【課題】高い硬度と高い靭性を有する焼結体を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼結体は、工具用の焼結体であって、酸窒化アルミニウムと、第５族元素〜第１０族元素の遷移金属、該遷移金属の窒化物、炭化物、およびホウ化物から選択される少なくとも１種を含む結合材と、ウィスカーと、を含み、焼結体における酸窒化アルミニウムの含有量が２０体積％以上８０体積％以下である、焼結体である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＣＢＮ成形体であって、それの表面に耐熱性物質層が結合されている該ＣＢＮ成形体を製造するその場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、ＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）成形体であって、その表面に耐熱性物質層が結合されている該立方晶窒化ホウ素成形体を製造する方法において、ＣＢＮ粒子塊を、前記耐熱性物質層を形成することのできる材料と接触させて配置することによって、反応集合体を作る工程と、前記反応集合体を、ＣＢＮ成形体を形成するのに適した高温高圧条件にさらす工程と、を含む、上記方法である。 （もっと読む）

【課題】 高い精度で熱膨張が制御可能な金属基複合材料を実現する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、少なくともある温度範囲で負の熱膨張を示す逆ペロフスカイト型マンガン窒化物の粉末と、金属相となる組成の単体金属または金属合金の粉末とを混合した混合粉を密閉状態において加熱することにより、金属相と逆ペロフスカイト型マンガン窒化物とが焼結により複合化されている熱膨張制御金属複合材料が提供される。また、熱膨張制御金属複合材料の製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】赤みが強くかつ色空間において明るい色域を有する赤色顔料セラミックスを提供する。
【解決手段】 Ｍ_２−ｘＥｕ_ｘＳｉ_５Ｎ_８の化学組成(但し、ＭはＳｒ、ＳｒとＢａま
たはＳｒとＣａ、Ｘが０．１≦Ｘ≦１．５）を有する。 （もっと読む）

【課題】
低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるＧａ／（Ｇａ＋Ｎ）のモル比が５５％以上８０％以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。 （もっと読む）

【課題】
低酸素含有量窒化ガリウム焼結体ならびに低酸素含有量窒化ガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
第１形態によれば、２．５ｇ／ｃｍ^３以上５．０ｇ／ｃｍ^３未満である窒化ガリウム焼結体を作成し、該焼結体をアンモニア含有雰囲気にて加熱処理することで、Ｘ線回折における窒化ガリウム（００２）面のピーク強度に対する酸化ガリウム（００２）面のピーク強度比が３％未満である低酸素含有量窒化ガリウム焼結体を作成する。 （もっと読む）

【課題】
高温状態から温度が下がってもイオン伝導度の低下を抑制することができるリチウムケイ素窒化物焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
リチウムケイ素窒化物焼結体は、主相にＬｉ_ＸＳｉ_ＹＮ_{１／３（Ｘ＋４Ｙ）}（但し、Ｘ＞０,Ｙ＞０）で表される組成を有するリチウムケイ素窒化物焼結体であって、上記リチウムケイ素窒化物焼結体はカルシウムを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】過酷な条件下に耐え得る立方晶窒化硼素焼結体が強固かつ高剛性に接合されてなる立方晶窒化硼素焼結体工具を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶窒化硼素焼結体工具は、立方晶窒化硼素焼結体が接合層を介して工具母材に接合されたものであって、立方晶窒化硼素焼結体は、３０体積％以上９５体積％以下の立方晶窒化硼素粒子と５体積％以上７０体積％以下の結合相とを含有し、立方晶窒化硼素焼結体と接合層との接合面のうちの面積が最大となる接合面に垂直な面で立方晶窒化硼素焼結体工具を切断したときの少なくとも１つの切断面において、点Ａと点Ｂとを結ぶ線分の長さの４分の１の長さだけ離れた点を点Ｄとすると、点Ｃと点Ｄとを結ぶ線分と、第１立方晶窒化硼素粒子と、第２立方晶窒化硼素粒子と、結合相とによって囲まれる領域の面積を、点Ａと点Ｂとを結ぶ線分の長さで除したときの値が、０．１４μｍ以上０．６μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平均熱膨張係数（２３〜１５０℃）が２〜６ｐｐｍ／Ｋの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いた基板を提供する。
【解決手段】ヒーター基板３００は、板状の基板３１０と、ヒートパターン３２０とを備える。基板３１０は、窒化珪素結晶相と、メリライト結晶相（Ｍｅ２Ｓｉ３Ｏ３Ｎ４、Ｍｅはメリライトを形成する金属元素）と、粒界相とを有する窒化珪素・メリライト複合焼結体を材料として作成されている。窒化珪素・メリライト複合焼結体の切断面におけるメリライト結晶相の占める割合は２０面積％以上である。 （もっと読む）

【課題】リチウム，ケイ素、窒素からなるリチウムケイ素窒化物には、Ｌｉ：Ｓｉ：Ｎ比が異なる数種の化合物が報告されており、そのうちＬｉ：Ｓｉ：Ｎ比が１：２：３の化合物はイオン伝導性があり、かつ大気中でも安定である。しかし、リチウムケイ素窒化物は窒化物であるため、共有結合性が強く、ＬｉＳｉ_２Ｎ_３組成の混合粉末を固めて加熱する場合、高温が必要であるが、あまり温度が高いとリチウムが蒸発してしまい、目的とする組成のものができない。
【解決手段】Ｌｉ_３ＮとＳｉ_３Ｎ_４を１：３の重量割合に秤量した原料粉末に、焼結助剤としてＢ_２Ｏ_３１．０〜５．０重量％を加え、混合する。混合は、Ｌｉ_３Ｎが大気と反応しないよう、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で行うか、混合容器を用いる場合は容器中を高純度窒素雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】優れた硬度を有する焼結体、およびその製造方法、ならびに耐摩耗性に優れた切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶の結晶構造を有する立方晶型サイアロンを含む焼結体に関し、立方晶型サイアロンに加えて、シリコン、マグネシウム、アルミニウム、および第３族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物、前記元素の窒化物、および前記元素の酸窒化物のいずれか１種以上を含む。シリコン、マグネシウム、アルミニウム、および第３族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物、前記元素の窒化物、および前記元素の酸窒化物は、焼結体中で結合相として存在し、これらを含む焼結体は、優れた硬度および靭性を有している。 （もっと読む）

【課題】電流制御素子又は電圧制御素子を構成することを用途とし、温度が変化しても電気抵抗率が変化しにくい材料、及びそれを用いて製造された電流制御素子、電圧制御素子を提供すること。
【解決手段】実質的に下記式（１）で表される組成を有するとともに、逆ペロフスカイト型構造を有し、電流制御素子又は電圧制御素子を構成することを用途とする材料。式（１）Ｍｎ₃Ａｇ_1-xＭ_xＤ（前記式（１）において、０＜ｘ＜１であり、Ｍは、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、及び周期表第４〜６周期の４〜１５属原子から成る群から選ばれる１種以上であり、Ｄは、水素原子、ホウ素原子、炭素原子、及び酸素原子から成る群から選ばれる１種以上により一部が置換されていてもよい窒素原子である。） （もっと読む）

【課題】 高い熱伝導性を有しながら、ブレードによる切断、スクライブ処理後の折割処理等の加工において粒界破壊によるチッピングが起こり難く、加工の際に高い寸法精度が求められる用途に好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 イットリウム元素換算で０．１〜０．５質量％の量のイットリウム化合物を含有し、該イットリウム化合物のうち、窒化イットリウムが占める比率が、５〜３０％であり、且つ、該窒化イットリウムの少なくとも一部が窒化アルミニウム結晶粒子の二粒界に存在し、且つ、相対密度が９８％以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体である。 （もっと読む）

【課題】 従来の硬質皮膜であるＴｉＮ皮膜やＴｉＡｌＮ皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜およびその形成用スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】［１］（Ｚｒ_1-a-b ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ，Ｍｏの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜、［２］（Ｚｒ_1-a-b-c ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ，Ｄ_c ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（但し、ＤはＳｉ，Ｂの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０．０３≦ｃ≦０．３、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。なお、上記式において、ａはＨｆの原子比、ｂはＭの原子比、ｃはＤの原子比、ｘはＮの原子比を示すものである。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素焼結体本来の優れた特性を保持しながら炭化珪素単相の焼結体よりも良好な加工性を示し、優れたセラミックス構造材料となりうる炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、および炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体の新たな製造方法を提供する。
【解決手段】上記焼結体は、炭化珪素55〜92質量%、六方晶窒化硼素5〜35質量%ならびに焼結助剤等を3〜25質量%の割合で含有し、酸素不純物含有量が0.2質量%以下であり、曲げ強度が400MPa以上である。上記製造方法は、炭化珪素粉末および六方晶窒化硼素粉末を含む混合粉末を焼成する前に真空または不活性雰囲気中1450〜1650℃の温度で熱処理する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】生産安定性が高く、緻密でガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。より具体的には、イオンプレーティング法に適したイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素１００重量部に対して、平均粒径が５μｍ以下の導電性材料を５重量部以上１００重量部以下含有する原料粉末により、上記課題を解決する。導電性材料が、導電性を有する、金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸窒化物から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記の原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】耐火物の耐食性と強度を更に高めることのできる窒化珪素鉄粉末と、それを用いた耐火物、特に出銑樋材や高炉出銑口閉塞用マッド材などとして適した耐火物を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が0.5〜250ｍ²/gの炭素粉を5〜20質量％を含有してなることを特徴とする窒化珪素鉄粉末である。更に、該窒化珪素鉄粉末と、耐熱性骨材と、炭素粉末及び／又は加熱によって炭素となる有機バインダーとを含有してなることを特徴とする耐火物である。 （もっと読む）

本発明は、基本的に、組成物Ｍ_１−ｙＡ_２−ｘＢ_ｘＯ_２−２ｘＮ_２＋ｘ：Ｅｕ_ｙから成り、ここで、Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ａは、Ｓｉ、Ｇｅ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ｂは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、ｘ及びｙは、＞０から≦１までで別々に選択されるセラミック複合材料を備える発光装置、特にＬＥＤに関する。この材料は、一方の相がアンバー乃至赤色放射相であり、他方の相がシアン乃至緑色放射相である２相組成物であることが分かった。
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【課題】一次相転移性物質を有効利用する方法を提供する。
【解決手段】温度によって体積が変化する一次相転移性を有する物質は、一次相転移が生じる温度の前後で、線膨張率が著しく異なる。この性質によって一次相転移性物質は、熱スイッチるいはサーミスタに用いることができる。 一次相転移性物質として、ペロブスカイト型マンガン窒化物結晶の線膨張係数を測定し、感温素子に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】希土類窒化物は、イットリア以上の耐蝕性を持つ半導体製造装置用部材を作製できると期待されるが、希土類窒化物単体では酸化しやすい性質であり、例えば大気中では希土類酸化物に変化してしまう問題があった。
【解決手段】希土類窒化物からなるプラズマ耐蝕性材料であって、金属元素としてＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの中から少なくとも１種類の元素を金属元素の割合として０．１〜２０原子％含有することを特徴とするプラズマ耐蝕性材料は、プラズマに対する耐性が高く、このようなプラズマ耐蝕性材料は、希土類窒化物粉末に金属を混合した粉末を使用して溶射膜を形成することで製造することが出来る。 （もっと読む）