【課題】リテーナリングの表面を研磨する際のコストの削減。
【解決手段】ウエハ２２を保持するヘッド３０に設けられたリテーナリング２０を交換する工程と、プラテン１０上に設けられたパッド１２上に、研磨シート５０を貼り付ける工程と、前記研磨シート５０を用い前記リテーナリング２０の下面を研磨する工程と、前記研磨シート５０を剥がす工程と、前記パッド１２を用い前記ウエハ２２の下面を研磨する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面が絶縁層で覆われた金属試料やセラミックス試料の断面研磨を、最表面近傍にダレを生ずることなく行う。
【解決手段】試料の最表層近傍の断面観察に適した断面研磨方法であって、試料表面に金属蒸着層を形成した後金属めっき層を形成し、しかる後、断面研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】研磨終点の検出を確実に行える半導体ウェーハの研磨方法及び半導体ウェーハの研磨装置を提供する。
【解決手段】被研磨層の研磨終点に周期性を有するパターン５０が形成された半導体ウェーハＷを保持したスピンドル６と、表面に研磨パッド４が設けられた回転テーブル２と、をそれぞれ回転させながら、被研磨層を研磨パッド４に接触させて研磨する研磨方法であって、スピンドル６及び回転テーブル２の回転に伴って生じる振動に、パターン５０が研磨パッド４に達したことに伴う振動が加わると共振するように、パターン５０の周期を設定した。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を化学機械研磨する際に、絶縁層の物理的性質を変化させずに、材料剥がれやスクラッチなどの表面欠陥が被研磨面に発生することなく精度の高い被研磨面を得ることができる化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに前記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットを提供すること。
【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）砥粒、（Ｂ）炭素数４以上の脂肪族有機酸、（Ｃ）酸化剤、（Ｄ）下記一般式（１）で表される非イオン性界面活性剤、および（Ｅ）分散媒を含有する。
【化１】


・・・・・（１） （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法をプロセス中に含む半導体装置の製造方法および半導体装置において、より広いパターン形成がなされる領域におけるディッシングの発生を防止すること。
【解決手段】半導体基板上に、互いに材料が異なりかつ上下に隣り合う上側の第１の膜と下側の第２の膜とを最も上側に含む少なくとも２層以上の積層膜を形成し、積層膜上の第１の領域と第２の領域とにおけるパターンの細かさが第１の領域でより細かくなるように積層膜をパターニングし、パターニングで除去された部位を埋めるように、第１、第２の膜の材料とは異なる第３の材料からなる埋め込み部位を形成し、積層膜上の第２の領域の少なくとも一部内を除いて第１の膜をエッチング除去し、第１の膜のエッチング除去された部位を埋めるようにかつ埋め込み部位の少なくとも一部上を覆うように第４の材料の層を形成し、埋め込み部位をストッパーとして第４の材料の層にＣＭＰ法を適用する。 （もっと読む）