Fターム[2G088EE00]の内容
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放射線測定装置
【課題】光を検出する半導体デバイスのバイアス電圧を制御する。
【解決手段】ガンマ線から得られるエネルギーの大きさに対応したチャンネル(波高値)について、複数のチャンネルと各チャンネルの頻度を示す計数とを対応付けた波高分布が形成される。そして、基準線源のガンマ線の全吸収ピークに対応した互いに隣接する二つのチャンネルの計数、つまり、チャンネルci-1とciの計数ni-1とniが比較される。そして計数ni-1が計数niよりも大きい場合には半導体デバイスのバイアス電圧を増加させ、計数ni-1が計数niよりも小さい場合にはバイアス電圧を減少させる。つまり、ni-1/ni=1となるようにバイアス電圧がフィードバック制御され、波形80の全吸収ピークPBがチャンネルci-1とciの間に維持される。
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