【課題】３Ａ族の酸化物をはじめとする焼結助剤は含有しておらず、研削加工を行っても表面粗さの小さい窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】耐食性を有する純度９９％以上の窒化アルミニウム焼結体であって、密度が３．２０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以上であり、Ｃａを２００ｐｐｍ以上４００ｐｐｍ以下、Ｓｉを１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、Ｃを２２０ｐｐｍ以上１５００ｐｐｍ以下含有する。窒化アルミニウム焼結体は、３Ａ族の酸化物をはじめとする焼結助剤を含有せず、緻密化を促進する物質であるＣａと阻害する物質であるＳｉおよびＣを所定量含有する。これにより、研削面において窒化アルミニウム焼結体の表面粗さを小さくすることが可能となる。その結果、研削面の表面積が小さくなり、窒化アルミニウム焼結体の耐食性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】常温下と高温下の双方の雰囲気下においても、高強度を有する炭化珪素焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素粉末を得る、炭化珪素粉末製造工程と、得られた炭化珪素粉末を焼結して、炭化珪素焼結体を得る、焼結工程を含む、炭化珪素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 加工性が良く、色ムラの発生が無く、高温（１５００℃）曲げ強が高く、耐熱性の良好なＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を提供する
【解決手段】
窒化硼素２．５〜５０質量％、炭化珪素４７〜９７質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５〜３質量％未満の相対密度９７．５％以上、Ａｒガス中の２０００℃で１０時間加熱後の質量減少率が０．５質量％以下であるＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体。比表面積１１ｍ^２／ｇ以上で酸素含有量が１３．３４×Ａ^{−０．５８}以下の窒化硼素が２．５〜５０質量％、比表面積８ｍ^２／ｇ以上の炭化珪素が４７〜９７質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５質量％以上３質量％未満の混合粉末であり、酸素量が１．１０質量％以下、比表面積が１０〜４５ｍ^２／ｇである混合粉末を非酸化性雰囲気で圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１８００〜２１５０℃、保持時間１〜６時間のホットプレス焼結で焼結するＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 冷却効率が良好で、密着強度が高く信頼性に優れた半導体製造装置用部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体製造装置用部材は、窒化アルミニウム質基体１の表面に水酸化アルミニウムからなる被膜（水酸化アルミニウム膜２）が設けられていることを特徴とするものである。これにより、水酸化アルミニウム膜２は水分との濡れ性がいいので、水酸化アルミニウム膜２から窒化アルミニウム質基体１への伝熱が良くなり、冷却効率が良好な半導体製造装置用部材を実現できる。また、水酸化アルミニウム膜２と窒化アルミニウム質基体１との界面へのクラックの発生が抑制され、密着強度が高く信頼性に優れたものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】高い硬度と高い靭性を有する焼結体を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼結体は、工具用の焼結体であって、酸窒化アルミニウムと、第５族元素〜第１０族元素の遷移金属、該遷移金属の窒化物、炭化物、およびホウ化物から選択される少なくとも１種を含む結合材と、ウィスカーと、を含み、焼結体における酸窒化アルミニウムの含有量が２０体積％以上８０体積％以下である、焼結体である。 （もっと読む）

【課題】
高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
本発明によれば、バリウムと平均粒径５ｍｍ以下のシリコン粉末を用いて、珪化バリウム多結晶体とすることで、珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の最大直径が１５０μｍ以下であって、密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体を製造する。 （もっと読む）

【課題】六方晶系窒化ホウ素を快削性付与剤として含み、より低温で焼成可能であって、かつ、無加圧下で製造が可能な快削性セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】粒子の表面のみならず内部にも酸素が含まれている快削性付与剤としての六方晶系窒化ホウ素粉体と、基材としてのセラミックス粉体（ただし六方晶系窒化ホウ素は除く）とを混合して焼結用混合粉とし（混合工程）、該焼結用混合粉を圧力成形してプレ成形体とし（プレ成形工程）、プレ成形体を非酸化性ガス雰囲気下又は真空中において焼結する（焼結工程）。 （もっと読む）

【課題】
低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるＧａ／（Ｇａ＋Ｎ）のモル比が５５％以上８０％以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。 （もっと読む）

【課題】
低酸素含有量窒化ガリウム焼結体ならびに低酸素含有量窒化ガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
第１形態によれば、２．５ｇ／ｃｍ^３以上５．０ｇ／ｃｍ^３未満である窒化ガリウム焼結体を作成し、該焼結体をアンモニア含有雰囲気にて加熱処理することで、Ｘ線回折における窒化ガリウム（００２）面のピーク強度に対する酸化ガリウム（００２）面のピーク強度比が３％未満である低酸素含有量窒化ガリウム焼結体を作成する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性を向上でき、またそのばらつきを効果的に抑制することができる窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 単結晶試料についてラマン分光分析を行ったときの１２００ｃｍ^−１での散乱強度を基準散乱強度レベルＸ0として、その基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度にて表した、５００〜５３０ｃｍ^−１に出現する最強の散乱ピークの高さをＹkとし、また、焼結体のラマン分光分析を行ったときのスペクトルプロファイルの、１２００ｃｍ^−１における基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度Ｙ1として、Ｙ1のＹkに対する比Ｙ1／Ｙkを０．４以上とする。これにより、窒化珪素質焼結体の耐摩耗性を向上させることができ、また、そのばらつきも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウムを焼結助剤とする窒化アルミニウム焼結体を１７５０℃を超える高温下で処理して加工物を製造する際、熱処理時の熱変形を抑制し、且つ、良好な熱伝導特性を有する加工物を得るための方法を提供する。
【解決手段】上記熱処理に供する窒化アルミニウム焼結体として、粒界相にＹＡＧ（３Ｙ_２Ｏ_３・５Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相とＹＡＰ（Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相が共存し、且つ、上記ＹＡＧ結晶相、ＹＡＰ結晶相に対するＹＡＭ（２Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相の存在割合が、窒化アルミニウム（１００）面に対するＹＡＧ結晶相（２１１）面、ＹＡＰ結晶相（２２０）面及びＹＡＭ結晶相（２１０）面のＸ線回折パターンの強度比の合計の１０％以下である窒化アルミニウム焼結体を使用する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】 色ムラの発生が無く、加工性、強度、耐熱性の良好なＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を提供する。
【解決手段】
窒化硼素１０〜４０質量％、炭化珪素５８〜８８質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５〜３質量％未満の相対密度９７％以上、曲げ強さ３００ＭＰa以上、Ａｒガス中の２０００℃で１０時間加熱後の質量減少率が０．６質量％以下であるＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体。
比表面積１０ｍ^２／ｇ以上で酸素含有量が１８．５×（混合粉末中のＢＮ質量％）^{−０．６５７}以下の窒化硼素が１０〜４０質量％、比表面積７ｍ^２／ｇ以上の炭化珪素が５８〜８８質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５質量％以上３質量％未満の混合粉末であり、酸素量が１．２０質量％以下、比表面積が８〜４５ｍ^２／ｇの混合粉末を非酸化性雰囲気で圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１８５０〜２１５０℃、保持時間１〜６時間のホットプレス焼結するＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、本発明は、プラズマガス耐性、高熱伝導を有し、優れた光学特性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体の製造方法は、窒化アルミニウム粉末とアルカリ土類系酸化物の焼結助剤とを特定の配合比で含む混合物からなる成形体を、還元雰囲気下の特定条件での焼成、特定条件でのアニールすることに特徴があり、この製造方法により、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、１８０ｐｓ(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が９０％以上であることを特徴とし、好ましくは２００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体が得られる。 （もっと読む）

【課題】元来の出発原料を用いた場合と同程度の熱伝導率、強度、気孔率等の特性を有するとともに、歩留まりの向上とコスト削減が可能である炭化珪素ハニカム構造体の製造方法及び炭化珪素ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】炭化珪素質ハニカム構造体の製造過程で発生した当該ハニカム構造体の出発原料に由来する回収物から再生された再生原料を、出発原料の一部として用いたハニカム構造体の製造方法であって、再生原料が、出発原料を焼成した後の工程における前記炭素珪素ハニカム構造体を構成する材料から回収されるものである。そして、その再生原料の平均粒子径を５〜１００μｍとした後に、出発原料の一部として出発原料全体に占める割合が５０質量％以下となるように添加し、これを用いて炭化珪素ハニカム構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素焼結体からなる耐摩耗性部材において、強度や破壊靭性に加えて、転がり寿命などの摺動特性を向上させる。
【解決手段】耐摩耗性部材は、窒化ケイ素粉末に、希土類化合物を酸化物に換算して０．５〜１０質量％、チタン化合物を窒化チタンに換算して０．１〜５質量％、酸化アルミニウムを０．１〜５質量％、および窒化アルミニウムを５質量％以下の範囲で添加した混合原料粉末を成形、焼結してなる窒化ケイ素焼結体を具備する。該窒化ケイ素焼結体は、長軸径が１μｍ以下の窒化チタン粒子を０．２〜５質量％含有する。該窒化チタン粒子は、アスペクト比が１．０〜１．２の範囲の粒子を８０％以上含む。該窒化ケイ素焼結体は気孔率が０．５％以下である。 （もっと読む）

【課題】炭化ホウ素セラミックスが本来有する高い比剛性を著しく損なうことなく、構造材料とした場合の課題であった破壊靱性値を改善し、比較的高強度化を維持でき、高速で可動する用途に使用した場合の信頼性をも満足できる炭化ホウ素系セラミックスの提供。
【解決手段】室温での曲げ強度が２００ＭＰａ以上、破壊靱性値が２．５ＭＰａ・ｍ^0.5以上であり、かつ、比剛性が１５０乃至１８０ＧＰａ・ｃｍ³／ｇである炭化ホウ素−炭化ケイ素複合セラミックスであって、少なくとも、炭化ホウ素の含有量が５０質量％よりも多く、炭化ケイ素の含有量が５０質量％未満であり、遊離炭素及びその他の成分の合計含有量が３質量％以下であり、該その他の成分のうちの１つであるアルミニウムの含有量が１質量％以下である組成を有し、かつ、セラミックス中の粒子サイズの平均粒径が２０μｍ以下である炭化ホウ素−炭化ケイ素複合セラミックス及び、その製造方法。 （もっと読む）

【課題】ターゲットとして好適な酸素、炭素量が少なく、高純度であって、焼結助剤を用いることなく密度を向上させたホウ化ランタン焼結体を提供する。
【解決手段】（ａ）平均粒径が１〜５μｍ、炭素量が０．１質量％未満及び酸素量が１．０質量％未満であるホウ化ランタン粉末Ａと、平均粒径が５０〜５００ｎｍのホウ化ランタン粉末Ｂとの混合粉末を得る混合工程と、（ｂ）前記（ａ）工程で得られた混合粉末を焼結する焼結工程とを有するホウ化ランタン焼結体の製造方法により、炭素量が０．１質量％未満、酸素量が０．５質量％未満及び相対密度が９３％以上であるホウ化ランタン焼結体が得られる。 （もっと読む）

炭化ケイ素焼結体の形成方法は、約３重量％未満の酸素含有率を有し、約８ｍ^２／ｇ〜約１５ｍ^２／ｇの範囲の表面積を有する炭化ケイ素粉末を、炭化ホウ素粉末および炭素焼結助剤と混合して炭化ケイ素素地を形成する工程を含む。あるいは、炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素粉末を、約５ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲の平均粒径を有する炭化チタン粉末とおよび炭素焼結助剤と混合して炭化ケイ素素地を形成する工程を含む。別の代替手段においては、炭化ケイ素焼結体の形成方法は、炭化ケイ素粉末を、炭化ホウ素粉末、炭化チタン粉末、および炭素焼結助剤と混合して炭化ケイ素素地を形成する工程を含む。焼結後に、炭化ケイ素体は、炭化ケイ素の理論密度の少なくとも９８％の密度を有する。
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