【課題】半導体素子および従来のタイプの金属-半導体コンタクトを製造するための方法を、パッシベーションにとって重要な裏面電界が中断されたりまたは損なわれたりせずに、機械的に耐久性のある、電気的に完璧に半田づけ可能なコンタクトが、特にアルミニウムからなりまたはアルミニウムを含む第２の層の材料の領域で、製造されるように、改善する。
【解決手段】導電性のコンタクト（１５ａ）は、第２の層（１２）の中に浸透して合金化されており、または第２の層の材料と混合物を形成する半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料を有する。 （もっと読む）

【課題】上述したタイプの方法および結晶化シリコンのさらなる開発という課題に基づき、ここでは、強制的に対応する炭素含有量の増加を生じることなく、酸素含有量の増加が達成できる。
【解決手段】成形用部品を使用しながらＥＦＧ法により結晶化シリコンを製造する方法であって、前記部品とシリコン融液との間で成長領域において結晶化シリコンが成長し、前記シリコン融液および／または引き上げゾーンに不活性ガスならびに少なくとも水蒸気が導入され、前記水蒸気により前記結晶化シリコン中の酸素含有量を高める製造方法により、酸素含有量の増加が可能であって、炭素含有量を増加させることなく、不活性ガスにさらなる流体として水蒸気を混入させる方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】融液からチューブを引き上げることによってシリコンのような材料から結晶質のチューブを製造する方法を提供する。
【解決手段】坩堝１６に供給された材料を加熱要素２２，２４により溶融して製造した融液は、チューブの形状を定める毛管ギャップを通りメニスカスを形成し、上方の先端区域で凝固しながら、引き上げ手段４８によって、矢印５０の方向に持ち上げられ、多角形のチューブが製造される。多角形の各々の辺ごとに１つの融液の区域が割り当てられている。各々の辺の温度は別々に制御される。 （もっと読む）

本発明は、出発材料を破砕することにより、前記出発シリコン材料を回収および／またはリサイクルするための方法に関する。回収またはリサイクルされた材料は溶融され、結晶は、例えばシリコンブロック、チューブ、またはストリップとして得られた融液から成長する。何の問題もなく同じものを搬送するために高いアスペクト比を有する出発材料を用いることを可能にするために、５＜Ａ_I≦３０のアスペクト比Ａ_Iを有する粒子を含有する、破いた多結晶ニードル状Ｓｉ材料（材料Ｉ）を出発材料として用いる。材料Ｉを、破砕した粒子（材料ＩＩ）が実質的にＡ_II＜３のアスペクト比を有するように破砕する。あるいは、砕いたＳｉウエハを用い、これは、破砕した粒子（ＩＩＩ）が本質的にＡ_III＜３のアスペクト比を有するように破砕した層状粒子から成る。
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【課題】簡単な方法により、半導体コンポーネント部品に損傷を与えることなく、製造エラーの位置を突止める。
【解決手段】半導体コンポーネント部品１０中に過剰な電荷キャリアを発生させ、半導体コンポーネント部品１０中の電位を決定することによって半導体コンポーネント部品１０中の製造エラーの位置を突止める。半導体コンポーネント部品１０を損傷させずに簡単な方法により製造エラーの位置を突止めるために、半導体コンポーネント部品１０が刺激されてルミネセンス状態になるようにされ、また、局地化された解像されたルミネセンス強度分布が決定されて半導体コンポーネント部品１０中の電位の局地化された解像された分布が決定される。 （もっと読む）

本発明は、不規則な形状、特に多角形形状を有する複数の固体粒子を管装置を通して搬送するためのプロセスに関し、これらの固体粒子は、気体により搬送される。複数の粒子が管装置に引っ掛かって詰まるという危険が生じることなく、フラグメント、または不規則な形状を有するその他の固体粒子も、所望の程度に、適量配分して運搬することができるようにするために、規則的な形状の他の複数の固体粒子をこれら不規則な形状の固体粒子に加えることが提案されている。 （もっと読む）