【課題】
進行波型光変調器の製造工程において、電極の屈折率を簡便且つ正確に測定することが可能であり、検査に必要な検査用電極もより小さな電極パターンとすることが可能な検査用電極付きウエハ及びその電極の屈折率測定方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有するウエハ１に、複数の光導波路２と、該光導波路に沿って信号電極及び接地電極が配置されてなる、該電極間に電気信号を進行させて該光導波路を伝搬する光を制御するための複数の進行波型制御電極と、該ウエハの一部に形成された検査用電極（３，３１）とを有する検査用電極付きウエハにおいて、該検査用電極は、該信号電極と同一延伸方向に延びる共振型電極（３，３１）を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】親マッハツェンダ光導波路に印加するＤＣバイアス電圧について改善されたネスト型の光変調器を提供する。
【解決手段】子マッハツェンダ光導波路を成す２本の光導波路の上方にバイアスを印加するための中心導体の役割を成す２つの電極を各々有し、該２つの電極に同相のバイアス電圧を印加することにより、親マッハツェンダ光導波路としてのバイアスを設定するネスト型の光変調器であって、子マッハツェンダ光導波路を成す２本の光導波路と当該２本の光導波路の上方に形成された前記２つの電極の位置が光の導波方向と交わる方向にずれた状態であっても当該２本の光導波路において発生する屈折率変化が互いに等しくなるように、接地導体の役割をなす３つの電極を、光の導波方向と交わる方向における前記２つの電極の各電極の両側にして当該２つの電極の間は共通で設けた。 （もっと読む）

【課題】省電力で駆動が可能な光導電スイッチング素子、光導電スイッチング素子アレイ、表示装置および画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光導電スイッチング素子アレイ１は、第１の共通電極２と、第１の共通電極２に対向配置され、第１の共通電極２との間で電圧が印加される個別電極３と、第１の共通電極２と個別電極３との間に配置され、アドレス光Ｌ２を受光することにより導電性が発現する光導電層４とを備え、光導電層４は、アドレス光Ｌ２を受光した際に電荷を発生する機能を有する第１の電荷発生層４１および第２の電荷発生層４２と、第１の電荷発生層４１および第２の電荷発生層４２でそれぞれ発生した電荷を輸送する機能を有する電荷輸送層４３とを備え、第１の電荷発生層４１と第２の電荷発生層４２とは、電荷輸送層４３の面方向の異なる位置に配置され、電荷輸送層４３の厚さ方向にも異なる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】信号電極の入力部から作用領域に至るまでの間でも、クロストーク現象が抑制可能であり、かつ製造コストの増加を抑制した進行波型光変調素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板に形成された光導波路２と、光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する進行波型光変調素子において、変調電極は、２本以上の信号電極３１，３２と接地電極から構成され、信号電極の全ての入力部Ｐ１，Ｐ２は、基板の第１の側面１１側に設けられ、信号電極が形成する電界が光導波路に作用する作用領域の位置が、第１の側面に最も近い第１の信号電極３１と、作用領域の位置が、第１の側面に対向する第２の側面１２に最も近い第２の信号電極３２については、各作用領域の作用開始部Ｃ１，Ｃ２において、第１の信号電極は第１の側面側から、第２の信号電極は第２の側面側から、各々導入される。 （もっと読む）

【課題】基板の同じ側面側に２つの信号電極の入力部がある場合でも、電気的クロストークを抑制し、製造コストの増加も抑えた進行波型光変調素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路２と、光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備える。変調電極は、マッハツェンダー型光導波路の２つの分岐導波路２１，２２に対して、別々の変調信号を印加する第１の信号電極３１と第２の信号電極３２とを有し、各信号電極は、基板の同じ側面側に変調信号入力部Ｔ１，Ｔ２を有する。信号電極の変調信号入力部Ｔ１、Ｔ２から作用部Ｓまでの少なくとも一部の領域では、第１の信号電極３１と第２の信号電極３２との間に配置された接地電極が、第１の信号電極に沿う第１の接地電極４１と第２の信号電極に沿う第２の接地電極４２に分離されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部から放出される主出力光とモニタ光（放射モード光）との光強度変化が相補的関係となるように設定することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板に少なくとも１つのマッハツェンダー型導波路が形成され、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部２０には、２本の分岐導波路２２，２３が導入されると共に、出力主導波路２４と該出力主導波路を挟む２本の出力副導波路２５，２６とが導出されるように構成された光導波路素子において、該分岐導波路２２，２３はシングルモード導波路で構成され、該合波部２０の導波路はマルチモード導波路で構成され、該マルチモード導波路の幅Ｗ２は、該シングルモード導波路の幅Ｗ１，Ｗ３よりも広く、かつ、該シングルモード導波路の幅の２倍の幅よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

【課題】
共振周波数の異なる複数の共振型電極を用いながら、変調効率が高く低コスト化することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、該光導波路２に沿って配置される、共振周波数（ｆ１，ｆ２）の異なる複数の共振型電極３１，３２を有し、制御信号を入力する１つの入力配線３０と、該入力配線から分岐する分岐信号線が各共振型電極に接続され、かつ、該分岐信号線は、各共振型電極において該制御信号が該共振型電極に供給されるタイミングと、該光導波路を伝搬する光が当該共振型電極の近傍を通過するタイミングとを一致させるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術の外部共振器レーザにおいて、モードホップを回避しつつ、高速で広帯域を波長掃引することは、発信波長および位相の２つのパラメータを同時に高速に連続的に調整する必要がある。この調整のためには、複雑な機構を必要とした。外部共振器レーザ以外の導波路型の分布帰還型（ＤＦＢ）レーザなどでは、外部共振器型レーザに匹敵するような広帯域の波長可変性能は、構造などの制限により未だ実現できていない。
【解決手段】本発明は、回折格子を含む外部共振器型の波長可変光源において、半導体レーザ部と回折格子との間の光路上に、異なる制御電圧で制御される屈折率変調部および偏向部を有する点に特徴がある。波長可変帯域の設定と、モードホップフリー発振の条件とを屈折率変調部および偏向部の各制御電圧Ｅ_１、Ｅ_２で別個に独立に行なうことができる。屈折率変調部および偏向部には、ＫＴＮなどの電気光学結晶を利用し、異なる電極材料を使用する。 （もっと読む）

【課題】被露光体上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮する。
【解決手段】一定方向に一定速度で搬送される被露光体４の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に平行に並んだ複数のレーザビームに強度変調を与えて射出するパターンジェネレータ６と、パターンジェネレータ６から射出した複数のレーザビームを被露光体４上に一定間隔に並べて集光するｆθレンズ７と、ｆθレンズ７を射出した複数のレーザビームを被露光体４の搬送方向と交差する方向に回折させて、互いに隣接するレーザビームの間の領域を同時に往復走査する音響光学素子８と、を備え、音響光学素子８は、レーザビームの回折方向の軸が光軸を中心に被露光体４の搬送方向と直交する方向に対して一定角度だけ回転した状態に配設され、音響光学素子４の光射出側には、複数のレーザビームの０次回折光を遮断する遮光マスク２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】小型で製造が容易な光変調器付き面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ装置１０は、ＶＣＳＥＬ１０Ａと光変調器１０Ｂとを含む。ＶＣＳＥＬ１０Ａは、ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０８と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、環状のｐ側電極１１０とを有する。光変調器１０Ｂは、上部ＤＢＲ１０６上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｐ型の第１の透明半導体膜１２０と、第１の透明半導体膜１２０上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｎ型の第２の透明半導体膜１２２と、第２の透明半導体膜１２２に電気的に接続された変調電極１３０とを含む。ｐ型電極１１０は、第１の透明半導体膜１２０にも電気的に接続されている。 （もっと読む）

本出願の実施形態に従う懸濁粒子デバイスの導電層と電源バスとの間の接続部が、良好な接着性および導電性の両方を与えるための金属粒子と結合された接着剤を含む。接着剤が、導電層の表面に設けられる。導電性銅箔または導電性布が、接着剤と接着され、電源バスの少なくとも一部を形成する。
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【課題】光配向膜における配向方向の異なる配向処理を１回の工程で実現可能にして配向処理工程を短縮する。
【解決手段】電気光学結晶材料から成る複数の光変調素子８を一定の配列ピッチで少なくとも一列に並べて有する空間光変調手段３と、前記各光変調素子８を個別に駆動して、前記空間光変調手段３に対向して配置され表面に光配向膜を塗布した基材７上に照射する偏光の偏光面の回転角度を制御する制御手段６と、前記空間光変調手段３を前記基材７に対して前記光変調素子８の並び方向と交差する方向に相対移動させる移動手段５と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】焦点距離の変更を高速に行うことができる偏波無依存型可変焦点レンズを提供する。
【解決手段】偏波ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１１によって偏波分離された第１の偏波光は、直列に配列された第１の基本単位素子１２と半波長板１３と第２の基本単位素子１４（第１セット）とを透過する。もう一方の偏波分離された第２の偏波光は、光学ミラー１６を介して、直列に配列された第３の基本単位素子１７と半波長板１８と第４の基本単位素子１９（第２セット）とを透過する。第１の基本単位素子と第２の基本単位素子、第３の基本単位素子と第４の基本単位素子のそれぞれは、光軸を中心に互いに９０度の角度をなすように配置する。 （もっと読む）

【課題】
複数の信号電極を有し、小型化してもクロストークが発生し難く、帯域特性の劣化を抑止した光制御デバイスを提供することである。また、製造が容易な光制御デバイスを提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路（不図示）と、該光導波路を伝播する光波を変調する変調電極とを有する光制御デバイスにおいて、該変調電極は、信号電極（２，３）と該信号電極を挟む接地電極（４〜６）とから構成され、該信号電極の少なくとも一部に屈曲部（Ｃ１〜Ｃ３）を有し、該屈曲部に入る信号電極２の延長線上に、任意の信号電極の一部（Ｂ１〜Ｂ３，Ｂ１’）が配置され、前記信号電極の一部を跨ぐように該接地電極間に電気的接続手段（Ｗ１〜Ｗ３）を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い耐パワー性能と短波長光での光損傷性能が高く、かつ高速な変調が可能な光変調デバイスおよび当該光変調デバイスを用いた露光装置を提供する。
【解決手段】両端面１１ａ、１１ｂを露出させたまま電気光学結晶層１１の周囲が結晶部１４（電気光学結晶層１２、１３）で取り囲まれて四角柱形状の外観を有する電気光学結晶基板１５が形成されている。また、電気光学結晶基板１５の上面および下面に電極１６ａ、１６ｂがそれぞれ形成される。電極１６ａ、１６ｂは電位付与部１７と電気的に接続されており、電位付与部１７から電極１６ａ、１６ｂに正電位および負電位を与えると、電気光学結晶層１１および結晶部１４の屈折率がそれぞれ増加および減少して入射光Ｌinを電気光学結晶層１１に封じ込めて伝搬する。逆電位を付与すると、入射光Ｌinが結晶部１４に吸い込まれるように広がる。 （もっと読む）

【課題】半導体光変調器の形成プロセスや使用部品点数を増加させることなく、サージ耐性を向上させることができるサージ保護機能内蔵型半導体光変調器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層を複数積層した半導体層構造からなり、光の変調を行う半導体光変調領域１４と、半導体光変調領域１４の半導体層構造と同一の層構造からなり、半導体光変調領域１４を電気的に保護する保護ダイオード２４とを備え、半導体光変調領域１４と共に保護ダイオード２４を半導体基板上にモノリシック集積し、半導体光変調領域１４の活性領域と保護ダイオード２４とを電気的に並列に接続し、かつ、半導体光変調領域１４の活性領域と逆の電界を保護ダイオード２４に印加するように、半導体光変調領域１４と保護ダイオード１４とを配線するサージ保護機能内蔵型半導体光変調器及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ部間のクロストークを抑制すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１０と、前記基板に設けられたメイン導波路１４と、前記基板に設けられ前記メイン導波路に結合された複数の第１導波路と、少なくとも前記第１導波路間と前記第１導波路上とに設けられ前記第１導波路内にＤＣ電界を発生させる第１ＤＣ電極２４と、を備える第１マッハツェンダ部５０と、前記第１導波路それぞれに対応し、前記基板に設けられ前記第１導波路のそれぞれに複数結合された第２導波路１６と、前記第２導波路内にＤＣ電界を発生させる第２ＤＣ電極２６と、を備える複数の第２マッハツェンダ部５２と、を具備し、前記複数の第２マッハツェンダ部のうち少なくとも１つは、前記第２ＤＣ電極が前記第２導波路間に設けられておらず少なくとも前記第２導波路上に設けられている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】自動制御でマッハツェンダ変調器に印加するRF振幅調整電圧および直流バイアス電圧を最適点に収束させることのできる簡易な電圧制御部を設けることにより、製造工程における人件費を削減できる光送信器を提供することを目的にする。
【解決手段】変調データを伝送する伝送経路に設けられたマッハツェンダ変調器と、このマッハツェンダ変調器に印加する振幅調整電圧および直流バイアス電圧を制御する電圧制御部とを有する光送信器において、前記マッハツェンダ変調器を駆動するドライバ電源の電源供給経路に設けられたスイッチと、前記電圧制御部に設けられ、前記スイッチをオンオフ制御するスイッチ制御手段とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁波の偏向素子を実現すること。
【解決手段】絶縁層と金属層とを厚さ方向のｚ軸方向に周期的に積層した光偏向素子において、絶縁層の面上において、ｚ軸に垂直な方向にｘ軸、ｚ軸とｘ軸に垂直な方向にｙ軸をとるとき、ｚ軸方向に伝搬する電磁波に対して、第１周波数に関してｘ軸方向に沿って屈折率が、電磁波の存在する範囲において、一定の変化率で、増加、又は、減少するように、屈折率の分散特性をｘ軸方向に沿って変化させた特性としたメタマテリアル素子とした。電磁波の存在範囲において、第１周波数に関してｘ軸方向に沿って屈折率が、一定の変化率で増加し、第１周波数と異なる第２周波数に関してｘ軸方向に沿って屈折率が、一定の変化率で減少するように、屈折率の分散特性をｘ軸方向に沿って変化させた特性とする。これにより、ｚ軸に対して両側に偏向させることができる。 （もっと読む）