【課題】基板端部の過研磨を効果的に抑制して、基板端部の研磨速度の精密な制御ができるようにする。
【解決手段】基板保持装置に用いられる弾性膜４であって、弾性膜４は、基板に当接して該基板を研磨パッドに向けて押圧する当接部４００を有し、当接部４００の下面は、平坦な平坦領域Ａと該平坦領域の外周部に位置して上方に立上る立上り領域Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】研磨速度や研磨形状の変化に合わせて、最適な研磨条件で研磨処理を自動で実行できるようにする。
【解決手段】ステップ１で研磨前の基板の基板（ウェハ）の膜厚を測定する。次に、ステップ２で目標研磨量の半分程度を反りなし形状の研磨レシピ（Ｒｆ）で研磨する。そして、ステップ３で研磨後の基板の膜厚を測定する。このあと、ステップ４で研磨前後の基板の膜厚の測定結果により、（反りなし形状に対応する研磨後の式Ｆ）の結果の予想との誤差を（山型反り形状に対応する研磨後の式Ｙ）、（谷型反り形状に対応する研磨後の式Ｔ）に補正し、残りの研磨量の各測定点が最小になるように、山型反り形状の研磨レシピ（Ｒｙ），谷型反り形状の研磨レシピ（Ｒｔ）それぞれの追加研磨時間を求める。そして、ステップ５で、山型反り形状の研磨レシピ（Ｒｙ），谷型反り形状の研磨レシピ（Ｒｔ）で追加研磨時間だけ研磨除去する。 （もっと読む）

【課題】ホーニング加工で孔の内周面をテーパ形状に精度よく仕上げると共に上記内周面にクロスハッチ状の加工痕を高精度に形成し、かつ当該仕上げ加工を効率よく短時間で実施する。
【解決手段】ワークとなる孔２の内周に配置したホーニングヘッド１１を回転させつつ孔２の軸方向一方に沿って移動させるときのみ、砥石１４を外径側に移動させて孔２の内周面３に所定の圧力で押し当てることで研削を行うと共に、上記押し当て動作を伴う研削をホーニングヘッド１１の回転方向を切替えて繰り返す。また、ホーニングヘッド１１の軸方向一方への移動を伴う研削が終了した際、ホーニングヘッド１１の回転駆動を切断すると共に、砥石１４による内周面３の研削が進行しない程度の押し当て状態（押し当て圧Ｐ’）を維持することで、惰性回転中のホーニングヘッド１１を制動する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板をスループット２０枚／時以上の市場要求を満足させる最適加工条件で平坦化加工して、薄肉化した反りのない加工基板を製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】３軸の研削砥石ヘッド３４ｈ_ｃ，３４ｈ_ｍ，３４ｈ_ｆを備える研削装置で研削工程を行った後、２基のワーク吸着ヘッド２２，２２を備えるラップ盤とダイヤモンド砥粒を分散させたスラリーを用いてラップ加工を行い、表面粗さ（Ｒａ）が２０ｎｍ以下のサファイア基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化珪素砥粒を含む研磨剤により酸化珪素膜の平坦化を行う場合に、酸化珪素膜と研磨停止膜としての窒化珪素膜との研磨選択比を確保する。
【解決手段】実施形態に係わるＣＭＰ方法は、酸化珪素砥粒を含む研磨剤を用い、かつ、研磨停止膜として窒化珪素膜を用いて、被研磨膜としての酸化珪素膜の平坦化を行う場合において、研磨剤に、50000以上、5000000以下の重量平均分子量を持つ第１の水溶性高分子と、1000以上、10000以下の重量平均分子量を持つ第２の水溶性高分子とを含ませた状態で、酸化珪素膜の研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】マシニングセンタを用いたホーニング加工を低コストで実施可能にする。
【解決手段】定量ホーニング用と定圧ホーニング用の２種類の砥石３Ａ、３Ｂのいずれか一方を選択的に外周部から突出させ得るホーニング工具２を回転可能に保持し、回転しつつ回転軸方向に進退動可能な主軸４を有する工作機械の主軸４に装着され、主軸４の回転をホーニング工具２に伝達するホーニング加工用装置１００であって、外部から空気が供給されることで空気圧が上昇する定量用空気室３１と、定量用空気室３１の空気圧を利用して定量ホーニング用砥石３Ａをホーニング工具２の外周部から突出させるよう作動する定量拡張用部材１１と、外部から空気が供給されることで空気圧が上昇する定圧用空気室１４と、定量空気室１４の空気圧を利用して定圧ホーニング用砥石３Ｂをホーニング工具２の外周部から突出させるよう作動する定圧拡張用部材１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】稼働停止時における電力等のユーティリティを低減する。
【解決手段】ＣＭＰ装置１の回転定盤１７に取り付けた研磨パッド１６とトップリング１８との間に半導体ウエハＷを保持して相対回転させてウエハＷを研磨する。リンス水供給管１１にリンス水流量調整弁１３を設けて、研磨部２内の研磨パッド１６に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。洗浄部３には研磨した半導体ウエハＷを洗浄用スポンジローラ２６，２７で挟持して洗浄して搬送する。リンス水供給管１２ａ、１２ｂにリンス水流量調整弁１４、１４を設けて、洗浄用スポンジローラ２６，２７に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。純水の供給間隔をｔ分とし、１回毎の純水の供給継続時間をｄｔ秒として、下記の（１）式と（２）式を満足する。
ｄｔ＝２０{１．６−ｅｘｐ（−０．０１７８３ｔ）} ……（１）
１０≦ｔ≦３０ ……（２） （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主表面を平坦度３０ｎｍ以下に研磨することができる、ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０のガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法であって、前記研磨パッド２４が、微多孔が形成された表面層を有し、圧縮率が２０％以上である第１の軟質プラスチックシートと、前記第１の軟質プラスチックシートの前記研磨面の背面側に接合された、圧縮率が２０％未満である第２の軟質プラスチックシートと、を備えており、前記第２の軟質プラスチックシートの前記第１の軟質プラスチックシートが接合された反対面側をバフ処理した後、前記第２の軟質プラスチックシートのバフ処理された面を前記両面研磨装置の上下定盤の側にして、前記研磨パッドを該上下定盤に取り付けた状態で、前記研磨面側をドレス処理してから、前記ガラス基板の両主表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の接合面の表面精度の向上を図り、キャビティ内の気密を確保することができるガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供する。
【解決手段】研磨剤を供給しつつリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、研磨工程は、研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する前段ポリッシュ工程と、研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した加工状態を得ることが可能な超仕上げ加工方法および超仕上げ加工装置を提供する。
【解決手段】回転する工作物９に砥石台４に支持した砥石１０を揺動させながら押し当てる超仕上げ加工装置の砥石台４に、回転する工作物９の接線方向の分力Ｑを検出する主分力センサ６ａ、押し当て方向の分力Ｐを検出する背分力センサ６ｂ、砥石１０の揺動方向の分力Ｒを検出する揺動荷重センサ６ｃ、砥石１０の押し当て方向の移動量を検出する移動量センサ７、工作物９の寸法減少量を検出するインプロセスゲージ８を設ける。そして、「粗」→「仕上げ」に応じて変化するセンサ６ａ、６ｂの出力に基づき加工状態を判定し、加工条件（回転数、揺動数、押し付け力）を変化させて加工効率を改善する。また、前記センサ６ａ、６ｂ、移動量センサ７とインプロセスゲージ８の出力を用いて研削異常を検出し砥石の不具合への対処を行うことにより、安定した加工状態を得ることができるようにする。 （もっと読む）

【課題】研磨ムラの少ない高精度のレンズ研磨を効率的に行うことが可能なレンズ研磨方法およびレンズ研磨装置を提供する。
【解決手段】レンズ研磨方法は、研磨装置の回転軸に保持され該回転軸を中心に回転駆動するレンズに対し、研磨ツールが回転軸の軸線と直交する方向及び軸線方向から、レンズの光学面に回転軸を中心に同心円状又は螺旋状のいずれかの研磨軌跡を描くように光学面を非球面形状に研磨するレンズ研磨方法であって、レンズを、研磨軌跡の旋回中心から離間した位置に配置する工程と、研磨ツールが光学面を研磨する時に、研磨ツールと光学面との間に所定の圧力を付与する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】情報記録媒体用基板の製造方法は、少なくともＳｉＯ_２成分を含むガラス又は結晶化ガラスからなる板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の砥粒濃度が２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であり、前記研磨液中の砥粒の全重量に対する、前記Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒の含有量が７０ｗｔ％以上であり、前記研磨工程における加工圧力が１２０ｇ／ｃｍ^２〜１６０ｇ／ｃｍ^２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワックスレス方式の研磨ヘッドにおいて、バッキングフィルムのライフ初期の外周部の反り上がりを抑制し、ワークの研磨前の形状に依らずにワークを高平坦に研磨可能な研磨ヘッド、研磨装置、及びワークの研磨方法を提供する。
【解決手段】ワークの表面を定盤上に貼り付けた研磨布に摺接させて研磨する際に前記ワークを保持するための研磨ヘッドであって、少なくとも、前記ワークの裏面を保持するための、セラミックからなり、かつ、可撓性を有するワーク保持盤と、該ワーク保持盤の前記ワークを保持する側と反対の面上に形成された密閉空間と、該密閉空間内の圧力を制御する圧力制御手段とを有し、前記圧力制御手段で前記密閉空間内の圧力を制御することによって、前記可撓性を有するワーク保持盤の形状を中凸形状又は中凹形状に調整できるものであることを特徴とする研磨ヘッド。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法により、金属膜を研磨して、層間絶縁膜に設けられた開口部内に導体パターンを形成する際、リセス、ディッシング、及びエロージョンを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ法により、層間絶縁膜１４の上面よりも上方に形成された金属膜１９及びバリア膜１８を除去することで、開口部内に、バリア膜１８及び金属膜１９よりなる導体パターンを形成する研磨工程と、を有し、該研磨工程では、層間絶縁膜１４の上面が露出する前に、金属膜１９の研磨レートと層間絶縁膜１４の研磨レートとの差が小さい研磨条件を用いて研磨を行なうことで、導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の被加工物に対して研磨残りが発生するのを防止すること。
【解決手段】研磨装置は、その表面に研磨パッドが装着された定盤と、上記の研磨パッドに対向する側の面に吸着面２１Ｓを有するヘッド２０を備える。さらにヘッド２０は、真空吸着用の第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）と、各流路からそれぞれ吸着面２１Ｓまで通じる複数の吸着孔３３，３４とを有する。さらに研磨装置は、第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）を選択的に切り替えて有効にする流路切替手段４０，４１，４２を備える。 （もっと読む）

【課題】リテーナリングが摩耗した場合でも、リテーナリングを研磨パッドから離したウェーハの研磨中に、ウェーハがリテーナリングから飛び出すことを防止可能であり、かつ、リテーナリングの長寿命化を図れる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置の研磨ヘッド４は、ウェーハチャック４１と、リテーナリング４７を保持するリテーナ保持部材４２と、回転軸部材４３と、ウェーハチャック４１とリテーナ保持部材４２とにより第１加圧室Ｐ１を形成する第１ダイアフラム４８と、リテーナ保持部材４２と回転軸部材４３とにより第２加圧室Ｐ２を形成する第２ダイアフラム４９と、ウェーハチャック４１に対するリテーナ保持部材４２の最大上昇量を規定するメカストッパ４４と、当該最大上昇量を調整する上昇量調整手段４５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でウェーハの取り代を適切に制御可能な研磨装置を提供すること。
【解決手段】バッキングパッド３２およびリテーナリング３３が一体化された研磨ヘッド３を備えた研磨装置１であって、ウェーハＷの研磨中にリテーナリング３３が研磨パッド２３上のスラリーＰから受けるリテーナ液圧Ｆｒを測定するリテーナ液圧測定手段３５と、このリテーナ液圧測定手段３５で測定されたリテーナ液圧Ｆｒに基づいて、研磨ヘッド３に付与するヘッド加圧力Ｆｈ、定盤２２の回転数、および、１バッチあたりの研磨時間のうちの少なくとも１つのパラメータを設定するパラメータ設定手段と、を備え、研磨制御手段は、パラメータ設定手段で設定されたパラメータに基づいて、回転駆動手段および研磨ヘッド加圧手段のうち少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】研磨加工時にワークに加わる上定盤による押圧力を、構成が簡単でエネルギー消費の少ない減圧機構によって精密かつ安定的に微調整できるようにする。
【解決手段】ワークＷの研磨時に上定盤３に該上定盤３の荷重と逆向きの荷重を作用させる減圧機構４４を有し、前記上定盤３の荷重と前記逆向き荷重との差を研磨時の押圧力とする両面研磨装置において、前記減圧機構４４は、上定盤３と軸線が一致する位置に上下動可能に配設された静圧力伝達軸４５と、前記上定盤３と該静圧力伝達軸４５とを相互に連結する自動調芯軸受４９と、静止する液体４７の液位差により静圧力を発生させ、この静圧力を前記静圧力伝達軸４５に前記上定盤３による荷重と逆向きの荷重として作用させる静圧力発生装置４８とを有する。 （もっと読む）

【課題】十分な研磨速度を維持しつつ基板の被研磨面（表面）の研磨を行い、しかも、研磨後の基板表面に研磨残りを生じさせることを防止して、所望の研磨プロファイルを得ることができるようにする。
【解決手段】研磨パッド１４ａに向けてガスを噴射して研磨パッド１４ａの温度を制御しながら研磨する研磨方法において、研磨中、ガス噴射流量又はガス噴射方向をＰＩＤ制御しつつ、被研磨面の研磨状態を監視し、所定の膜厚に到達する前後で、制御する研磨パッド１４ａの温度を切り替えて研磨する。 （もっと読む）

【課題】下地層の上の上層膜のみを選択的に除去することができ、基板上のデバイスにダメージを与えず、さらには研磨痕を低減することができる効率のよい研磨方法を提供する。
【解決手段】この研磨方法は、基板Ｗの周縁部と研磨テープ１とを摺接させる工程と、基板Ｗの周縁部に接触している研磨テープ１に研磨液を供給する工程とを含む。研磨テープ１は、基材テープと、該基材テープ上に形成された固定砥粒とを有している。研磨液は、立体障害を起こす分子を含む添加剤と、アルカリ性薬液とを含んだアルカリ性研磨液である。 （もっと読む）