【課題】可動部上にミラー等の反射膜が形成されるアクチュエータを、反射膜の損傷を適切に抑制又は防止しながら製造する。
【解決手段】
反射膜（１７０）が形成される可動部（１２０）と、可動部を取り囲む支持部（１１０）と、可動部が揺動可能なように可動部と支持部とを接続するトーションバー（１３０）とを備えるアクチュエータの製造方法は、基板（２０１）上に可動部、支持部及びトーションバーを形成する第１工程（Ｓ１０６）と、可動部上に、反射膜を形成する第２工程（Ｓ１０５）と、可動部のうち反射膜が形成される側に、(i)反射膜の表面から突き出る高さを有し且つ(ii)他の構造物が反射膜に接触することを抑制する突起部（１８０）を形成する第３工程（Ｓ１０３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】可動部上にミラー等の反射膜が形成されるアクチュエータを、反射膜の損傷を適切に抑制又は防止しながら製造する。
【解決手段】
反射膜（１７０）が形成される可動部（１２０）と、可動部を取り囲む支持部（１１０）と、可動部が揺動可能なように可動部と支持部とを接続するトーションバー（１３０）とを備えるアクチュエータの製造方法は、基板（２０１）上に可動部、支持部及びトーションバーを形成する第１工程（Ｓ１０６）と、可動部上に、反射膜を形成する第２工程（Ｓ１０５）と、可動部のうち反射膜が形成される側に、(i)反射膜の表面から突き出る高さを有し且つ(ii)他の構造物が反射膜に接触することを抑制する突起部（１８０）を形成する第３工程（Ｓ１０３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】可動部上にミラー等の反射膜が形成されるアクチュエータを、反射膜の損傷を適切に抑制又は防止しながら製造する。
【解決手段】
反射膜（１７０）が形成される可動部（１２０）と、可動部を取り囲む支持部（１１０）と、可動部が揺動可能なように可動部と支持部とを接続するトーションバー（１３０）とを備えるアクチュエータの製造方法は、基板（２０１）上に可動部、支持部及びトーションバーを形成する第１工程（Ｓ１０６）と、可動部上に、反射膜を形成する第２工程（Ｓ１０５）と、可動部のうち反射膜が形成される側に、(i)反射膜の表面から突き出る高さを有し且つ(ii)他の構造物が反射膜に接触することを抑制する突起部（１８０）を形成する第３工程（Ｓ１０３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】近接場光デバイスにおいて、エネルギー効率を高める。
【解決手段】近接場光デバイスは、基板（１２）上に配置されており、量子ドット（１６）を含み、基板により導かれる入射光をエネルギー源として量子ドットの光発生作用により近接場光（１８）を発生可能な量子ドット層（１３、１４、１５）を備える。近接場光デバイスは更に、量子ドット層上に配置されており、量子ドット層で発生された近接場光をエネルギー源として近接場光（６５）を発生可能且つ外部へ出力可能な出力端（１７）を備える。 （もっと読む）

【課題】量産化に適した近接場光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】近接場光デバイスの製造方法は、基板（３０）に光源層（２１、２２、２３）を形成するステップと、光源層上に量子ドット層（１２、１３）を形成するステップと、形成した量子ドット層の一部を除去し、近接場光発生部（１０）を形成するステップと、形成した近接場光発生部の周囲を光源層の一部に至るまで除去するステップと、除去した光源層の表面に電極（４４）を形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄型化を実現すると共に、接合された２つの半導体基板の導通配線を簡単に行うことができる電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の電子デバイス１は、絶縁膜４１を介して、接合突部４２が突設された第１半導体基板２と、導電性接合材料を介して、第１半導体基板２の接合突部４２に溶着接合された第２半導体基板３と、接合方向において、接合突部４２および絶縁膜４１に貫通形成されたスルーホール５４と、溶着接合に伴ってスルーホール５４に充填された導電性接合材料により構成され、第１半導体基板２と第２半導体基板３とが同電位となるように導通する導通配線部４４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧着ベースに対する２条の圧着突起の平行度にかかわらず、ベーステープに対するカバーテープの延在方向における剥離強度を平均化することができるキャリアテープのテーピング装置を提供する。
【解決手段】テープ積層体６に対し、２条のテーピングを実施するテーピング装置１０であって、ベーステープ４のポケット３を跨いでベーステープ４にカバーテープ５を部分圧着する２条の圧着突起２２ａ，２２ｂと、テープ積層体６を、所定の送りピッチで間欠送りするテープ送り機構１６と、間欠送りの送り経路２９を構成すると共に、部分圧着に際しテープ積層体６を受ける圧着ベース１２と、を備え、第１の圧着面３２ａによる部分圧着部３３ａ同士の合わせ目部分３４ａと第２の圧着面３２ｂによる部分圧着部３３ｂ同士の合わせ目部分３４ｂと、が間欠送りの送り方向（Ａ）において異なる位置となるように、位置ずれして配設されている。 （もっと読む）

【課題】不要な入射光の遮光と、高速動作に影響を与える寄生容量成分の軽減とを両立させることができる光検出半導体装置を提供する。
【解決手段】開示される光検出半導体装置１は、受光面２１ａを有する受光部２１と、受光部２１からの出力信号を増幅するアンプ部２２とを含むＩＣチップ１２と、受光面２１ａを露出させる開口部１６ａを有し、ＩＣチップ１２を封止する封止部１６とを備えている。この光検出半導体装置１では、封止部１６は、遮光性樹脂で形成されている。また、受光面２１ａの外周端に近接し、かつ、アンプ部２２に重ならない領域のＩＣチップ１２の表面には、遮光層１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】チップ部の可動電極と封止部の固定電極とを同電位とする共有導通配線の、陽極接合後における専用工程としての断線処理を省くことができるＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】可動電極８を有するチップ部２Ａをマトリクス状に複数個形成したウェーハ２０と、固定電極７を有する封止部３Ａをマトリクス状に複数個形成した封止ガラス３０と、を重ね合わせて陽極接合する接合工程と、陽極接合したウェーハ２０および封止ガラス３０をスクライブライン４０に沿ってダイシングし、チップ部２Ａと封止部３Ａとを陽極接合して成る複数個のＭＥＭＳデバイス１を得るダイシング工程と、を備え、スクライブライン４０のライン幅Ｗ内には、チップ部２Ａの単位で、可動電極８と固定電極７とを導通する複数の共有導通配線１６が、パターン形成されている。 （もっと読む）

【課題】正電圧の印加により陽極接合した基板接合体の、逆電圧の印加に伴う剥離を防止することができる基板の接合方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２を陽極１３としこれに接合される第１ガラス基板３を陰極１４として、シリコン基板２の一方の接合面に第１ガラス基板３を陽極接合する第１接合工程と、接合したシリコン基板２および第１ガラス基板３を陽極１３としこれに接合される第２ガラス基板４を陰極１４として、シリコン基板２の他方の接合面に第２ガラス基板４を陽極接合する第２接合工程と、を備え、第１ガラス基板３は、その電気抵抗値が第２ガラス基板４の電気抵抗値より低いものとした。 （もっと読む）