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Fターム[2H079AA12]の内容

光の変調 (22,262) | 制御手段 (4,614) | 物性変化、効果等 (1,981) | 屈折率変化 (1,581)

Fターム[2H079AA12]に分類される特許

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【課題】分散ペナルティを小さく抑えること。
【解決手段】本発明は、2つの出力光導波路38a、38bに第2MMI34を介して接続する2つの光導波路32a、32bを有するマッハツェンダ型光変調器10と、2つの光導波路を伝搬する光を変調させる変調信号を2つの光導波路夫々に設けられた変調用電極42に差動信号として出力する駆動回路14と、2つの光導波路夫々に設けられた位相調整用電極40に出力する第1の位相制御信号を制御して、2つの光導波路を伝搬する光の位相を調整する位相調整回路12と、2つの光導波路夫々に設けられた位相シフト用電極54に出力する第2の位相制御信号を切替えて、2つの光導波路を伝搬する光の位相を変化させる位相シフト制御回路50と、差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路52と、を備える光変調装置である。 (もっと読む)


【課題】 アナログ的な光波形を動的に変化させる場合にも、MZ型光変調器のバイアス電圧を最適点に制御することができるようにすることを目的としている。
【解決手段】 ディザ信号が重畳されたバイアス電圧および入力したデータ信号に基づいてMZ(Mach−Zehnder)型光変調器で光を変調し、この変調した光信号を送出する光送信器であって、前記ディザ信号および前記光信号の光強度に基づいて誤差信号を生成する誤差信号生成部と、前記データ信号の平均変調度に応じて前記誤差信号の極性を選択する誤差信号極性選択部と、前記誤差信号極性選択部で選択された極性をもつ前記誤差信号に基づいて前記バイアス電圧の制御を行うバイアス制御部と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】MRTシステムにおいてMRTシステムにおけるMR信号を高周波MR−HF信号から獲得するための回路コストを低減する。
【解決手段】MR−HF信号のための少なくとも1つの受信装置を備えるMRTシステムであって、前記受信装置は、MR−HF信号を受信するための受信コイルエレメントと、光学的変調器とを有し、該光学的変調器は、電気制御入力端が前記受信コイルエレメントと接続されており、当該変調器の出力信号出力するための光学的出力端を有するMRTシステムにおいて、前記光学的変調器は、前記MR−HF信号のための光学的復調装置を形成し、そのために前記変調器の光学的入力端はレーザ光源20と接続されており、該レーザ光源は、光強度が周期的に所定の周波数(Fosc)で変化するレーザ光を形成するよう構成されている、ことを特徴とするMRTシステム。 (もっと読む)


【課題】半導体光素子の消費電力を小さくする。
【解決手段】第1クラッド層4と第2クラッド層6と前記第1クラッド層と前記第2クラッド層に挟まれた光導波層8とを有し、前記光導波層は第1半導体層10と前記第1半導体層上に設けられ一方向に延在する第2半導体層12と前記第2半導体層の上面を覆う第3半導体層13を有し、前記第1半導体層は前記第2半導体層の片側に設けられたn型領域14と前記第2半導体層の反対側に設けられたp型領域16と前記n型領域と前記p型領域の間に設けられたi型領域18とを有し、前記第2半導体層は前記第1半導体層および前記第3半導体層より狭いバンドギャップを有する。 (もっと読む)


【課題】光利用効率が高く、複雑な製造プロセスが不要な半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置及び計測装置を提供すること。
【解決手段】光パルスを発生する光パルス発生部2と、光パルス発生部2で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部3と、第1のパルス圧縮部3でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部5と、第1のパルス圧縮部3の前段、または第1のパルス圧縮部3と第2のパルス圧縮部5との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部4と、を有し、光パルス発生部2がスーパールミネッセントダイオードである。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧が低く、高速で変調が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路3が形成された基板1と進行波電極4とを有し、進行波電極が、高周波電気信号の印加により光の位相が変調される相互作用部と、コネクタを介し外部回路から高周波電気信号を印加する入力用フィードスルー部と相互作用部を伝搬した高周波電気信号を出力する出力用フィードスルー部を具備し、動作ビットレートの約20〜30%の周波数範囲における少なくとも一点の周波数で、パワー反射率の包絡線が−10〜−15dBにあり、動作ビットレートの約40〜70%の周波数範囲内にパワー反射率の包絡線の一次微分が零で二次微分が正となる極小点を持ち、極小点におけるパワー反射率が−15dB以下となるよう、コネクタもしくは外部回路よりも低く、かつ部分的に相互作用部よりも低い特性インピーダンスを有するインピーダンス変換部を備える。 (もっと読む)


【課題】光源に要求される線幅を緩和させ、常時、位相測定および補償を可能とする。
【解決手段】第1,2の周波数の2つの光波を発生する2光波発生手段1と、発生された光波を分配する光分配手段2と、光分配手段2から光サーキュレータ3および伝送光ファイバ14を介して出力された分配光を反射する部分反射鏡15と、基準信号を基に部分反射鏡15から伝送光ファイバ14および光サーキュレータ3を介した反射光の周波数をシフトさせる光周波数シフタ5と、分配光とシフト光とを合波する光合波手段6と、合波光から第1,2の周波数近傍の光波を抽出する光帯域フィルタ7a,7bと、抽出された各光波を電気信号に変換する光電変換手段8a,8bと、電気信号間の位相差から誤差信号を生成する位相比較手段9と、誤差信号を基に伝送光ファイバ14に出力される光波の遅延時間を制御する光可変遅延手段12とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 テラヘルツ波検出器で広い波長範囲で用いることができる非線形結晶を用いた方法では、高感度、広帯域を両立することが難しい。
【解決手段】 テラヘルツ波素子は、電気光学結晶を含み光を伝搬する導波路(2、4、5)と導波路(2、4、5)にテラヘルツ波を入射させる結合部材(7)を備える。導波路(2、4、5)を伝搬する光の伝搬状態は、結合部材(7)を介して導波路(2、4、5)にテラヘルツ波が入射することで変化する。 (もっと読む)


【課題】容量性負荷に対して階段状の高電圧パルスを与えることができ、段数や各段の電圧変化量、各段の時間幅を様々に変更することが可能な回路を提供する。
【解決手段】駆動回路1Aは、階段波及び矩形波の何れかを出力端11から選択的に出力して容量性負荷52を駆動する回路であって、定電圧VHを供給する高電圧電源41と、出力端11と高電圧電源41との間に直列接続されたFET21と、出力側コイルがFET21のゲートに接続された変圧器22と、変圧器22の入力側コイルに容量素子23を介して接続された入力端12aと、定電圧VHより低い定電圧VLを供給する高電圧電源42と、出力端11と高電圧電源42との間に直列接続されたFET31と、出力側コイルがFET31のゲートに接続された変圧器32と、変圧器32の入力側コイルに容量素子33を介して接続された入力端12bとを備える。 (もっと読む)


【課題】 レーザ光の集光制御を充分な自由度で好適に実現することが可能な光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】 空間光変調器を用いたレーザ光の集光照射の制御において、レーザ光の波長数、各波長の値、及びレーザ光の入射条件を取得し(ステップS101)、集光点数、及び各集光点での集光位置、波長、集光強度を設定し(S104)、各集光点について、レーザ光に付与する集光制御パターンを設定する(S107)。そして、集光制御パターンを考慮して空間光変調器に呈示する変調パターンを設計する(S108)。また、変調パターンの設計において、1画素での位相値の影響に着目した設計法を用いるとともに、集光点での集光状態を評価する際に、集光制御パターンの逆の位相パターンを加えた伝搬関数を用いる。 (もっと読む)


【課題】 レーザ光の集光制御での歪み補正を好適に実現することが可能な光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】 空間光変調器を用いたレーザ光の集光照射の制御において、レーザ光の波長数、各波長の値、及びレーザ光の入射条件を取得し(ステップS101)、集光点数、及び各集光点での集光位置、波長、集光強度を設定し(S104)、各集光点について、レーザ光に空間光変調器を含む光学系で付与される歪み位相パターンを導出する(S107)。そして、歪み位相パターンを考慮して空間光変調器に呈示する変調パターンを設計する(S108)。また、変調パターンの設計において、1画素での位相値の影響に着目した設計法を用いるとともに、集光点での集光状態を評価する際に、歪み位相パターンを加えた伝搬関数を用いる。 (もっと読む)


【課題】発振スペクトル分布が狭いレーザ光を実現可能なモード同期レーザ光源装置を提供する。
【解決手段】
注入電流Iが注入されてキャリアが生成されかつキャリアの消費によりレーザ光Pのパルスを増幅すると共にキャリアの密度変化によりレーザ光Pのパルス強度に依存する自己位相変調と等価な位相変調を生じる半導体光増幅器1と、半導体光増幅器1から射出されるレーザ光Pのパルスの発振波長を可変とする掃引用変調部3と、掃引用変調部3により変調されたレーザ光Pのパルスを半導体光増幅器1に帰還させてレーザ発振現象を生じさせるリング共振器6と、異常分散領域で用いられかつリング共振器6を導波中のレーザ光Pのパルスの波長に依存してレーザ光Pのパルスの帰還時間を変化させる分散補償器5とを有する。 (もっと読む)


【課題】大きな高周波電気信号が入力されても熱破壊されることのない高い信頼性を有する光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、光導波路と、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための電極とからなる光変調器と、電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する複数でなる抵抗膜とを備え、電気的終端用中心導体の近傍に位置する第1抵抗膜は高周波電気信号が入力されることにより発生するジュール熱によって破壊されない吸収効率でなるとともに、別の抵抗膜は、第1抵抗膜の吸収効率よりも大きい吸収効率でなる。 (もっと読む)


【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
基板1と、該基板1に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路2と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路20を跨ぐように受光素子3を配置し、該受光素子は、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光(放射光用導波路21,22を伝搬する放射光)を共に受光するよう構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】DCドリフトを安定化し、製造工程も複雑化せず、製品の特性も精度良くコントロール可能な光導波路素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成された光導波路2と、該光導波路の上に形成されたSiOを主原料とするバッファ層5と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極3,4とを有する光導波路素子において、該バッファ層の該基板側には、Liの含有量が1×1021(atoms/cm)以上となる領域6が形成されている。 (もっと読む)


【課題】スタブ等のインピーダンス整合回路を使用することなく、小型化が可能で、大きな変調度を得ることができる光周波数コム信号発生器を提供する。
【解決手段】強誘電体基板1上にマッハツェンダー型光導波路2が形成され、分岐導波路を伝搬する光波を変調する変調電極31,32を各分岐導波路に対応して設け、マッハツェンダー型光導波路から出力される光波が、所定の周波数差を有する複数の光周波数成分を同時に生成している光波となる光周波数コム信号発生器において、各変調電極は、電極長の異なる共振電極31,32を備え、1種類の変調信号を各変調電極に印加する給電線路は、1つの給電線路40を2つに分岐し、分岐点41から各共振電極への接続点44,45までの距離が等しく、さらに、接続点は、各共振電極に形成される定在波W1,W2の位相が同相であり、かつ給電線路と共振電極とは接続点44,45においてインピーダンス整合している。 (もっと読む)


【課題】
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板を用いる光導波路素子に対し、当該素子の端面で反射するスラブ伝搬光を除去し、動作特性の劣化を抑制した光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、該薄板には光導波路が形成されており、該薄板に接着層を介して接着された補強基板とを有する光導波路素子において、該光導波路素子の側面の一部に、反射防止膜が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


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