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Fターム[2H079AA02]の内容

光の変調 (22,262) | 制御手段 (4,614) | 物理量 (2,633) | 電界 (1,636)

Fターム[2H079AA02]に分類される特許

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【課題】消費電力を抑えつつ、複数の電気信号を並行処理で光信号に変換する。
【解決手段】データ信号Da1,Da2,Da3、およびクロック信号CKaの数未満の数の発光ダイオード11aで構成された光源部11と、データ信号Da1,Da2,Da3、およびクロック信号CKaと一対一で対応して配設されたこれらの電気信号の数と同数の光シャッタ12a,12b,12c,12dとを備え、各光シャッタ12は、対応する電気信号の信号内容に応じて、光源部11から出射される光Lを透過する透過状態および光Lを遮光する遮光状態のうちの一方の状態から他方の状態、または他方の状態から一方の状態に移行することにより、上記の電気信号を光信号に並行処理で変換して出力する。 (もっと読む)


【課題】分散ペナルティを小さく抑えること。
【解決手段】本発明は、2つの出力光導波路38a、38bに第2MMI34を介して接続する2つの光導波路32a、32bを有するマッハツェンダ型光変調器10と、2つの光導波路を伝搬する光を変調させる変調信号を2つの光導波路夫々に設けられた変調用電極42に差動信号として出力する駆動回路14と、2つの光導波路夫々に設けられた位相調整用電極40に出力する第1の位相制御信号を制御して、2つの光導波路を伝搬する光の位相を調整する位相調整回路12と、2つの光導波路夫々に設けられた位相シフト用電極54に出力する第2の位相制御信号を切替えて、2つの光導波路を伝搬する光の位相を変化させる位相シフト制御回路50と、差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路52と、を備える光変調装置である。 (もっと読む)


【課題】短パルス光発生装置を構成する光変調器の出力光からON/OFF消光比を直接測定することなく、該光変調器に印加されるバイアス電圧を最適に制御可能な短パルス光発生装置を提供する。
【解決手段】繰り返し周波数fで短パルス光Aを発生するパルス発信器1と、入力信号に基づき繰り返し周波数fの短パルス光の内、特定の短パルス光を除去し、繰り返し周波数をf/n(nは2以上の自然数)とする光変調器2と、光変調器2からの出力光の一部を分岐する分岐部3と、光変調器2に印加するバイアス電圧を制御するバイアス制御部5と、分岐部3で分岐された光B2のスペクトルを解析するスペクトル解析部4とを有する短パルス光発生装置であって、バイアス制御部5は、スペクトル解析部4に入射された光の所望のスペクトル周波数範囲における光強度の最大値と最小値との差を最小化するように、バイアス電圧を制御する。 (もっと読む)


【課題】MRTシステムにおいてMRTシステムにおけるMR信号を高周波MR−HF信号から獲得するための回路コストを低減する。
【解決手段】MR−HF信号のための少なくとも1つの受信装置を備えるMRTシステムであって、前記受信装置は、MR−HF信号を受信するための受信コイルエレメントと、光学的変調器とを有し、該光学的変調器は、電気制御入力端が前記受信コイルエレメントと接続されており、当該変調器の出力信号出力するための光学的出力端を有するMRTシステムにおいて、前記光学的変調器は、前記MR−HF信号のための光学的復調装置を形成し、そのために前記変調器の光学的入力端はレーザ光源20と接続されており、該レーザ光源は、光強度が周期的に所定の周波数(Fosc)で変化するレーザ光を形成するよう構成されている、ことを特徴とするMRTシステム。 (もっと読む)


【課題】 アナログ的な光波形を動的に変化させる場合にも、MZ型光変調器のバイアス電圧を最適点に制御することができるようにすることを目的としている。
【解決手段】 ディザ信号が重畳されたバイアス電圧および入力したデータ信号に基づいてMZ(Mach−Zehnder)型光変調器で光を変調し、この変調した光信号を送出する光送信器であって、前記ディザ信号および前記光信号の光強度に基づいて誤差信号を生成する誤差信号生成部と、前記データ信号の平均変調度に応じて前記誤差信号の極性を選択する誤差信号極性選択部と、前記誤差信号極性選択部で選択された極性をもつ前記誤差信号に基づいて前記バイアス電圧の制御を行うバイアス制御部と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】光利用効率が高く、複雑な製造プロセスが不要な半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置及び計測装置を提供すること。
【解決手段】光パルスを発生する光パルス発生部2と、光パルス発生部2で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部3と、第1のパルス圧縮部3でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部5と、第1のパルス圧縮部3の前段、または第1のパルス圧縮部3と第2のパルス圧縮部5との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部4と、を有し、光パルス発生部2がスーパールミネッセントダイオードである。 (もっと読む)


【課題】光源に要求される線幅を緩和させ、常時、位相測定および補償を可能とする。
【解決手段】第1,2の周波数の2つの光波を発生する2光波発生手段1と、発生された光波を分配する光分配手段2と、光分配手段2から光サーキュレータ3および伝送光ファイバ14を介して出力された分配光を反射する部分反射鏡15と、基準信号を基に部分反射鏡15から伝送光ファイバ14および光サーキュレータ3を介した反射光の周波数をシフトさせる光周波数シフタ5と、分配光とシフト光とを合波する光合波手段6と、合波光から第1,2の周波数近傍の光波を抽出する光帯域フィルタ7a,7bと、抽出された各光波を電気信号に変換する光電変換手段8a,8bと、電気信号間の位相差から誤差信号を生成する位相比較手段9と、誤差信号を基に伝送光ファイバ14に出力される光波の遅延時間を制御する光可変遅延手段12とを備えた。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧が低く、高速で変調が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路3が形成された基板1と進行波電極4とを有し、進行波電極が、高周波電気信号の印加により光の位相が変調される相互作用部と、コネクタを介し外部回路から高周波電気信号を印加する入力用フィードスルー部と相互作用部を伝搬した高周波電気信号を出力する出力用フィードスルー部を具備し、動作ビットレートの約20〜30%の周波数範囲における少なくとも一点の周波数で、パワー反射率の包絡線が−10〜−15dBにあり、動作ビットレートの約40〜70%の周波数範囲内にパワー反射率の包絡線の一次微分が零で二次微分が正となる極小点を持ち、極小点におけるパワー反射率が−15dB以下となるよう、コネクタもしくは外部回路よりも低く、かつ部分的に相互作用部よりも低い特性インピーダンスを有するインピーダンス変換部を備える。 (もっと読む)


【課題】電界吸収型光変調器に供給する駆動信号の直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止する。
【解決手段】電圧連動可変手段30は、ドライバ回路25の終段トランジスタTRの出力用の特定端子の直流電圧と他の端子の直流電圧とを、同一方向に連動可変させて、終段トランジスタTRの動作点の変動を抑制しつつ、電界吸収型光変調器1に与える駆動信号Dの直流電圧を変化させて、駆動信号Dの直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止し、波形劣化の無い変調光を出力させる。 (もっと読む)


【課題】容量性負荷に対して階段状の高電圧パルスを与えることができ、段数や各段の電圧変化量、各段の時間幅を様々に変更することが可能な回路を提供する。
【解決手段】駆動回路1Aは、階段波及び矩形波の何れかを出力端11から選択的に出力して容量性負荷52を駆動する回路であって、定電圧VHを供給する高電圧電源41と、出力端11と高電圧電源41との間に直列接続されたFET21と、出力側コイルがFET21のゲートに接続された変圧器22と、変圧器22の入力側コイルに容量素子23を介して接続された入力端12aと、定電圧VHより低い定電圧VLを供給する高電圧電源42と、出力端11と高電圧電源42との間に直列接続されたFET31と、出力側コイルがFET31のゲートに接続された変圧器32と、変圧器32の入力側コイルに容量素子33を介して接続された入力端12bとを備える。 (もっと読む)


【課題】 レーザ光の集光制御での歪み補正を好適に実現することが可能な光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】 空間光変調器を用いたレーザ光の集光照射の制御において、レーザ光の波長数、各波長の値、及びレーザ光の入射条件を取得し(ステップS101)、集光点数、及び各集光点での集光位置、波長、集光強度を設定し(S104)、各集光点について、レーザ光に空間光変調器を含む光学系で付与される歪み位相パターンを導出する(S107)。そして、歪み位相パターンを考慮して空間光変調器に呈示する変調パターンを設計する(S108)。また、変調パターンの設計において、1画素での位相値の影響に着目した設計法を用いるとともに、集光点での集光状態を評価する際に、歪み位相パターンを加えた伝搬関数を用いる。 (もっと読む)


【課題】発振スペクトル分布が狭いレーザ光を実現可能なモード同期レーザ光源装置を提供する。
【解決手段】
注入電流Iが注入されてキャリアが生成されかつキャリアの消費によりレーザ光Pのパルスを増幅すると共にキャリアの密度変化によりレーザ光Pのパルス強度に依存する自己位相変調と等価な位相変調を生じる半導体光増幅器1と、半導体光増幅器1から射出されるレーザ光Pのパルスの発振波長を可変とする掃引用変調部3と、掃引用変調部3により変調されたレーザ光Pのパルスを半導体光増幅器1に帰還させてレーザ発振現象を生じさせるリング共振器6と、異常分散領域で用いられかつリング共振器6を導波中のレーザ光Pのパルスの波長に依存してレーザ光Pのパルスの帰還時間を変化させる分散補償器5とを有する。 (もっと読む)


【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大することができる光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板と、前記基板の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部と、前記活性部の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部とを有し、前記上クラッド部の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部をもつ、リッジ導波路構造を作製し、前記リッジメサ部の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ構成の電界吸収型光変調器と、注入電流により光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記電界吸収型光変調器との間に設けられ、前記半導体レーザから出力された光が導波する光導波装置とを具備する光半導体装置の制御方法であって、前記電界吸収型光変調器の消光比を、前記半導体レーザへの注入電流を変化させることにより制御するものとする。 (もっと読む)


【課題】 レーザ光の集光制御を充分な自由度で好適に実現することが可能な光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】 空間光変調器を用いたレーザ光の集光照射の制御において、レーザ光の波長数、各波長の値、及びレーザ光の入射条件を取得し(ステップS101)、集光点数、及び各集光点での集光位置、波長、集光強度を設定し(S104)、各集光点について、レーザ光に付与する集光制御パターンを設定する(S107)。そして、集光制御パターンを考慮して空間光変調器に呈示する変調パターンを設計する(S108)。また、変調パターンの設計において、1画素での位相値の影響に着目した設計法を用いるとともに、集光点での集光状態を評価する際に、集光制御パターンの逆の位相パターンを加えた伝搬関数を用いる。 (もっと読む)


【課題】フォーカスラグを低減する。
【解決手段】透過率特定部28は、操作部17が半押し操作されると、そのタイミングの液晶NDフィルタ44の透過率を、液晶NDフィルタ44に印加電圧を変化させたタイミングからの経過時間と、サーミスタ45により測定される温度とで、温度別透過率対時間テーブル26を参照して特定する。NDフィルタ制御部24は、半押し操作されたタイミングにおける透過率に対応する電圧を、透過率対電圧テーブル25より読み出して、液晶NDフィルタ44に印加することで、半押し操作されたタイミングの透過率が固定されるようにする。ゲイン制御部22およびシャッタ制御部23は、半押しされたタイミングの透過率と、目標とする透過率との差分から、液晶NDフィルタ44で調整できない明るさをゲインおよびシャッタスピードを変化させて調整する。本技術は、撮像装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】任意の駆動信号の振幅において適切なバイアス制御を行うことが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光変調器2の駆動制御装置100は、光変調器2からの光信号に応じた電気信号の波形のピークを示すピーク検波出力信号を取得するピーク検波部5と、発振信号を生成する発振回路部6と、ピーク検波出力信号と発振信号とに基づいて同期検波を行う同期検波部7とを備える。駆動制御装置100は、同期検波の結果に基づいて、光変調器2の変調に係るバイアスを制御するための制御信号を生成するバイアス設定部8と、制御信号に発振信号を加算する加算器10bと、発振信号を含む所定信号に基づいてデータ信号を増幅することにより、駆動信号を生成する増幅器11とを備える。 (もっと読む)


【課題】大きな高周波電気信号が入力されても熱破壊されることのない高い信頼性を有する光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、光導波路と、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための電極とからなる光変調器と、電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する複数でなる抵抗膜とを備え、電気的終端用中心導体の近傍に位置する第1抵抗膜は高周波電気信号が入力されることにより発生するジュール熱によって破壊されない吸収効率でなるとともに、別の抵抗膜は、第1抵抗膜の吸収効率よりも大きい吸収効率でなる。 (もっと読む)


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