【課題】基板端部の過研磨を効果的に抑制して、基板端部の研磨速度の精密な制御ができるようにする。
【解決手段】基板保持装置に用いられる弾性膜４であって、弾性膜４は、基板に当接して該基板を研磨パッドに向けて押圧する当接部４００を有し、当接部４００の下面は、平坦な平坦領域Ａと該平坦領域の外周部に位置して上方に立上る立上り領域Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】研磨速度や研磨形状の変化に合わせて、最適な研磨条件で研磨処理を自動で実行できるようにする。
【解決手段】ステップ１で研磨前の基板の基板（ウェハ）の膜厚を測定する。次に、ステップ２で目標研磨量の半分程度を反りなし形状の研磨レシピ（Ｒｆ）で研磨する。そして、ステップ３で研磨後の基板の膜厚を測定する。このあと、ステップ４で研磨前後の基板の膜厚の測定結果により、（反りなし形状に対応する研磨後の式Ｆ）の結果の予想との誤差を（山型反り形状に対応する研磨後の式Ｙ）、（谷型反り形状に対応する研磨後の式Ｔ）に補正し、残りの研磨量の各測定点が最小になるように、山型反り形状の研磨レシピ（Ｒｙ），谷型反り形状の研磨レシピ（Ｒｔ）それぞれの追加研磨時間を求める。そして、ステップ５で、山型反り形状の研磨レシピ（Ｒｙ），谷型反り形状の研磨レシピ（Ｒｔ）で追加研磨時間だけ研磨除去する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨したときに、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に生じるのを抑えることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、砥粒、酸化剤、及び水溶性重合体を含有する。水溶性重合体は、研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置したときに、砥粒の表面積１μｍ^２あたりに５０００個以上の分子が吸着するものであってもよい。あるいは、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した後の研磨対象物のＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分の水接触角を小さくするような化合物であってもよい。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分を同時に研磨する目的での使用に適した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、異形の砥粒と、標準電極が０．３Ｖ以上である酸化剤とを含有し、好ましくはアンモニウム塩などの塩をさらに含有する。研磨用組成物のｐＨは１〜６又は８〜１４である。 （もっと読む）

【課題】基板との当接面を有する当接部自体の該当接面に沿った変形（伸び）を、当接部の中心部から外周部のほぼ全域に亘って均一に抑制できるようにする。
【解決手段】基板Ｗの外周部にリテーナリング３を位置させて基板Ｗを保持する基板保持装置１に用いられる弾性膜４であって、基板Ｗと当接する当接面４２ａを有する当接部４２と、当接部４２の外周端に連接されて上方に延びる第１周壁部４４と、第１周壁部４４の内側で当接部４２に連接されて上方に延び、外側に第１圧力室５が、内側に第２圧力室７がそれぞれ形成される第２周壁部４６とを備え、当接部４２は、そのほぼ全域に亘って、弾性膜４より剛性の高い補強部材５０により補強されている。 （もっと読む）

【課題】 金属研磨用スラリの評価につき、コストの低減とスピードアップを図ることができる、金属研磨用スラリの評価方法を提供する。
【解決手段】 金属研磨用スラリによりエッチングされた基板（Ｃｕ膜）の表面粗さ（Ｒａ）と、エッチング速度との関係を表す数式を導出し、前記数式を用いて、前記金属研磨用スラリとは異なる組成の金属研磨用スラリによりエッチングされた基板（Ｃｕ膜）の表面粗さから、エッチング速度を算出する金属研磨用スラリの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用したときにＩＩＩ−Ｖ族化合物材料を含有する部分に対する高い研磨選択性を発揮することができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、平均一次粒子径が４０ｎｍ以下である砥粒と、酸化剤とを含有し、好ましくは研磨対象物のケイ素材料を含有する部分の表面ＯＨ基と結合してケイ素材料を含有する部分の加水分解を抑制する働きをするサプレッサー化合物をさらに含有する。あるいは、本発明の研磨用組成物は、砥粒と、酸化剤と、サプレッサー化合物とを含有する。研磨用組成物のｐＨは中性であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ガラス等の研磨性を確保しつつ、酸化セリウム量を低減できる研磨材を提供する。
【解決手段】本発明の研磨材は、酸化ジルコニウムからなる基粒子により形成されたコア部と、該基粒子よりも粒径が小さく酸化セリウムからなる微粒子が該基粒子の外表面上に結合または生成して形成されたシェル部とにより構成された複合砥粒を含むことを特徴とする。この複合砥粒は、研磨性に影響するシェル部に酸化セリウムからなる微粒子を有し、研磨性に直接影響しないコア部はそれより比重の小さい酸化ジルコニウム粒子（基粒子）からなる。このため、酸化セリウムによる研磨性の確保と酸化セリウムの低減が両立されることに加えて、複合砥粒のスラリー中における分散安定性も高まり、さらなる研磨性の向上も図られる。 （もっと読む）

【課題】スラリーの供給不足をより確実に検出できる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨装置は、ウェハＷを保持する保持機構１０と、保持機構１０に保持されたウェハＷを研磨する研磨パッド２１とを備え、保持機構１０に保持されたウェハＷの被研磨面Ｗａに研磨パッド２１を当接させながら相対移動させてウェハＷの研磨加工を行うように構成された研磨装置１において、被研磨面Ｗａと研磨パッド２１との当接部にスラリー３１を供給するスラリー供給機構３０と、被研磨面Ｗａにプローブ光を照射する光源４１と、プローブ光が照射された被研磨面Ｗａからの反射光を検出する光検出器４３と、光検出器４３に検出された反射光の情報に基づいて研磨加工の終点を検出するとともに当該反射光の情報に基づいてスラリー３１の供給状態を判定する制御装置５０とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】ガラス研磨を行った後、ガラスをパッドから剥離させる時に、ガラスの割れを防止可能なガラス研磨方法を提供する。
【解決手段】定盤１の表面に、少なくとも、ウレタンシート２０とエラストマーシート２１からなる積層シート２を貼り付ける工程と、積層シート２の表面に研磨対象のガラスＧを貼り付ける工程と、ガラスＧの表面を研磨する工程と、研磨工程後、ガラスＧと共に積層シート２の端部を定盤１から剥離させる工程と、剥離工程の途中でガラスＧと積層シート２の間に空気層Ａを形成させた後、ガラスＧのみを積層シート２から分離させる工程と、を有し、ウレタンシート２０は、表面スキン層２０ａとセル層２０ｂからなり、表面スキン層２０ａ側にガラスＧを貼り付け、セル層２０ｂ側をエラストマーシート２１と結合している。 （もっと読む）

【解決手段】（ｉ）−［バリン-プロリン−グリシン−バリン−グリシン］−で示されるペンタペプチドを繰り返し単位として有し、分子量が８００〜１５０，０００である、オリゴペプチド又は上記ペンタペプチドとこれと共重合可能な他の単量体との共重合体、
（ｉｉ）コロイド溶液
を含む合成石英ガラス基板用研磨剤。
【効果】本発明によれば、特にフォトマスク、ナノインプリント、磁気ディスク等の半導体関連材料において重要な光リソグラフィー法に使用される合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、基板表面の高感度欠陥検査装置で検出される欠陥を少なくすることができ、しかも長い研磨ライフで使用することができるため、製造の品質の向上だけではなく、環境への負荷やコストの観点からも有益になる。 （もっと読む）

【課題】無機絶縁膜層等の被研磨面を、研磨傷の発生を抑え、かつ高速で研磨することが可能な研磨剤及び研磨方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物粒子及び媒体を含有する研磨剤であって、前記金属酸化物粒子が、金属塩、高分子化合物、及び高沸点有機溶媒を含有する混合物を加熱することにより生成する金属酸化物を焼成して得られる金属酸化物粒子を含む、研磨剤。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研磨時に欠陥の原因となる粗大粒子が従来に比べて大幅に低減された、また、これによりウェーハの研磨時において、ウェーハ表面のナノオーダーの欠陥を低減できる研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スラリー原液と純水とを混合した研磨スラリーを研磨装置に供給する供給方法であって、計量された前記スラリー原液に対して前記純水を単位時間当たりに所定量加えるように制御しながら前記スラリー原液と前記純水とを混合する工程と、該混合された研磨スラリーを前記研磨装置に供給する工程とを含むことを特徴とする研磨スラリーの供給方法。 （もっと読む）

【課題】研磨中の発熱によってプラテンが熱変形するのを防止するとともに圧力分布変化を最小限に抑えたプラテンシートを提供する。
【解決手段】スラリを滴下供給しながらウェーハと研磨パッド５０を相対的に摺接して研磨を行う研磨装置１０において、ウェーハを全面で減圧して平面矯正して取り付けるウェーハ保持台２０と、プラテン３０上に敷設固定されて所望の圧力分布を形成された圧縮変形板４０と、圧縮変形板４０上に研磨パッド５０を張り上げて固定する張上機構とを有し、研磨パッド５０は、圧縮変形板４０上に敷設されて撓み変形によって変位可能な撓み変形シート５２と、撓み変形シート５２上に敷設されて滴下されたスラリを保持する表層パッド５１とを備え、ウェーハの反りを修正しながら、ウェーハの平均化を行うように構成した。 （もっと読む）

【課題】研磨対象膜の下層の金属材料の影響を排除し、渦電流センサを用いて、基板表面内の各領域での膜厚情報を取得することができ、得られた膜厚情報から基板の研磨終点を決定する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基板の研磨中に渦電流センサを基板の表面を横切るように移動させ、渦電流センサのインピーダンスの抵抗成分Ｘおよび誘導リアクタンス成分Ｙからなる座標Ｘ，ＹをＸ−Ｙ座標系上にプロットし、Ｘ−Ｙ座標系上に定義された複数のインピーダンスエリアにそれぞれ属する複数の座標Ｘ，Ｙを用いて、複数のインピーダンスエリアごとに複数の膜厚指標値を算出し、複数の膜厚指標値を用いて複数のインピーダンスエリアごとに基板の研磨終点を決定する。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨中にシリコン層の正確な厚さを取得し、得られたシリコン層の厚さに基づいて基板の研磨終点を正確に決定することができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本研磨方法は、基板から反射した赤外線の強度を所定の基準強度で割って相対反射率を算出し、相対反射率と赤外線の波長との関係を示す分光波形を生成し、分光波形にフーリエ変換処理を行なって、シリコン層の厚さおよび対応する周波数成分の強度を決定し、上記決定された周波数成分の強度が所定のしきい値よりも高い場合には、上記決定されたシリコン層の厚さを信頼性の高い測定値と認定し、該信頼性の高い測定値が所定の目標値に達した時点に基づいて、基板の研磨終点を決定する。 （もっと読む）