絶縁された電極を作成し、それらの電極間にナノワイヤを組み込む(600)方法(100)はそれぞれ、半導体層(210)上の半導体材料の横方向エピタキシャル過成長を使用して、同一結晶方位を有する絶縁電極(260、270)を形成する。この方法(100、600)は、半導体層上の絶縁膜(240)内の窓(242)を介した半導体機構要素(250)の選択的エピタキシャル成長(140)を含む。垂直ステム(252)は、窓を介して半導体層と接触し、レッジ(254)は、絶縁膜上の垂直ステムの横方向エピタキシャル過成長である。この方法は更に、半導体機構要素と半導体層から１対の絶縁電極(260、270)を作成(160)することを含む。ナノワイヤベースのデバイス(800)は、１対の絶縁電極と、１対の絶縁電極のそれぞれの表面間を架橋するナノワイヤ(280)とを含む。 （もっと読む）

本発明は、一般に電子デバイスおよび方法に関する。ある場合において、本発明は導電性ポリマー材料（７０）で覆われた、櫛型微小電極（６０）の一対を備えるセンサデバイスを提供する。櫛型微小電極（６０）は、第１電極（２２）、第２電極（４０）、および疎水性の壁（５０）で囲まれることができる。ある実施形態において、第１電極（２２）と第２電極（４０）とは相補的形状を有する。例えば、ある場合には、第１電極（２２）および第２電極（４０）はそれぞれ実質的に環状構造である。
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【課題】基板に固定化していない化合物を完全に除去できる機能性単分子膜の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】共有結合を介して基板表面に固定化する官能基と、機能を発現する官能基とを有する化合物を接触させることで、基板１にその化合物を固定化する工程と、基板１に固定化していない化合物を２００℃の雰囲気４で１０分加熱し蒸発する工程を少なくとも含むものである。これにより、基板１に固定化していない化合物を完全に除去でき、その結果、機能性の官能基が表面に露出した撥水性単分子膜５を製造でき、機能性単分子膜の性能を向上できる。 （もっと読む）