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Fターム[4G001BA62]の内容

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Fターム[4G001BA62]に分類される特許

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【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】接合強度の向上を図った中空構造のBC/Si複合材料接合体を得ることが可能なBC/Si複合材料体の接合方法を提供する。
【解決手段】複数のBC/Si複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で接合面に対して0.02MPa〜8.0MPaの圧力を加えた状態で、1000℃〜1385℃に加熱して保持することにより接合する。 (もっと読む)


【課題】複合材料における強化材の充填率を高くすることができる複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素および炭化ケイ素のそれぞれの強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、炭化ホウ素の粉粒体に液体フェノールをバインダとして加え、セディメント成形する工程と、セディメント成形の結果、作製されたプリフォームに金属ケイ素を含浸させる工程とを含む。これにより、プリフォームにおける炭化ホウ素粒子の充填阻害を回避し、充填率を高く維持でき、製造した複合材料における炭化ホウ素粒子の充填率を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】焼結助剤の種類を限定することなく、より迅速に窒化ケイ素焼結体を得ることができる、窒化ケイ素焼結体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化ケイ素焼結体の製造方法であって、(1)ケイ素粒子および還元作用と窒化促進作用を有する成分を含む原料を準備する工程と、(2)窒素ガスを含む環境下で、前記原料中のケイ素を窒化ケイ素に変化させる工程と、(3)窒素ガスを含む環境下、1600℃〜1950℃の温度で、前記窒化ケイ素を焼結させる工程と、を有する製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、CBN成形体であって、それの表面に耐熱性物質層が結合されている該CBN成形体を製造するその場(in−situ)方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、CBN(立方晶窒化ホウ素)成形体であって、その表面に耐熱性物質層が結合されている該立方晶窒化ホウ素成形体を製造する方法において、CBN粒子塊を、前記耐熱性物質層を形成することのできる材料と接触させて配置することによって、反応集合体を作る工程と、前記反応集合体を、CBN成形体を形成するのに適した高温高圧条件にさらす工程と、を含む、上記方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、より効率的に機能する、即ち耐摩耗性、熱伝導性、耐衝撃性及び耐熱性の向上を示す改良型CBN系材料を開発することである。
【解決手段】本発明は、少なくとも70体積パーセントの量で存在する立方体窒化ホウ素粒子の多結晶塊と、性質上金属であるバインダ相とを含む立方体窒化成形体に向けられる。本発明は、バインダ相が好ましくは性質上超合金である成形体に及ぶ。 (もっと読む)


【課題】ケイ素の融着を防ぎ、燃焼合成反応によるサイアロンの合成の効率を向上させる合成方法及び高純度のサイアロンを提供する。
【解決手段】窒素雰囲気下で燃焼合成反応によりケイ素及びアルミニウムを原料としてサイアロンを合成する方法において、さらに含水アルミナケイ酸塩を原料として前記燃焼合成反応を行う。燃焼合成反応により反応系の温度は上昇するが、含水アルミナケイ酸塩の脱水反応が吸熱反応であるために反応系の温度が低下するので、ケイ素の融解反応を遅延させつつも反応の継続には支障のない温度に保つことができるので、燃焼合成反応によるサイアロンの合成の効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】セラミックス充填率が低く尚且つ均質な金属−セラミックス複合材料からなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、セラミックス及びマトリックス金属からなる多孔質焼結体に金属を含浸させてなり、セラミックスがSiC、Al、Siの何れかであり、マトリックス金属及び金属が同種でSi、Al、Cuの何れかであり、セラミックスの充填率が20〜50体積%である金属−セラミックス複合材料からなる。 (もっと読む)


【課題】低コストで炭化ホウ素プリフォームにケイ素を含浸でき、ケイ素含浸中にクラックの発生を防止できる複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素10の強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、炭化ホウ素10の粒子表面に炭素成分20をコーティングしたプリフォームを作製する工程と、前記作製されたプリフォームに金属ケイ素を含浸させる工程と、を含む。これにより、プリフォーム中の炭化ホウ素10の粒子表面が炭素成分20でコーティングされ、金属ケイ素の含浸時に直接に炭化ホウ素10がケイ素に触れることを防止できる。また、表面にコーティングされた炭素成分20がケイ素と反応して炭化ケイ素30になるため、炭化ホウ素10の粒子表面が炭化ケイ素30に覆われ、炭化ホウ素10の粒子が保護される。 (もっと読む)


【課題】導電性と高い熱伝導率を有すると共に、高剛性で耐摩耗性に優れたSiC/Si複合材料を提供する。
【解決手段】SiC/Si複合材料は、SiC粒子の間にSiが充填された構造を有し、SiCの充填率ξが86〜94体積%であり、断面組織におけるSiスポットの最近接重心間距離が10〜80μmである。そして、断面組織におけるSiスポットの平均直径が1〜20μmである。 (もっと読む)


【課題】製造時に亀裂の発生が抑制された、表層と基材内部の物性が異なる複合セラミックスとその製造方法を提供する。
【解決手段】マトリックス中に強化材が含まれてなる複合セラミックスであって、前記強化材の単位体積当たりの含有率が、前記複合セラミックス表面および表面近傍で最小値をとり、続いて表面から深さ方向に対して漸増して、その後一定値に達することを特徴とし、さらに強化材の含有率が、深さ方向に対して直線状、階段状、漸近曲線状のいずれか1つの形状で漸増する、マトリックスが炭化ケイ素とシリコンと炭素からなり、強化材が炭素繊維であるとより好ましい。 (もっと読む)


【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び/または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び/または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び/または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相10と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相20とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 (もっと読む)


【課題】より容易に電極部を形成すると共に、体積抵抗率をより低減する。
【解決手段】ハニカム構造体20は、流体の流路となる複数のセル23を形成する隔壁部22を備えている。このハニカム構造体20は、隔壁部22の一部に形成されSiC相とSi酸化物とAl酸化物とアルカリ土類金属酸化物とを含む酸化物相と金属Siと金属Alとを含み金属Siと該金属Alとの総量に対する金属Alの割合が0.001mol%以上20mol%以下である金属相とを有する電極部32と、隔壁部22の一部であり電極部32より体積抵抗率が高い発熱部34とを備えている。このハニカム構造体は、SiC相とSi酸化物を含む酸化物相とを有するハニカム基材の一部の表面に、金属Siと金属Alとを含む含浸基材とアルカリ土類金属の化合物とを形成し、不活性雰囲気下で加熱して金属Si及び金属Alをハニカム基材の気孔内に含浸させて得る。 (もっと読む)


【課題】
高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
本発明によれば、バリウムと平均粒径5mm以下のシリコン粉末を用いて、珪化バリウム多結晶体とすることで、珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の最大直径が150μm以下であって、密度が3.0g/cm以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体を製造する。 (もっと読む)


【課題】コストがかからず、高温での強度も十分高いSi−SiC系複合材料を提供する。
【解決手段】Si−SiC系複合材料を以下の手順で製造する。まず、SiC成形体と金属Siとを、金属Siが加熱溶融したあとSiC成形体と接触するように配置し、酸化物の標準生成自由エネルギーの負の絶対値がSiより大きい元素からなる易酸化性金属(例えば金属Al)を含む混合物を共存させた状態で、常圧下、Arガス雰囲気中、1400〜1800℃で加熱処理することにより、溶融した金属Siを前記SiC成形体に含浸させる。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率の高い窒化ケイ素系セラミックスを容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素粉末である原料粉末と焼結助剤とを混合する混合工程と、上記混合工程により得られた混合粉を成形して圧粉体を生成する成形工程と、上記圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより窒化ケイ素系セラミックスの焼結体を生成する焼結工程とを含み、上記混合工程において、焼結助剤として、上記原料粉末と上記焼結助剤との合計重量に対する重量比がa重量%のYと、b重量%のHfOと、c重量%(cは0以上1以下)のSiOとを添加し、MgOを添加せず、さらに、b/aが1以上2以下となり、かつ、a+b+cが5.5重量%以上11重量%以下となるように焼結助剤を添加する。 (もっと読む)


【課題】金属Siの窒化過程において、金属Siの噴出を抑制する窒化ケイ素系セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法は、金属Siを窒化する窒化ケイ素系セラミックスの製造方法において、金属Si、焼結助剤、および、加熱することによって気孔を形成する造孔剤を含む混合物の圧紛体を加熱して、上記圧紛体中の金属Si間に気孔を形成する造孔工程と、上記造孔工程にて得られた、気孔が形成された金属Siおよび焼結助剤を含む多孔体を、窒素雰囲気下にて焼成して反応焼結体を得る窒化工程と、窒化工程での反応焼結体を焼成した窒化温度を超える温度にて反応焼結体を焼成して緻密化し、最終焼結体を得る緻密化工程と、を含む (もっと読む)


【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性セラミックス焼結体は、ドーパントを含む半導体セラミックスの第一相10と、非導電性セラミックスの第二相20とを具備し、第二相が第一相に取り囲まれて散在している海島構造を有する。上記構成において、第一相は、第一相全体におけるドーパントの平均濃度よりドーパントの濃度が高く、第二相を被覆しているD高濃度相11と、第一相全体におけるドーパントの平均濃度よりドーパントの濃度が低いD低濃度相12とからなるものとすることができる。 (もっと読む)


【課題】 YSiAlONの結晶が存在した場合でも破壊靭性を低下させることなく、強度に優れた窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化珪素の結晶を主相とし、粒界相にYSiAlONの結晶およびYSiAlONの結晶が存在する窒化珪素質焼結体である。これにより、強度に優れた窒化珪素質焼結体とすることができる。 (もっと読む)


【課題】機械的強度に優れた窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素粉末およびSi粉末原料に、焼結助剤として、イットリア、アルミナ、シリカ粉末を加え、成形、焼成することにより、窒化珪素の結晶を主相とし、粒界相にYSiAlONの結晶が存在する、強度に優れた窒化珪素質焼結体とすることができる。 (もっと読む)


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