【課題】温度の変化に比例したり反比例したりする電流を生成する電流生成器を利用して温度の変化に応じて出力電位が変化する内部電圧を生成する半導体メモリ素子の内部電圧発生器を提供する。
【解決手段】温度の変化に比例して電流量が変化するＰＴＡＴ電流を生成するためのＰＴＡＴ電流生成器と、前記ＰＴＡＴ電流と同じ内部電流を生成し、前記内部電流に応答して内部電圧を生成するための電流制御回路と、前記内部電圧の電位レベルを一定のレベルに調節するためのオフセット回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 最上の動作条件を設定し、それによって半導体メモリ装置を動作させることで半導体メモリ装置の動作特性を向上させることができる不揮発性メモリ装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】 ビットラインBLとソースラインSLとの間に連結されるチャンネル層SCを有するメモリストリングMSを含むメモリブロックと、チャンネル層SCにホットホールｈを供給し、メモリストリングMSに含まれたメモリセルＣの消去動作を行うように構成された動作回路グループと、チャンネル層SCにホットホールｈが目標量以上に供給されれば、ブロック消去イネーブル信号BERASE_ENを出力するように構成された消去動作決定回路460と、ブロック消去イネーブル信号BERASE_ENに応答して動作回路グループが消去動作を行う時点を制御するように構成された制御回路450と、を含む。 （もっと読む）

【課題】セレクトラインの抵抗を改善すると同時にナンドフラッシュメモリ素子の製造工程を単純化することができるナンドフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された選択トランジスタ及びメモリセル用第１導電膜パターンと、前記第１導電膜パターン上に形成された誘電体膜と、前記メモリセル用第１導電膜パターン上の前記誘電体膜上に形成された第２導電膜パターンと、前記選択トランジスタ用第１導電膜パターンと繋がれて前記第２導電膜パターンより抵抗の低い物質で形成されたセレクトラインと、を含む。 （もっと読む）

【課題】連続するカラムコマンドに対応するカラムデータを連続的に入出力する場合、データの間に空白なく入出力できる半導体メモリ装置及びこの半導体メモリ装置を含むメモリシステムを提供すること。
【解決手段】本半導体メモリ装置は、外部クロック信号EX_CLKの周期を分周して内部クロック信号IN_CLKを生成する内部クロック信号生成部310と、信号を出力する際の基本レイテンシALを設定する基本レイテンシ設定部320と、連続するコマンドRD_CMD<1:3>の各々に対して、基本レイテンシALに内部クロック信号IN_CLKの半周期と等しいハーフレイテンシをハーフレイテンシ選択情報信号HAL<1:3>に応じて選択的に付加するレイテンシ反映部330とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細ピッチ技術に適用可能なフリップチップボンデッドパッケージを提供する。
【解決手段】２列に、かつ互いにジグザグに配列されるボンディングパッドを有する半導体チップ１０ａと、半導体チップ１０ａ上の、隣接する３つのボンディングパッド毎に３つのパッド間の領域及びその３つのパッドのそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁ポスト５０ａと、絶縁ポスト５０ａによって覆われていないボンディングパッドの部分及びこれに隣接した絶縁ポスト５０ａの部分上に形成された信号接続金属部材５２ａと、半導体チップ１０ａが絶縁ポスト５０ａ及び信号接続金属部材５２ａによってフリップチップボンディングされ、第１面に電極を有し、第２面にボールランドを有する基板と、半導体チップ１０ａと基板との間の空間をアンダーフィルする埋込材と、各ボールランド上に付着されたソルダボールとを備える。 （もっと読む）

【課題】入力クロックの周波数が高まっても、第２ＤＬＬクロックＦＣＬＫ＿ＤＬＬＯＥにより、ライジング／ポーリングアウトイネーブル信号Ｒ／ＦＯＵＴＥＮを生成することができる動作マージンを確保することにより、ＤＲＡＭの動作周波数を高めることができる遅延固定ループを提供すること。
【解決手段】本発明の出力ドライバーは、遅延固定ループから出力されたクロックを受信し、読み出しデータの出力に用いられる第１ＤＬＬクロックを生成し、第１タイミング遅延によってドライビングする第１ドライビング部と、前記遅延固定ループから出力されたクロックを受信し、書き込み動作時の電流消費の低減のために用いられる第２ＤＬＬクロックを生成し、前記第１タイミング遅延より少ない第２タイミング遅延によってドライビングする第２ドライビング部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新たに発生される不良メモリセルのカラムアドレスを不良カラムアドレスに格納する更新動作を遂行し、メモリ装置の寿命と動作の信頼性を高めることができる半導体メモリ装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】半導体メモリ装置は入力データを格納するためのメモリブロック１１０Ｍと不良カラムアドレス情報を格納するためのＣＡＭブロック１１０Ｃを含むメモリアレイ１１０と、メモリブロックまたはＣＡＭブロックのプログラムループを遂行するように構成された動作回路グループ１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０と、選択されたメモリセルに格納されたエラービット数を補正可能なビット数または交替判断ビット数とそれぞれ比較するように構成されたエラービットチェック回路１９０、及び制御回路１２０を含む。 （もっと読む）

【課題】カラムリペア効率を向上させることができる半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】カラム方向に配置された複数のノーマルセルブロックＯ０〜Ｏ７とリダンダンシセルブロックＲ１とからなるバンクを備え、第１の入出力ストローブ信号に応じて、複数のノーマルセルブロックＯ０〜Ｏ７からそれぞれデータを入出力する複数のノーマルデータ入出力部３００と、第１の入出力ストローブ信号に応じて、リダンダンシセルブロックＲ１からデータを入出力するリダンダンシデータ入出力部３２０と、カラムアドレスに応じて、複数のノーマルデータ入出力部３００とリダンダンシデータ入出力部３２０とを選択的に複数のローカルデータラインに接続させる接続選択部３４０と、第２の入出力ストローブ信号に応じて、複数のローカルデータラインと複数のグローバルデータラインとの間でそれぞれデータを入出力する複数のローカルデータ入出力部３６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】メモリの面積を減少させ、高速動作が可能なメモリ装置を提供する。
【解決手段】複数の単位セルを含んでセンシングされたデータをグローバル入／出力ラインに出力するバンクと、このデータを受信するデータ伝達部７１０と、データ伝達部７１０から印加されるデータを格納するか、データ入／出力パッド７４０を介し外部から印加されるデータを格納するデータ格納部７２０と、データ格納部７２０に格納されたデータを駆動してデータ入／出力パッドに出力するデータ出力駆動部７３０と、データ入／出力パッドを介し入力されたデータをバッファリングしてデータ格納部に出力するデータ入力バッファ７５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】カラムスイッチのターンオフ時に漏れ電流の経路をフローティングさせて漏れ電流を防止する。
【解決手段】非揮発性メモリ装置は、データの読出し又は書込み動作が行われるセルアレイ１００と、カラム選択信号に応じてセルアレイのビットラインＢＬとグローバルビットラインを選択的に連結するローカルカラムスイッチＬＹＳＷと、イネーブル信号ＥＮに応じてグローバルビットラインとセンスアンプＳＡを選択的に連結するグローバルカラムスイッチＧＹＳＷと、バンクアクティブ動作に対応する制御信号ＣＴＲに応じてグローバルカラムスイッチの電流経路を選択的に連結又は遮断するスイッチング部２００とを含む。 （もっと読む）