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Fターム[2H025AD00]の内容

フォトレジストの材料 (104,520) | 像形成モード (7,639)

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Fターム[2H025AD00]に分類される特許

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【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、及び該パターン形成方法に好適に用いられる被覆膜形成用材料を提供する。
【解決手段】支持体1上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成し、第一のレジスト膜2を選択的に露光し、現像して複数の第一のレジストパターン3を形成し、第一のレジストパターン3の表面にそれぞれ水溶性樹脂膜からなる被覆膜4を形成して複数の被覆パターン5を形成し、該被覆パターン5が形成された支持体1上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成し、第二のレジスト膜6を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン5と、第二のレジスト膜6に形成された第二のレジストパターン7とからなるパターンを支持体1上に形成する。 (もっと読む)


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