【課題】 本発明は、二重パターニングされたシャドー(D-P-S)手順及びサブシステムを用いた基板処理方法の改善を目的とする。
【解決手段】 本発明は、二重パターニングされたシャドー(D-P-S)処理を用いた基板処理方法を供することができる。前記D-P-S処理手順は、(D-P-S)生成工程、(D-P-S)評価工程、及び(D-P-S)搬送工程を有して良い。前記(D-P-S)生成工程は、堆積工程、活性化工程、脱保護工程、側壁角(SWA)訂正工程、及び二重パターニング(DP)現像工程を有して良い。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用、三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料、を形成する方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型フォトレジスト層の下層を形成するためのレジスト下層膜材料であって、架橋性のポリマーと、一般式 Ｒ¹ＣＦ₂ＳＯ₃^-（Ｒ²）₄Ｎ⁺ （１ａ） で示される１００℃以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含んでなるレジスト下層膜材料、及びこのレジスト下層膜材料を用いて形成されたレジスト下層膜を備えるレジスト下層膜基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング耐性が高く、他層とのミキシングや溶解を起こさず、また紫外光吸収により定在波効果を防ぐことのできる多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層レジスト中間層形成用塗布液は、Ｍを金属原子、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３を炭素数１〜８のアルキル基、ａはＭの価数、ｂ、ｃは整数でｂ＋ｃ＝金属原子Ｍの価数として、Ｍ（ＯＲ^１）_ａ、又は Ｒ^２_ｂＭ（ＯＲ^３）_ｃで表される金属アルコキシド誘導体を主成分とし、有機溶剤に溶解されている。ＭはＴｉであることが好ましい。この塗布液を基板に塗布後、１００℃〜２５０℃、不活性ガス雰囲気下にベークして固化させ、多層レジスト中間層とする。 （もっと読む）