説明

エレメント シックス テクノロジーズ (プロプライアタリー)リミテッドにより出願された特許

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【課題】 低濃度の窒素及び低い拡張欠陥密度を含む単一結晶ダイヤモンドの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、低濃度の窒素を含むダイヤモンドの結晶完全性を改良する方法に及ぶ。詳細には、本発明の方法は、高温及び高圧、代表的には2100から2500℃の間の温度及び6〜8GPaの圧力で、成長したダイヤモンドを熱処理するステップを含む。 (もっと読む)


本発明は、成長したダイヤモンド結晶を高温及び高圧で加熱することによって、IIa型ダイヤモンド結晶の結晶完全性を改良する方法に関する。本発明は、低窒素濃度で低い拡張欠陥密度を有する成長したダイヤモンド材料に及ぶ。
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