【課題】消費電力を抑えつつ、複数の電気信号を並行処理で光信号に変換する。
【解決手段】データ信号Ｄａ１，Ｄａ２，Ｄａ３、およびクロック信号ＣＫａの数未満の数の発光ダイオード１１ａで構成された光源部１１と、データ信号Ｄａ１，Ｄａ２，Ｄａ３、およびクロック信号ＣＫａと一対一で対応して配設されたこれらの電気信号の数と同数の光シャッタ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄとを備え、各光シャッタ１２は、対応する電気信号の信号内容に応じて、光源部１１から出射される光Ｌを透過する透過状態および光Ｌを遮光する遮光状態のうちの一方の状態から他方の状態、または他方の状態から一方の状態に移行することにより、上記の電気信号を光信号に並行処理で変換して出力する。 （もっと読む）

【課題】光利用効率が高く、複雑な製造プロセスが不要な半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置及び計測装置を提供すること。
【解決手段】光パルスを発生する光パルス発生部２と、光パルス発生部２で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第１のパルス圧縮部３と、第１のパルス圧縮部３でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第２のパルス圧縮部５と、第１のパルス圧縮部３の前段、または第１のパルス圧縮部３と第２のパルス圧縮部５との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部４と、を有し、光パルス発生部２がスーパールミネッセントダイオードである。 （もっと読む）

【課題】電界吸収型光変調器に供給する駆動信号の直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止する。
【解決手段】電圧連動可変手段３０は、ドライバ回路２５の終段トランジスタＴＲの出力用の特定端子の直流電圧と他の端子の直流電圧とを、同一方向に連動可変させて、終段トランジスタＴＲの動作点の変動を抑制しつつ、電界吸収型光変調器１に与える駆動信号Ｄの直流電圧を変化させて、駆動信号Ｄの直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止し、波形劣化の無い変調光を出力させる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の集光制御を充分な自由度で好適に実現することが可能な光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】 空間光変調器を用いたレーザ光の集光照射の制御において、レーザ光の波長数、各波長の値、及びレーザ光の入射条件を取得し（ステップＳ１０１）、集光点数、及び各集光点での集光位置、波長、集光強度を設定し（Ｓ１０４）、各集光点について、レーザ光に付与する集光制御パターンを設定する（Ｓ１０７）。そして、集光制御パターンを考慮して空間光変調器に呈示する変調パターンを設計する（Ｓ１０８）。また、変調パターンの設計において、１画素での位相値の影響に着目した設計法を用いるとともに、集光点での集光状態を評価する際に、集光制御パターンの逆の位相パターンを加えた伝搬関数を用いる。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大することができる光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板と、前記基板の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部と、前記活性部の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部とを有し、前記上クラッド部の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部をもつ、リッジ導波路構造を作製し、前記リッジメサ部の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ構成の電界吸収型光変調器と、注入電流により光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記電界吸収型光変調器との間に設けられ、前記半導体レーザから出力された光が導波する光導波装置とを具備する光半導体装置の制御方法であって、前記電界吸収型光変調器の消光比を、前記半導体レーザへの注入電流を変化させることにより制御するものとする。 （もっと読む）

【課題】フォーカスラグを低減する。
【解決手段】透過率特定部２８は、操作部１７が半押し操作されると、そのタイミングの液晶NDフィルタ４４の透過率を、液晶NDフィルタ４４に印加電圧を変化させたタイミングからの経過時間と、サーミスタ４５により測定される温度とで、温度別透過率対時間テーブル２６を参照して特定する。NDフィルタ制御部２４は、半押し操作されたタイミングにおける透過率に対応する電圧を、透過率対電圧テーブル２５より読み出して、液晶NDフィルタ４４に印加することで、半押し操作されたタイミングの透過率が固定されるようにする。ゲイン制御部２２およびシャッタ制御部２３は、半押しされたタイミングの透過率と、目標とする透過率との差分から、液晶NDフィルタ４４で調整できない明るさをゲインおよびシャッタスピードを変化させて調整する。本技術は、撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを利用した光変調器を提供する。
【解決手段】半導体層１２０の上面上に位置した第１グラフェン１４１及び第２グラフェン１４２と、第１グラフェン１４１上に位置した第１電極１６１と、第２グラフェン１４２上に位置した第２電極１６２と、を備え、第１グラフェン１４１の一側と第２グラフェン１４２の一側とは離隔して位置し、半導体層１２０の第１リッジ部１２４と、第２グラフェン１４２上に位置した第２リッジ部１５０とは、光導波路をなし、第１グラフェン１４１及び第２グラフェン１４２は、光導波路の垂直面上でほぼ中央に形成されるグラフェンを利用した光変調器である。 （もっと読む）

【課題】外部要因の変動によらず、光出力波形を維持することである。
【解決手段】光送信機は、ＥＡ変調器と、フォトカレント検出回路と、変調器駆動回路と、ＣＰＵとを有する。ＥＡ変調器は、入力された信号を光信号に変換して出力する。フォトカレント検出回路は、ＥＡ変調器における光吸収電流（フォトカレント）を検出する。変調器駆動回路は、ＥＡ変調器を制御する。ＣＰＵは、フォトカレント検出回路により検出された上記光吸収電流に基づき、変調器駆動回路に印加する電圧を算出する。 （もっと読む）

【課題】材料コストおよび組み立てコストの削減が可能なシリコンおよびゲルマニウムを用いた半導体光変調器で、高速かつ低消費電力で光変調ができるようにする。
【解決手段】第１半導体層１０２は、第１導電型のシリコンから構成され、第２半導体層１０６は、第２導電型のシリコンから構成されている。また、第１障壁層１０３は、第１組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。また、量子構造層１０４は、第１組成よりゲルマニウムの組成比が大きい第２組成のシリコンゲルマニウムから構成されて少なくとも層方向の厚さが量子効果が発現される範囲とされた量子構造を備えている。また、第２障壁層１０５は、第２組成よりゲルマニウムの組成比が小さい第３組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器を通過する高強度の光源を必要とせずに、単一通過、高解像度、高速度の画像形成システムを提供する。
【解決手段】高エネルギ赤外レーザから均質光を発生させる均質光発生器１１０、２次元アレイ内に配列された光変調素子を含む空間光変調器１２０、およびアナモフィック光学システム１３０を含む画像形成システム。光変調素子は、各変調素子が関連均質光部分を受信するように配置され、「オン」変調状態と「オフ」変調状態との間で個々に調整可能であり、それによって「オン」変調状態において各変調素子は、関連変調光部分がアナモフィック光学システム１３０の中の対応する領域上へ向けられるように、受信した均質光部分を変調する。次いでアナモフィック光学システム１３０は、変調光部分をアナモフィックに集光して、スキャンライン画像を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子の干渉特性の調整を行うことなく、光干渉素子に入力される入力光の特性を精度よく測定することができる、光干渉素子の入力光の特性測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の入力光の特性測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の入力光の特性測定方法であって、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光の特性を測定する第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調しない画素有効領域外からの出射光を抑制して、コントラストを向上させた反射型の空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に２次元配列された画素４からなる空間光変調器の画素アレイ４０は、各画素４の光変調素子同士を絶縁する素子間絶縁層５を、光の入射される側から順に低屈折率絶縁層５２およびそれよりも屈折率の高い高屈折率絶縁層５１の少なくとも２層を積層して備える。光が高屈折率絶縁層５１の上下界面で多重反射して閉じ込められることにより減衰して、出射光が抑制される。 （もっと読む）

【課題】単一パス高解像度高速印刷用途に使用されることが可能な高信頼でしかも高出力である画像形成システムを提供する。
【解決手段】アナモルフィック光学系１３０Ｅは、画像形成面１６２Ｅから湿し溶液を気化するに足るエネルギーを有するライン画像を発生するために、１つまたは複数の円柱／非円柱レンズ１３４Ｅにより全屈折配置に形成される、または円柱／非円柱レンズおよびミラーの組合せによって形成される工程方向サブ光学系１３７Ｅを含む。また、本アナモルフィック光学系は、変調光場１１９Ｂを工程横断方向に画像化するために１つまたは複数の円柱／非円柱レンズ１３８Ｅおよび任意選択の円柱／非円柱視野レンズにより形成される工程横断方向サブ光学系１３３Ｅも含む。本アナモルフィック投影光学系は、ライン画像の複数のピクセル画像の同時的発生を容易にし、１２００ｄｐｉ以上での印刷を容易にする。 （もっと読む）

【課題】変調の高効率化と波長帯域の広範囲化とを両立しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される導波路と、導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、リング変調器内の光パワーをモニタする光検出器と、リング変調器及び光検出器に接続され、光検出器により検出された信号に基づいて変調信号をリング変調器に印加する制御部とをそれぞれ有する複数の変調部とを有し、複数の変調部は、リング変調器の直径が互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力を実現する外部変調型レーザ素子の駆動回路を提供すること。
【解決手段】この駆動回路１は、バイアス電流Ｉ_ｂｉａｓが供給されて直流光を出射するＤＦＢレーザ素子３と、直流光を変調する光吸収型のＥＡ部５とを駆動する回路であって、バイアス電圧印加用の２つの電源端子ＶＣＣ，ＶＳＳ間においてＤＦＢレーザ素子３を挟んで直列に接続されたバイアス電流源１１及びスイッチング素子１３を備えており、スイッチング素子１３は、ＥＡ部５に並列に接続された抵抗素子１９及びＭＯＳＦＥＴ２１が直列に接続された回路部と、ＭＯＳＦＥＴ２５を含む回路部とが並列に接続されて構成されており、ＭＯＳＦＥＴ２１，２５は、相補的な差動信号によって駆動される。 （もっと読む）

【課題】光変調装置の安定な特性を得ること。
【解決手段】光変調器１０と、一端が前記光変調器に電気的に接続されたボンディングワイヤ３０と、前記ボンディングワイヤの他端と電気的に接続され、絶縁層上に設けられてなるインダクタ成分を有する第１金属層５６と、前記第１金属層と電気的に直列に接続された接地パターンを備えた第２金属層５２と、を具備する光変調装置。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録、センシング、生物医学、画像化技術などの広い分野に応用して好適な、貴金属に起因する表面プラズモンを用いた高い磁気光学性能を有する磁気光学材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、チタニアナノシートなどの極薄い磁性体を貴金属表面上に配置することにより達成される。 （もっと読む）