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Fターム[3C058BC03]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 制御(制御対象) (731) | その他機構(表示、警報等)を制御するもの (76)

Fターム[3C058BC03]に分類される特許

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【課題】基板の研磨中にシリコン層の正確な厚さを取得し、得られたシリコン層の厚さに基づいて基板の研磨終点を正確に決定することができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本研磨方法は、基板から反射した赤外線の強度を所定の基準強度で割って相対反射率を算出し、相対反射率と赤外線の波長との関係を示す分光波形を生成し、分光波形にフーリエ変換処理を行なって、シリコン層の厚さおよび対応する周波数成分の強度を決定し、上記決定された周波数成分の強度が所定のしきい値よりも高い場合には、上記決定されたシリコン層の厚さを信頼性の高い測定値と認定し、該信頼性の高い測定値が所定の目標値に達した時点に基づいて、基板の研磨終点を決定する。 (もっと読む)


【課題】研磨パッドやスラリーの冷却、及び研磨パッド表面のドレッシングを効率良く行う。
【解決手段】本実施形態によれば、研磨方法は、回転させた研磨パッド13に、回転させた基板を押し当て、研磨パッド13上にスラリーを供給する工程と、研磨パッド13の表面温度を測定する工程と、前記表面温度が所定温度以上になった場合に、研磨パッド13に向かって、狭窄部を有するノズル15から過冷却液滴を含むジェット流を噴出させる工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】稼働停止時における電力等のユーティリティを低減する。
【解決手段】CMP装置1の回転定盤17に取り付けた研磨パッド16とトップリング18との間に半導体ウエハWを保持して相対回転させてウエハWを研磨する。リンス水供給管11にリンス水流量調整弁13を設けて、研磨部2内の研磨パッド16に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。洗浄部3には研磨した半導体ウエハWを洗浄用スポンジローラ26,27で挟持して洗浄して搬送する。リンス水供給管12a、12bにリンス水流量調整弁14、14を設けて、洗浄用スポンジローラ26,27に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。純水の供給間隔をt分とし、1回毎の純水の供給継続時間をdt秒として、下記の(1)式と(2)式を満足する。
dt=20{1.6−exp(−0.01783t)} ……(1)
10≦t≦30 ……(2) (もっと読む)


【課題】化学機械研磨に関し、金属層が希望の厚さまで平坦かされたかどうかを確実に判断する方法を提供する。
【解決手段】化学機械研磨装置は、研磨パッド30と、研磨面の第1の側に当接して基板10を保持するためのキャリア70と、研磨パッド30及びキャリヤヘッド70の少なくとも一方に接続されて両者間に相対運動を生じさせるモータとを備え、渦電流監視システムは、基板10の近くに交番磁界を発生させるように位置決めされており、光学監視システムは、光ビームを発生して基板10からの該光ビームの反射光を検出し、コントローラは、渦電流監視システム及び光学監視システムからの信号を受信する。 (もっと読む)


【課題】生産性の向上を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板10上に、被処理膜13,16,21を形成する工程と、前記被処理膜の表面をCMP法により研磨する工程と、を具備し、前記CMP法は、回転する研磨パッド31を第1温度から前記第1温度よりも高い第2温度に上昇させる工程と、前記被処理膜の表面を前記第2温度に上昇した前記研磨パッドに当接させる工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】簡単な手段によって安全性を高めたグラインダー用安全装置を提供する。
【解決手段】グラインダー用駆動装置8は次の特徴の内の1つ又は複数を有する:駆動手段は少なくとも3つの駆動装置を有すること;安全手段は、各駆動アセンブリ12の故障を検出するための故障検出手段28と、この故障検出手段28によって検出される故障に応答して全ての電動機14のスタートを妨げるに適した制御手段22を有すること;この故障検出手段28は、各減速手段16に1つの減速装置故障センサ34を有すること;少なくとも2つの駆動アセンブリ12、及び好ましくは全ての駆動アセンブリ12は同一であること; (もっと読む)


【課題】高平坦性の確保と研磨傷の低減を両立可能なCMP技術を提案する。
【解決手段】実施形態に係わるCMP装置は、水溶性粒子を含んだ研磨パッド12の表面部にスラリーを供給する供給部15と、被研磨物14を保持した状態で被研磨物14を研磨パッド12の表面部に接触させる保持部13と、研磨パッド12の表面部に配置され、研磨パッド12の表面部の温度を設定する温度設定部17と、供給部15、保持部13及び温度設定部17の動作を制御する制御部18とを備える。制御部18は、研磨パッド12の表面部の温度を第1の温度範囲内に設定した状態で被研磨物14を研磨する第1の研磨工程を実行した後に、研磨パッド12の表面部の温度を第2の温度範囲内に設定した状態で被研磨物14を研磨する第2の研磨工程を実行する。 (もっと読む)


【課題】本発明の実施形態は、処理の終点に対する検出精度を向上させることができる処理の終点検出方法および処理の終点検出装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る処理の終点検出方法は、被処理物の処理に伴って時間とともに変化する検出情報を所定の期間収集して単位空間を定義し、前記単位空間を構成する検出情報について平均値と、標準偏差と、を求める。そして、以下の(9)式に基づいて終点検出の判定対象となる検出情報を基準化し、以下の(10)式に基づいて距離を求め、前記距離に基づいて処理の終点を検出する。
Xt=(X−Xm)/σm ・・・(9)
=Xt ・・・(10)
ここで、Xmは前記単位空間における平均値、σmは前記単位空間における標準偏差、Xは前記終点検出の判定対象となる任意の時間における検出情報、Xtは基準化された検出情報、Dは距離である。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェーハ表面を処理するプロセスで使用した使用済み薬液において、前記プロセスに必要な薬液中の成分を簡易に調整し、リサイクル処理後の薬液でも未使用薬液と同等のプロセス性能を得ることが可能な薬液リサイクル方法および該方法に用いる装置を提供する。
【解決手段】本発明の薬液リサイクル方法は、シリコンウェーハ402表面を処理するプロセスで使用する薬液のリサイクル方法であって、前記プロセスで使用した後の使用済み薬液を限外ろ過フィルター1で限外ろ過して、ろ過後薬液を得る工程と、吸光光度計3により該ろ過後薬液の吸光度または透過率を測定して、前記ろ過後薬液に含まれる成分の濃度を求める工程と、求められた前記濃度の情報に基づき、前記ろ過後薬液の成分濃度を調整して調整後薬液を得る工程と、該調整後薬液を前記プロセスで使用する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】加工工程おける被加工製品の生産効率を向上させる。
【解決手段】加工装置制御システム100は、研磨パッド、ドレッサなどの消耗部品の状態を表す物理量(累積使用時間など)から半導体ウェハCMP装置などの加工装置200の装置性能(研磨レートなど)を予測する予測モデル、および、その予測モデルのパラメータを予測するメタ予測モデルを有する。モデル作成シミュレータ部110は、加工履歴データ記憶部140に蓄積されている加工履歴データと予め定めた所定の統計分布に従う乱数とを用いて、シミュレーションにより、そのメタ予測モデルのパラメータを定めるとともに、装置性能の予測モデルのパラメータを定め、そのパラメータを制御演算部130へ送信する。制御演算部130は、受信したパラメータによって定められる装置性能の予測モデルと前記消耗部品の状態を表す物理量の現在値とを用いて、加工装置200に対する制御量を演算する。 (もっと読む)


【課題】異方性エッチングを利用して、1つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜100上に、銅膜101を形成する工程と、銅膜101上に、第1のマスク材を形成する工程と、第1のマスク材をマスクに用いて、銅膜101をバリア膜100が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第1のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜101上に、第2のマスク材を形成する工程と、第2のマスク材をマスクに用いて、銅膜101をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第2のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜101上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜101周囲に、層間絶縁膜106を形成する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】埋め込み配線層を研磨加工する際の終点検出をより効果的に行うことのできる研磨加工の終点検出方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る終点検出方法は、半導体基板上に形成された半導体デバイスの埋め込み配線層を研磨する際の終点検出方法であって、半導体基板上に形成された絶縁膜に膜厚測定用の溝をダイシングライン上に形成する工程と、溝を含む絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、研磨液を用いて、金属膜を研磨する工程と、ダイシングライン上の溝の位置に対応する窪み内に残存する金属膜の膜厚を計測するステップと、を具備する。 (もっと読む)


【課題】ワイヤーとワークとの間で発生する摩擦熱の影響で、ウェハの切断形状が変化することを抑制できる半導体ウェハの製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】複数のローラ12間にワイヤ13を巻き回してなるワイヤソー11で、ワーク17を切断してウェハを製造する半導体ウェハの製造方法において、ワイヤソー11の切断部16を、スラリー15を溜めたスラリー槽18内に浸して設けると共に、その切断部16のワイヤ13の上方にスラリー15を吹き付けるスラリー供給管20を設け、その切断部16のワイヤ13の下方のスラリー槽18内にワーク17をスラリー15に浸すように設けると共に、その上方の切断部16のワイヤ13にワーク17を押し付け、かつスラリー供給管20からスラリー15を切断部16に吹き付けて切断し、スラリー槽18内のスラリー15を温調槽21を介してスラリー供給管20に循環するようにした。 (もっと読む)


【課題】 光学監視装置で生成される信号のノイズに拘わらず正しい終点を検出する。
【解決手段】 方法とともに装置が、基板10表面を研磨パッド30に接触させる。光学終点検出装置により、光線42を向けて基板10表面に衝突させる。光学終点監視装置からの信号を監視し、第一の終点基準が第一の時間ウィンドウ内で検出されない場合には、デフォルト研磨時間で研磨を停止する。第一の終点基準が第一の時間ウィンドウ内で検出される場合には、第二の終点基準を得るために信号を監視し、第二の終点基準が検出される場合に研磨を停止する。 (もっと読む)


【目的】 研磨揚送装置の研磨ベルト移動制御システムにおいて、研磨ベルトを最後まで有効に使用することができる研磨ベルト移動制御システムを提供する。
【解決手段】 研磨ベルトの残量が巻取装置による1回の巻取り動作で巻き取り可能な研磨ベルトの巻取り量よりも少ないと、未使用部分となる研磨ベルトの残量と汚れたパチンコ玉の総数とに基づいて、使用済の研磨ベルトの交換を促す報知を行うか否かを判定する(ステップS22)。これにより、未使用部分が大部分残っているにも拘わらず交換報知に従って研磨ベルトを交換せざるを得ないような遊技場側の状況をなくすことができ、ロール状の研磨ベルトを最後まで有効に使用することができる。 (もっと読む)


【課題】研磨された半導体ウエハの端部表面形状に関して有利な代替の研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドによる半導体ウエハの研磨方法であって、研磨パッドは、平均粒径0.1〜1.0μmを有するSiO2の固定結合砥粒を含み、アルカリ成分を含み、固体材料を含有せず、11〜13.5の可変pH値を有する研磨液が供給され、研磨液は、研磨処理中にpH値13未満を有し、研磨処理を終了する目的で、pH値を13〜13.5に上昇させる、方法。 (もっと読む)


【課題】研磨の進捗を正確に監視し、さらには正確な研磨終点を検出することができる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基板の研磨中に基板に光を照射し、基板からの反射光を受光し、反射光の強度を波長ごとに測定し、強度の測定値から、強度と波長との関係を示すスペクトルを生成し、所定の時間当たりのスペクトルの変化量を算出し、スペクトルの変化量を研磨時間に沿って積算してスペクトル累積変化量を算出し、スペクトル累積変化量に基づいて基板の研磨の進捗を監視する。 (もっと読む)


【課題】シェービングカッタを刃付けすることによりシェービングカッタの外径及び歯厚が小さくなっても、適切な刃付けができる。
【解決手段】パソコン10では、歯形形状誤差補正用の補正係数(α)及び噛み合わせ位置補正用の補正係数(β)が、刃付け回数毎且つシェービングカッタのカッタ諸元毎に設定されている。そして、目標歯形形状データ(Do)と、目標歯形形状データ(Do)と歯形形状誤差データ(ΔD)との偏差である歯形形状誤差データ(ΔD)と、刃付け回数とカッタ諸元に応じて取り込んだ補正係数(α)及び補正係数(β)を、Dcc=Do+α・ΔD+βという式に適用して、狙い歯形形状データ(Dcc)を求め、狙い歯形形状データ(Dcc)からシェービングカッタ歯形形状データ(ds)を求める。 (もっと読む)


【課題】スラリーなどによる電気的な影響を受けずに、加工中に連続的に容易にワイヤ径を測定できるワイヤソー装置を得ること。
【解決手段】ワーク6を切削する前のワイヤ2が巻き付けられた巻き出し用ボビン10と、巻き出し用ボビン10から送り出されたワイヤ2が複数回掛け回される一対のガイドローラ1と、ガイドローラ1の一方を回転させてワイヤを走行させるモータと、ガイドローラ1の間に掛け回されたワイヤ2の表面にスラリー4を付着させるスラリーノズル7と、一対のガイドローラ1間でワーク6を切削した後のワイヤ2が巻き取られる巻取り用ボビン11とを有し、スラリー4が表面に付着したワイヤ2によってワーク6を切断するワイヤソー装置であって、巻き出し用ボビン10及び巻取り用ボビン11のワイヤ巻き径を測定する光学式変位センサ14と、光学式変位センサ14の測定結果に基づいて、ワイヤ2の摩耗量を算出する演算器16と、を有する。 (もっと読む)


【課題】異常状態データを的確に記憶し、異常原因の解析を容易にするワイヤソーを提供する。
【解決手段】複数の溝ローラー2間にワイヤ3を巻回してワイヤ列を形成し、このワイヤ列のワイヤ3を走行させ、加工物5を前記ワイヤ列に押し当てて加工物5を切り出すワイヤソー1において、ワイヤソー1の駆動状態に応じて変化する状態データを検出すると共に発生した異常を異常信号として検出する検出手段と、前記検出手段によって検出された状態データを所定時間単位に順次記憶すると共に記憶領域が不足した際に最も古い状態データに最新の状態データを上書き記憶するようにした記憶手段24と、前記記憶した状態データを表示する表示手段29とを設け、前記検出手段で異常信号を検出した際、所定時間の間、状態データを記憶するとともに所定時間経過後に状態データの記憶を停止させて記憶手段24に記憶された状態データを表示手段29に表示するワイヤソー。 (もっと読む)


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