【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用したときにＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分に対する高い研磨選択性を発揮することができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、平均一次粒子径が４０ｎｍ以下である砥粒と、酸化剤とを含有し、好ましくは研磨対象物のケイ素材料を含有する部分の表面ＯＨ基と結合してケイ素材料を含有する部分の加水分解を抑制する働きをするサプレッサー化合物をさらに含有する。あるいは、本発明の研磨用組成物は、砥粒と、酸化剤と、サプレッサー化合物とを含有する。研磨用組成物のｐＨは中性であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板端部の過研磨を効果的に抑制して、基板端部の研磨速度の精密な制御ができるようにする。
【解決手段】基板保持装置に用いられる弾性膜４であって、弾性膜４は、基板に当接して該基板を研磨パッドに向けて押圧する当接部４００を有し、当接部４００の下面は、平坦な平坦領域Ａと該平坦領域の外周部に位置して上方に立上る立上り領域Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】 金属研磨用スラリの評価につき、コストの低減とスピードアップを図ることができる、金属研磨用スラリの評価方法を提供する。
【解決手段】 金属研磨用スラリによりエッチングされた基板（Ｃｕ膜）の表面粗さ（Ｒａ）と、エッチング速度との関係を表す数式を導出し、前記数式を用いて、前記金属研磨用スラリとは異なる組成の金属研磨用スラリによりエッチングされた基板（Ｃｕ膜）の表面粗さから、エッチング速度を算出する金属研磨用スラリの評価方法。 （もっと読む）

【課題】基板との当接面を有する当接部自体の該当接面に沿った変形（伸び）を、当接部の中心部から外周部のほぼ全域に亘って均一に抑制できるようにする。
【解決手段】基板Ｗの外周部にリテーナリング３を位置させて基板Ｗを保持する基板保持装置１に用いられる弾性膜４であって、基板Ｗと当接する当接面４２ａを有する当接部４２と、当接部４２の外周端に連接されて上方に延びる第１周壁部４４と、第１周壁部４４の内側で当接部４２に連接されて上方に延び、外側に第１圧力室５が、内側に第２圧力室７がそれぞれ形成される第２周壁部４６とを備え、当接部４２は、そのほぼ全域に亘って、弾性膜４より剛性の高い補強部材５０により補強されている。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤソーを用いた被加工物の切断において、切断位置でのワイヤ張力を適切に制御することが可能な固定砥粒ワイヤソーによる加工方法及び該加工方法によって作製されたウエハを提供する。
【解決手段】１本の固定砥粒ワイヤ１０を、メインローラ１８Ａ，１８Ｂに一定ピッチで複数回巻き掛けて構成したワイヤ列２０をその長手方向に往復走行させ、往復走行するワイヤ列２０に被加工物５０を押し当てることで、被加工物５０を複数箇所で同時に切断して複数枚のウエハへと加工する固定砥粒ワイヤソー１において、往復走行の走行方向の反転タイミングを、ワイヤ繰り出し側における予め設定した基準位置にあるワイヤ部位の移動する距離が、メインローラ１８Ａ，１８Ｂに巻き回されているワイヤの長さ以上となる時点とした。 （もっと読む）

【課題】切断中にブレードの変位を安定的に抑制でき、これにより切断されたインゴットブロックやウェーハの切断面の品質を安定して保つことができ、ブレードの寿命を延長でき、切断速度を向上できるバンドソー切断装置及びインゴットの切断方法を提供する。
【解決手段】周回駆動されたブレードを静圧パッドによって案内しながら、ブレードをインゴットの上方から相対的に下方に送り出すことによってインゴットを切断するバンドソー切断装置であって、さらに、静圧パッドをブレードの周回方向に対して前後方向に移動させる駆動部と、該駆動部による静圧パッドの移動距離及び移動速度を制御する制御部とを有し、静圧パッドを制御部で移動制御しながらインゴットを切断するものであることを特徴とするバンドソー切断装置。 （もっと読む）

【課題】うねりの小さい基板を容易に製造できるようにした切断装置及び基板の製造方法、半導体ウエハを提供する。
【解決手段】一対のローラー１０間にワイヤー２０が巻き掛けられてワイヤー列２１が構成され、ワイヤー列２１を一対のローラー１０間で移動させながら当該ワイヤー列２１にインゴット１を押し当てて該インゴット１を切断するワイヤーソー１００であって、補助ローラー６０を備える。この補助ローラー６０は、ワイヤー列２１に対しインゴット１からの負荷がない状態で、ワイヤー列２１に当接してその張力を増加させる。 （もっと読む）

【課題】研磨対象膜の下層の金属材料の影響を排除し、渦電流センサを用いて、基板表面内の各領域での膜厚情報を取得することができ、得られた膜厚情報から基板の研磨終点を決定する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基板の研磨中に渦電流センサを基板の表面を横切るように移動させ、渦電流センサのインピーダンスの抵抗成分Ｘおよび誘導リアクタンス成分Ｙからなる座標Ｘ，ＹをＸ−Ｙ座標系上にプロットし、Ｘ−Ｙ座標系上に定義された複数のインピーダンスエリアにそれぞれ属する複数の座標Ｘ，Ｙを用いて、複数のインピーダンスエリアごとに複数の膜厚指標値を算出し、複数の膜厚指標値を用いて複数のインピーダンスエリアごとに基板の研磨終点を決定する。 （もっと読む）

【課題】上下両定盤の修正状態をできるかぎり同一として、マッチングのとれた定盤面を形成してワークを高精度で両面研磨する。
【解決手段】回転可能に配置された研磨用サンギア１１１と、研磨用サンギア１１１との間に環状領域１２１を形成するインターナルギア２２と、環状領域内に回転可能に配置された環状の下定盤２０と、下定盤２０の上側に回転可能に配置された環状の上定盤３０と、を備え、下定盤２０、上定盤３０、サンギア部材１１０、及びインターナルギア２２を夫々予め定めた回転方向、及び速度で回転させ、研磨キャリア１０で保持したワーク１１の両面研磨後、研磨用サンギア１１１に代えて、研磨用サンギア１１１のピッチ円径Ｒａより小さいピッチ円径Ｒｂを備えた修正用サンギア１１２を配置し、環状領域に研磨キャリア１０のピッチ円径ｒａより大きいピッチ円径ｒｂの修正キャリア２３０を配置し、下定盤２０、及び上定盤３０の修正を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨中にノズルにより研磨パッドに気体を吹き付けて研磨パッドの表面の温度を制御することによりディッシングやエロージョン等を防止することができるとともに研磨パッド上の研磨液が飛散してノズルやノズル取付部品等に付着する量を減らすことができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル１上の研磨パッド２に基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッド２に向けて気体を噴射する少なくとも１つの気体噴射ノズル２４を有し、研磨パッド２に気体を吹き付けて研磨パッド２の温度を調整するパッド温度調整機構２２と、研磨パッド２に向けて液体又は気体と液体の混合流体を噴射する少なくとも１つのノズルを有し、研磨パッド２に液体又は混合流体を吹き付けて研磨パッド上の異物を除去するアトマイザ３０とを備え、パッド温度調整機構２２とアトマイザ３０とは一体のユニットとして形成されている。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤソーを用いた半導体インゴットの切断効率を向上するのに好適な半導体インゴットの切断方法及び固定砥粒ワイヤソーを提供する。
【解決手段】固定砥粒ワイヤ１０を、メインローラ１８Ａ，１８Ｂに複数回巻き掛けて構成したワイヤ列２０をその長手方向に走行させて、走行するワイヤ列２０に半導体インゴット５０を押し当てることで、半導体インゴット５０を複数箇所で同時に切断して複数枚のウエハへと加工するに際して、切断時のワイヤ走行速度Ｖｗを、１００[ｍ／ｍｉｎ]＜Ｖｗ＜４００[ｍ／ｍｉｎ]の範囲内の速度とした。 （もっと読む）

【課題】コンディショニングされる研磨パッドの表面状態や性能を予測できるコンディショナの評価方法を確立し、コンディショナの評価データを蓄積したデータベースと組合せることにより、コンディショナの性能評価と、コンディショニング条件を導き出し、適切なコンディショニングを可能とする。
【解決手段】評価対象のコンディショナ１の砥粒面を、樹脂板２の表面に押圧接触させた状態で１回転させて前記表面に切削痕３を形成し、切削痕３が形成された表面の断面プロファイルを測定し、得られた断面プロファイルに基づいて、当該コンディショナの評価項目として、切削痕の粗さ、切削痕の高さ頻度分布および切削痕の幅の総和の少なくともいずれか一つを求めるようにしている。 （もっと読む）

【課題】基板を研磨するためのケミカルメカニカルポリッシング組成物濃縮物の複数の希釈液を用いる、窒化ケイ素上に堆積したポリシリコンのオーバーバーデンを有する基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法
【解決手段】基板を研磨するために使用される濃縮物の第１の希釈液は、第１のポリシリコン除去速度及び第１のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整され；基板を研磨するために使用される濃縮物の第２の希釈液は、第２のポリシリコン除去速度及び第２のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリンダブロックのボアを高い真円度で加工する。
【解決手段】ウォータージャケット溝４の内周に規制部材３０を挿入することにより、ボア周壁５が規制部材３０により外径側から支持されるため、ボア内周面３ａを加工する際の外径向きの加圧力Ｐによるボア周壁５の外径方向への変形が規制され、ボア３の真円度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】定盤の研磨面を高精度に平坦にすることが可能な修正キャリア及び研磨装置を提供する。
【解決手段】両面研磨装置２２の定盤２５，２７の研磨面２５ａ，２７ａを平坦に研磨するために用いられる、厚さ方向の貫通孔１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを備えている修正キャリア１であって、前記貫通孔１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄは主面の中心を避けた位置にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】上研磨布の研磨作用面と下研磨布の研磨作用面との平行度を高めて、両面研磨後のウェーハの高平坦度化が可能な両面研磨装置の研磨布ドレッシング方法を提供する。
【解決手段】ドレッシング時、例えば第１のドレスプレートのリング形状の第１のドレス工具により、上研磨布の研磨作用面のうち、その中央部より隆起した外周部を主にドレッシングする。これと同時に、例えば、第２のドレスプレートの矩形状の第２のドレス工具によって、下研磨布の研磨作用面のうち、その外周部より隆起した中央部を主にドレッシングする。これにより、従来法の等量ドレッシングを施した場合に比べて、上研磨布の研磨作用面と下研磨布の研磨作用面との平行度が高まり、両面研磨後のウェーハの平坦度を高めることができる。 （もっと読む）