を示すフィードバック信号に応答するパルス幅変調スイッチング信号を与える。変調回路は、負荷条件示すフィードバック信号に応答して当該スイッチにおいて固定ピークスイッチング電流または該フィードバック信号に比例する可変ピークスイッチング電流を与える。さらに、マルチサイクル変調回路が設けられる。このマルチサイクル変調回路は、フィードバック信号に応答して負荷条件に応じてスイッチ信号を中断されることなく発生するかまたはスイッチ信号発生器を第１の時間の間ディスエーブルし次いで第２の時間の間スイッチ信号発生器をイネーブルする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス構造及び高電圧トランジスタを作製するためのプロセスに関する。
【解決手段】一実施形態として、半導体ダイ上に作製されたトランジスタは、半導体ダイの第１エリアに配置されたトランジスタセグメントの第１セクションと、半導体ダイの第１エリアに隣接した第２エリアに配置されたトランジスタセグメントの第２セクションとを含む。第１及び第２セクション内のトランジスタセグメントの各々は、垂直方向に延びる半導体材料のピラーを含む。第１及び第２誘電領域がピラーの両側に配置される。第１及び第２フィールドプレートが第１及び第２誘電領域にそれぞれ配置される。第１及び第２セクションに隣接するトランジスタセグメントの外側フィールドプレートは分離されるか又は部分的に併合される。この要約は、サーチャ又は他の閲覧者が本開示の対象を迅速に調査できるようになる要約を必要とする規則に適合するように提供された。 （もっと読む）

【課題】電源の出力の適切な制御を可能にしつつ、望ましくない可聴周波数の範囲内での有効スイッチング周波数を避けるための１次側コントローラを、低コストで実現する。
【解決手段】電源コントローラが開示される。例示的な電源コントローラは、電源の出力を表わす検知信号に応じて、フィードバック信号を生成するように結合された信号分離回路を含む。誤差信号生成器は、フィードバック信号と参照信号とに応じて、誤差信号を生成するように結合される。制御回路は、誤差信号と電流検知信号とに応じて駆動信号を生成するように結合される。駆動信号は、前記電源のスイッチのスイッチングを制御するように結合される。多重サイクル変調回路が制御回路に含まれて、スタートスキップ信号と、ストップスキップ信号と、スキップマスク信号とに応じてスキップ信号を生成するように結合される。 （もっと読む）

【課題】高速回復整流器構造体の装置および方法を提供する。
【解決手段】具体的には構造体は第１のドーパントの基板（１２０）を含む。第１のドーパントが低濃度ドープされた第１のエピタキシャル層（１４０）が基板に結合されている。第１の金属層（１９０）が第１のエピタキシャル層に結合されている。複数のトレンチ（１７５）が第１のエピタキシャル層内に窪んでおり、その各々が金属層と結合している。装置は各々第２のドーパント型がドープされた複数のウェルも含み、各ウェルは対応するトレンチの下に且つ隣接して形成されている。複数の酸化物層（１７０）が対応するトレンチの壁および底部上に形成されている。第１のドーパントがドープされた複数のチャネル領域が、２つの対応するウェル間の第１のエピタキシャル層内に形成されている。複数のチャネル領域（１５０）の各々は第１のエピタキシャル層より高濃度に第１のドーパントがドープされている。 （もっと読む）

【課題】時間計測に基づき回路の機能パラメータ及び／又は動作モードを選択する技法を開示する。
【解決手段】集積回路の例は、集積回路の初期化期間中に、集積回路の第１の端子に結合される多機能キャパシタからの信号を計測するように結合される閾値検出及びタイミング回路を含む。選択回路が閾値検出及びタイミング回路に結合され、集積回路の初期化期間中に多機能キャパシタからの計測された信号に応じて集積回路のパラメータ／モードを選択する。多機能キャパシタは、集積回路の初期化期間が完了した後に集積回路の追加機能を提供するために結合される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、特にショットキーダイオードのような金属対半導体整流接合を組み込む半導体素子を提供する。
【解決手段】保護リングは、ショットキー接合又はショットキーダイオードの一部である半導体領域に形成される。保護リングは、高抵抗領域を形成するために、半導体コンタクト層を完全にアニール処理することなく半導体コンタクト層内へのイオン注入によって形成される。保護リングは、層のエッジ部か又は代替的に層のエッジ部からある一定距離を離して位置することができる。ショットキー金属接点は、層の上に形成され、ショットキー接点のエッジ部は、保護リングの上に配置される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング・レギュレータ方法および装置を開示する。
【解決手段】スイッチング・レギュレータの制御端子は、電源の出力部に結合される端子である。スイッチング・レギュレータは、制御端子に結合され、かつ、電源の出力に応じて帰還信号を生成する制御回路を備えている。制御回路１４７は、また、電力スイッチのスイッチングを制御するように結合される駆動信号を生成している。制御回路は、帰還信号に応じて駆動信号を生成する。駆動信号は、帰還信号値の第１の範囲に対しては固定の周波数を有し、帰還信号値の第２の範囲に対しては、サイクルをスキップすることなく可変周波数で動作する。 （もっと読む）