説明

ダウ・コーニング・コーポレイションにより出願された特許

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分散型電子サイクロトロン共鳴で形成されたプラズマから基板上に膜を蒸着するために使用するプラズマ励起装置について記載している。本装置は、マイクロ波を放出する一端を有するマイクロ波アンテナと、前記アンテナ端の領域内に配置されて、その中でプラズマを生成できる電子サイクロトロン共鳴領域を画定する磁石と、膜用前駆ガスまたはプラズマガス用の排気口を有するガス進入要素とを備えている。前記排気口が、前記マイクロ波アンテナから見て、前記磁石の先に位置する膜蒸着区域に向けてガスを方向付けるように配置されている。 (もっと読む)


プラズマからの蒸着により基板上にアモルファスシリコン(aSi:H)の膜を形成する方法を開示している。基板を容器内に配置して、前駆ガスを容器内に導入し、未反応および解離ガスを容器から抽出し、これにより容器内を低圧にしている。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴(DECR)により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。蒸着中に前記基板の温度を200-600°C、好ましくは225-350°C、の範囲に保持し、好ましくは高周波出力源を用いて基板保持部材の50-250mW/cm2の範囲で-30から-105Vの範囲のシース電位を起こすレベルのバイアス電圧を印加する。 (もっと読む)


プラズマからの蒸着により基板(14)上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板(14)を容器内に配置し、膜用前駆ガスを各管(20)を通じて容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から各管(22)を通じて抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴(DECR)により容器内のガスに所定の周波数と出力レベルの連続したパルスとしてマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく材料の蒸着中にパルスの周波数および/または出力レベルを変える。 (もっと読む)


プラズマからの蒸着により基板上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板を容器内に配置し、前駆ガスを容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴(DECR)により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。前記蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく膜用前駆ガスの前記流動速度を材料の蒸着中に変える。 (もっと読む)


プラズマから基板へ膜を蒸着するための装置について記載している。本装置は、容器と、前記容器内に配置されている複数のプラズマ生成要素と、基板を支持するための前記容器内にある手段とを備えている。各プラズマ生成要素がマイクロ波を放出する一端を有するマイクロ波アンテナと、前記アンテナ端の領域内に配置されて、分散型電子サイクロトロン共鳴を用いてその中でプラズマを生成できる電子サイクロトロン共鳴領域を画定する磁石と、膜用前駆ガスまたはプラズマガス用の排気口を有するガス進入要素とを備える。前記排気口が、前記マイクロ波アンテナから見て、前記磁石の先に位置する膜蒸着区域に向けてガスを方向付けるように配置されており、前記排気口が前記高温電子閉じ込めエンベロープの中または上に位置する。 (もっと読む)


プラズマからの蒸着により基板(14)上に非晶質材料、例えば、アモルファスシリコンの膜を形成する方法を開示している。基板は定義された容量を有する容器内に配置して、前駆ガス、例えばシラン、を各管(20)を通じて容器内に導入している。未反応および解離ガスを容器から出口(22)を通じて抽出し、これにより容器内を低圧にする。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。前駆ガス流動速度を分散したプラズマソースの面積で割ったものとして定義している正規化した前駆ガスの流動速度は700sccm/m2以上であり、反応装置の容量を有効前駆ガスポンピング速度で割ったものとして定義しているガス滞留時間は30ms以下である。 (もっと読む)


例えばシリコン等の非晶質または微晶質材料の膜をプラズマから基板上に蒸着する方法を記載している。マイクロ波エネルギーを一連の不連続マイクロ波パルスとしてチャンバ内へ導入し、膜用前駆ガスを一連の不連続のガスパルスとしてチャンバ内へ導入し、水素原子を生成するガスを少なくとも各マイクロ波パルスの際にチャンバ内へ供給している。各マイクロ波パルスには前駆ガスパルスが重複しない形で続き、さらに各前駆ガスパルスには、マイクロ波パルスと前駆ガスパルスのいずれも無い期間が続く。 (もっと読む)


例えば加工面に材料を蒸着させるため、加工面用のプラズマを発生させるための装置を提供する。本装置は、イオン化ガスを収容する収容部と、マイクロ波を第1端から第2端まで移動させ、当該第2端からガス内にマイクロ波を放射できるように各々が構成された複数のプラズマ励起デバイスと、ガス内に磁場を発生させるための手段とを含む。マイクロ波源が、励起デバイスの第1端にマイクロ波を供給する。使用の際に、マイクロ波の電界ベクトルの方向が磁力線と平行でない領域が前記ガス内に存在し、磁場の磁束密度をBとし、マイクロ波の周波数をfとしたときに、B=πmf/eの関係を実質的に満たし、ここで、mは電子の質量であり、eは電子の電荷である。
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本発明は、光学波モードを変換する方法および装置を提供する。本装置は、基材、および該基材上の導波材料の第一層を包含し、該第一層は、第一屈折率、第一水平寸法、および第一垂直寸法を有する。本装置は、該第一層に隣接した導波材料の第二層も包含し、該第二層は、第二屈折率、第二水平寸法、および第二垂直寸法を有する。 (もっと読む)


本発明は、光信号をフィルター処理する方法および装置を提供する。本方法は、少なくとも一つの入力光信号を受信し、その少なくとも一つの入力光信号を使用して第一および第二光信号を形成し、複数の非導波電気−光位相調節装置を使用して該第一光信号の少なくとも一部を修正することを含む。本方法は、信号の少なくとも一つが修正された第一光信号を、第二光信号と組み合わせることにより、出力光信号を形成することも含む。
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