【課題】Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づきＢＭＤ密度を算出することにより、簡便な方法で正確にＢＭＤ密度を評価できるシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハのＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔｓ）密度評価方法であって、Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係を決定するステップと、ＳＰＶ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ）法によりシリコンウェーハのＦｅ以外の再結合中心密度を測定するステップと、測定されたＦｅ以外の再結合中心密度と、あらかじめ決定されたＦｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づき、シリコンウェーハのＢＭＤ密度を算出するステップを有することを特徴とするシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法。 （もっと読む）

【課題】エネルギー損失が少ない、高効率の化合物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】低抵抗基板１上に、キャリア濃度１０¹¹／ｃｍ³以上１０¹⁶／ｃｍ³以下のｎ型低キャリア濃度層２と、キャリア濃度１０¹¹／ｃｍ³以上１０²¹／ｃｍ³以下のｐ型層３と、キャリア濃度１０¹⁶／ｃｍ³以上１０²¹／ｃｍ³以下のｎ型高キャリア濃度層４とを順次積層し、各層２〜４をいずれも、マイクロパイプ、ダブルポジショニング・ドメイン、アンチフェーズ・ドメイン、スタッキング・フォルトおよびツイン・バンドの欠陥密度が１０⁴／ｃｍ²以下の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶とし、さらに、少なくともｐ型層３に接触したゲート絶縁膜５と、該ゲート絶縁膜５に接触し、かつ、前記各層２〜４のいずれとも電気的に分離している制御電極６と、少なくともｐ型層３およびｎ型高キャリア濃度層４に接触した上部電極７と、低抵抗基板１に接触した下部電極８とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 引上げ単結晶インゴットの径方向の温度勾配を簡便に低減し、融液面からの不純物ガスをルツボ外に効果的に排出して、引上げ単結晶の大口径化および高品質化を容易にする。
【解決手段】 単結晶育成装置１０は、円筒形状の炉体１１内に原料融液１２を充填する石英ルツボ１３ａと黒鉛ルツボ１３ｂから成る二重構造のルツボ１３、黒鉛ルツボ１３ｂを周囲から加熱するヒータ１４を備える。そして、ヒータ１４および原料融液１２からの輻射熱を遮蔽する断熱部材１５を有する。この断熱部材１５は、例えば裁頭円筒形状をしており、リング形状の水平部１５ａ、立上部１５ｂおよび取付部１５ｃから構成される。そして、非断熱材から成る補助部材１６が、水平部１５ａと原料融液１２液面の間に介在するように付設され、炉体１１内に導入される不活性ガスの流れを整流する。 （もっと読む）

【課題】リチャージ装置の原料容器２００の単結晶製造装置１００内での上下位置を任意に制御できるようにすることにより、単結晶の品質および生産性を向上させることを可能とするリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。
【解決手段】結晶融液１０５を貯留するルツボ１０１を有する単結晶製造装置１００に設けられ、前記ルツボ１０１に固形状原料１５５を供給するために固形状原料１５５が充填される筒状の原料容器２００を備える固形状原料１５５のリチャージ装置であって、筒状の原料容器２００を保持する独立して制御可能な２つの保持機構を有することを特徴とする固形状原料１５５のリチャージ装置。 （もっと読む）

【課題】熱処理用ボート下部に積載されたウェーハのウェーハ面内温度分布を小さくし、スリップ発生を抑制することを可能にする半導体ウェーハ熱処理用ボートおよびこれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】上プレート１０２と、この上プレート１０２に対向する下プレート１０４と、上プレート１０２のみに固定される、ウェーハ１１０を載置する複数の積載ポール１０６と、これらの複数の積載ポール１０６の外側に配置され、上プレート１０２と下プレート１０４との間に固定された複数の支柱１０８とを有することを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用ボート１００ならびにこれを用いた熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】スリップの抑制、ウエハ裏面の傷の抑制、ガスの流れの滞留を抑制できる縦型ウエハボート用ウエハ支持部材を提供する。
【解決手段】縦型ウエハボートの溝部に載置され、ウエハを上面に載置、支持する、リング形状の縦型ウエハボート用ウエハ支持体１であって、前記ウエハ支持体１の上面内周部の角部ｃ及び上面外周部の角部ａが、曲面形状の面取りがなされ、ウエハ支持体の下面外周部の角部ｅが、平面形状の面取りがなされている。 （もっと読む）