高保持電圧（ＨＶＯ静電放電（ＥＳＤ）保護回路が、シリコン制御整流器（ＳＣＥ）デバイスと、ＳＣＲデバイスの保持電圧を高める、ＳＣＲデバイスのアノードとカソードとの間の長さ（ＬＡＣ）内に設置された補償領域とを備える。補償領域は、負のフィードバック機構をＳＣＲデバイスに導入することで、ＳＣＲのループゲインに影響を及ぼし、高保持電圧で回生フィードバックに達しうる。
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