【課題】受信信号への局部発振器からの漏れ信号の影響を最小限にする。
【解決手段】データを送信及び受信するシステムを提供する。このシステムは、キャリア周波数信号に変調された信号を受信するダイレクトコンバージョン受信機を具えている。ダイレクトコンバージョン受信機は、１又は２以上の分数調波局部発振器ミクサを具えている。局部発振器は、ダイレクトコンバージョン受信機に接続され、キャリア周波数信号の分数調波に等しい周波数の信号を発生させる。送信機は局部発振器に接続され、局部発振信号を用いて発信データを送信する。 （もっと読む）

【課題】
無線周波数（ＲＦ）電力増幅装置。
【解決手段】
電力増幅システムは、電力トランジスター（３５４、３５８）およびバイアス回路類（３１０）を含む電力制御装置およびパワーアンプ（２２０）を含んでいる。
バイアス回路類は、電力制御装置によって供給される電圧における変化全体にわたって、実質上一次的な動作で自動的に電力トランジスターを維持するような方式によって、１つ以上の電力トランジスター（３５４、３５８）の基部に電流を提供する。 （もっと読む）

電圧コンバータは、２以上のモードの間で切換わり、それらのレベルに対応する個々のレベルの間の中間レベルであり得る参照電圧に一致する出力電圧を生成する。出力電圧は、参照電圧と比較されて、そのモードを調整するべきかどうかを決定する。
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【課題】基板上に位置するＢｉＦＥＴにおいて、ＨＢＴ性能の低下を引起すことなくＦＥＴの製造可能性増大を達成させる。
【解決手段】基板上に位置するＢｉＦＥＴ１００は、基板の上に位置するエミッタ層部分１２２を含み、エミッタ層部分は第１のタイプの半導体を含む。ＨＢＴはエッチストップ層の第１の部分１２６をさらに含み、エッチストップ層の第１の部分はＩｎＧａＰを含む。ＢｉＦＥＴは基板の上に位置するＦＥＴ１０６をさらに含み、ＦＥＴはソース領域およびドレイン領域を含み、エッチストップ層の第２の部分１４６はソース領域およびドレイン領域の下に位置し、エッチストップ層の第２の部分はＩｎＧａＰを含む。ＦＥＴはエッチストップ層の第２の部分の下に直接接して位置する第２のタイプの半導体層をさらに含む。エッチストップ層はＦＥＴの線形性を増大させ、ＨＢＴの電子の流れを低下させない。 （もっと読む）

集積回路は、プロセスセンサと温度センサと電圧センサとを含む。プロセスセンサは、集積回路が形成される半導体プロセスを示すプロセスパラメータを検知し検知されたプロセスパラメータに基づいて上記半導体プロセスの特徴をプロセスセンサの出力に与えるように構成される。温度センサは、集積回路の温度の表示を温度センサの出力に与えるように構成され、電圧センサは、集積回路の電源電圧レベルの表示を電圧センサの出力に与えるように構成される。プロセスセンサの出力は、温度センサおよび電圧センサのうち少なくとも一方に結合されて、温度の表示および電源電圧レベルの表示のうち少なくとも一方を補償する。
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低ノイズ受信器は、無線周波数（ＲＦ）信号を受信するように構成されたダウンコンバータを含み、ダウンコンバータは、複数の局部発信器（ＬＯ）信号のそれぞれに基づいて複数の出力位相を生成するように構成されたスイッチング構造と、ｎ番目の出力位相と（ｎ＋Ｋ）番目の出力位相との差をとるように複数の出力位相を組み合わせて、ゲイン付加出力位相をもたらすように構成された差動回路と、ゲイン付加出力位相を受信するように構成されるとともに、受信器の応答がＲＦ信号の奇数高調波を効果的に低減するようにゲイン付加出力位相を組み合わせるように構成された加算フィルタとを備える。
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【課題】半導体ダイパッケージングにおいて、ダイ取付接着剤の流出を調節および制限する手段を提供する。
【解決手段】例示的な一実施例では、構造は、上面を有する基板３０１と、基板３０１の上面上に位置するダイ取付パッド３０２とを含む。ダイ取付パッド３０２は、ダイ取付領域３１１と、ダイ取付領域３１１に電気的に接続された少なくとも１つの基板接地パッド領域３１３ａとを含む。ダイ取付パッド３０２はさらに、ダイ取付領域３１１と少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）との間に、ダイ接着剤止め３３２ａを含む。ダイ接着剤止め３３２ａは、パッケージング中、少なくとも１つの基板接地パッド領域３１３ａへのダイ取付接着剤３１０の流出３１５を調節および制限するよう作用する。 （もっと読む）

プログラム可能電流の送信連続時間フィルタ（ＴＸ−ＣＴＦ）システムは無線周波数（ＲＦ）送信機に含まれ得る。ＴＸ−ＣＴＦの入力はベースバンド送信信号を受信することができ、ＴＸ−ＣＴＦの出力はアップコンバージョンミキサに供給されて、送信用のＲＦに変換され得る。ＴＸ−ＣＴＦは、フィルタパラメータをともに規定する増幅回路および受動回路を含む。ＴＸ−ＣＴＦはさらに、プログラム可能バイアス電流を増幅回路に供給するプログラム可能電流回路を含む。ＴＸ−ＣＴＦシステムはまた、１つ以上の送信機制御信号を受信し、これに応じて、ＴＸ−ＣＴＦに供給されるバイアス電流を制御する信号を生成する制御論理を含む。
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システムは、ＷＣＤＭＡモードにおける閉ループ利得制御、およびＥＤＧＥ／ＧＳＭモードにおける開ループ制御を与える。利得制御は、ワイヤレス受信機におけるアナログデバイスおよびデジタルシーラにわたって分散される。ＷＣＤＭＡモードでは、ループフィルタは誤り信号を生成し、これはアナログおよびデジタル制御経路に転送される。アナログ制御経路は、第１の加算器、プログラマブルヒステリシス素子、およびルックアップテーブルを含む。アナログ制御信号は、以前の利得値と関連して用いられると新たな利得値を定めるしきい値に応答する。デジタル制御経路は、第２の加算器、プログラマブル遅延素子、および変換器を含む。制御ワードは、誤り信号と、較正値と、アナログ制御信号との差に応答する。ＷＣＤＭＡ動作モードではブロッカー検出が提供される。コントローラは、状態機械を用いてシステムパラメータを設定する。
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半導体モジュールパッケージのための一体化された電磁干渉（ＥＭＩ）シールドである。一体化されたＥＭＩシールドは、パッケージの基板内の接地面とパッケージのモールド化合物の上端上にプリントされた導電層との間に電気的に接続された複数のワイヤボンドばねを含む。ワイヤボンドばねは、ワイヤボンドばねの上端と導電層との間の電気的接続によるコンタクトを与えるばね効果を生じさせる、定められた形状を有する。ワイヤボンドばねを、モジュールパッケージ内において、パッケージに含まれる装置すべてまたはその一部の周りのいずれかの場所に配置することにより、これらの装置の周りに完全なＥＭＩシールドを形成する。
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