【課題】３Ａ族の酸化物をはじめとする焼結助剤は含有しておらず、研削加工を行っても表面粗さの小さい窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】耐食性を有する純度９９％以上の窒化アルミニウム焼結体であって、密度が３．２０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以上であり、Ｃａを２００ｐｐｍ以上４００ｐｐｍ以下、Ｓｉを１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、Ｃを２２０ｐｐｍ以上１５００ｐｐｍ以下含有する。窒化アルミニウム焼結体は、３Ａ族の酸化物をはじめとする焼結助剤を含有せず、緻密化を促進する物質であるＣａと阻害する物質であるＳｉおよびＣを所定量含有する。これにより、研削面において窒化アルミニウム焼結体の表面粗さを小さくすることが可能となる。その結果、研削面の表面積が小さくなり、窒化アルミニウム焼結体の耐食性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、より効率的に機能する、即ち耐摩耗性、熱伝導性、耐衝撃性及び耐熱性の向上を示す改良型ＣＢＮ系材料を開発することである。
【解決手段】本発明は、少なくとも７０体積パーセントの量で存在する立方体窒化ホウ素粒子の多結晶塊と、性質上金属であるバインダ相とを含む立方体窒化成形体に向けられる。本発明は、バインダ相が好ましくは性質上超合金である成形体に及ぶ。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び／または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び／または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び／または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相１０と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相２０とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性および耐熱衝撃性に優れ、信頼性が高く長期間にわたって使用することのできる窒化珪素質焼結体からなる溶湯金属用部材を提供する
【解決手段】 窒化珪素を主成分とする柱状結晶１と、金属元素の酸化物を主成分とする粒界相２とを有する窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素質焼結体の表面に開気孔３を有し、開気孔３の内部に、窒化珪素焼結体の内部に存在する第１の柱状結晶１ａよりも径の太い第２の柱状結晶１ｂが互いに交錯するように複数存在している溶湯金属用部材である。溶湯金属による開気孔３の内面の粒界相２の浸食が抑制されることで、窒化珪素質焼結体自体の機械的特性および耐熱衝撃性を向上することができる。また、溶湯金属が粒界相２と反応して強固に付着することも少なくなるため、長期間にわたって使用することができる。 （もっと読む）

【課題】構造部材等の用途において必要な高密度、高硬度の二硼化チタン焼結体を製造するに際し、焼結温度をより低くして製造コストをより低くする。
【解決手段】Al₃Tiまたは、MをNi,Cr,Fe,Mo,Cuの１種類または２種類以上の組み合わせとして、(Al,M)₃Tiを主成分とした焼結助剤を用い、焼結助剤の重量割合を１０％以上５０％以下とし、TiB₂を主成分とした金属硼化物基本成分との混合粉末とした焼結材料を１０００℃で焼結しビッカース硬度５００以上、曲げ強度２００ＭＰａ以上の高緻密性、高硬度の二硼化チタン系焼結体を製造することができる。(Al,M)₃Tiを主成分とした焼結助剤の重量割合を２０％以上４０％以下とすることにより、１０００℃の温度の焼結温度でビッカース硬度８００以上、曲げ強度３００ＭＰａ以上の高緻密性、高硬度、高強度の二硼化チタン系焼結体とすることができる。 （もっと読む）

【課題】希土類多ホウ化物において、高温（９００Ｋ以上）で優れたｎ型の熱電的性質を有する新しい機能を示す多ホウ化物を使用したｎ型熱電変換素子を提供することを目的としている。
【解決手段】一般式ＲＥＢ_２２＋ＸＣ_４＋ＹＮ_１＋Ｚ（−６＜Ｘ＜６、−３＜Ｙ＜３、−１＜Ｚ＜１、ＲＥは、Ｓｃ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素）で表される、三斜晶系または菱面体系に属する炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物を提供することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】切削工具の材料として用いた場合に、優れた耐摩耗性および耐欠損性を有する切削工具を得ることのできる焼結体およびその製造方法ならびにその焼結体を用いた切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶型サイアロンと、β型サイアロンと、第１化合物および第２化合物の少なくともいずれかとを含む焼結体であって、第１化合物は、鉄、コバルト、ニッケル、周期律表の第４ａ族元素、第５ａ族元素、および第６ａ族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、第２化合物は、第４ａ族元素、第５ａ族元素、および第６ａ族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と、炭素、窒素および硼素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる少なくとも１種の化合物である。 （もっと読む）

【課題】非接触式電力伝達系を提供する。
【解決手段】この電力伝達系は誘電材料を含む場集束素子を含む。誘電材料は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３又はＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の群から選択される組成物を含む。（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１−ｚＣｒ_ｚＯ_３−δＮ_ｐのような材料が包含され、ここで０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ≦０．０１、０≦δ≦１、０≦ｐ≦１である。ＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙ（Ｃａ_１−ｚＣｕ_ｚ）Ｃｕ_２Ｔｉ_４−δＡｌ_δＯ_{１２−０．５δ}のような材料が包含され、ここで０≦ｘ＜０．５、０≦ｙ＜０．５、０≦ｚ≦１、０≦ｄ≦０．１である。 （もっと読む）

【課題】純度が低く安価な窒化けい素原料粉末を使用して形成した場合であっても、助剤成分の分散状態を制御することが可能であり、従来の窒化けい素焼結体と同等以上の機械的強度、耐磨耗性、転がり寿命特性に加え、加工性に優れた転がり軸受け部材として好適な窒化けい素焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属窒化法により製造された窒化けい素粉末と焼結助剤とを混合し焼結した窒化けい素焼結体において、焼結助剤成分として希土類元素を２〜５質量％、Ａｌ元素を１〜５質量％、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，ＮｂおよびＣｒからなる群より選択される少なくとも１種の元素を０．５〜５質量％含有し、気孔率が１％以下であり、上記窒化けい素焼結体を構成する窒化けい素結晶粒子の最大長さが４０μｍ以下であり、上記窒化けい素焼結体の結晶組織における助剤成分の偏析凝集部の最大径が２０μｍ以下であり、上記窒化けい素焼結体が不純物としてＦｅを１０〜３５００ｐｐｍ含有するとともに、Ｃａを１０〜１０００ｐｐｍ含有しており、上記窒化けい素焼結体の破壊靭性値が６ＭＰａ・ｍ^１／２以上であり、抗折強度が６００ＭＰａ以上であり、圧砕強度が１５０Ｎ／ｍｍ^２以上であることを特徴とする窒化けい素焼結体である。 （もっと読む）

【課題】水を主たるバインダとして用いたシリコン合金製坏土の効果的な脱水・乾燥法を提供すること。
【解決手段】シリコン合金粉末を原料とし、バインダとして、重量％で水１０〜４０を添加し混練する工程と、シリコン合金製坏土を三次元形状に成形する工程を経て、成形後５分以内に冷却媒体に投入し少なくとも５分以上保持して、成形体内の水分を微細分散状態で急速凍結させた後、水の三重点未満の圧力とした容器内に保持する急速冷凍法、及び、成形後５分以内に１気圧未満の減圧環境とした容器に投入し、２.４５０ＧＨｚマイクロ波を少なくとも５分以上継続照射するマイクロ波照射法により、成形体の脱水・乾燥を行う。これにより、成形体内の水分を、凝集前の微細分散の状態で除去し、焼結後の割れを防ぐことができるから、有害な有機溶剤を一切使用せずに高品質な製品を安定的に得ることが可能となり、高速成形、製品の低価格化も実現できる。 （もっと読む）

本発明は、多結晶の立方晶窒化ホウ素（ＰＣＢＮ）の本体を固体のインサートとして又は支持体に取り付けられるものとして含む、その上に硬質かつ耐摩耗性のＰＶＤコーティングが堆積された、チップ除去による機械加工のための切削工具インサートに関する。前記コーティングは、Ａ層及びＢ層の互層の多結晶のナノ積層構造を含み、ここで、Ａ層は（Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｅ１）ＮでありＭｅ１は周期表の３、４、５又は６族からの金属元素の１種以上であり、Ｂ層は（Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｅ２）Ｎであり、Ｍｅ２は、Ａｌを含む周期表の３、４、５又は６族からの金属元素の１種以上であり、厚さは、０．５〜１０ｍである。本発明のインサートは、高温を発生する金属切削用途、例えば、鋼、鋳鉄、超合金及び硬化鋼の高速加工において特に有用である。
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【課題】ヒータとしての発熱量を確保しつつ、部位毎の発熱量の差をさらに抑制させたヒータ、ヒータに用いられる発熱体、及び発熱体の製造方法を提供すること。
【解決手段】電力の供給に伴って発熱する発熱体１０と、発熱体１０の両端部に接続され、電源からの電力を供給する端子２０と、を備えたヒータ１００であって、発熱体１０は、純度が、９９．９９％以上の炭化珪素の粉末を成型するステップと、粉末を窒素雰囲気において、１７００℃以上で１時間以上焼成するステップとにより製造されること。 （もっと読む）

【課題】耐エロージョン性に優れた高圧噴射用部品を提供する。
【解決手段】内部を高圧流体が流れる通路を有する高圧噴射用部品において、窒化ケイ素の粒子に焼結助剤を加えて成形体とし、その成形体を焼結して得られる窒化ケイ素セラミックスからなり、該窒化ケイ素セラミックスの四点曲げ強度を、９８０ＭＰａ以上としたものである。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】厚さ１．５ｍｍ以下の窒化けい素焼結体表面に幅が１μｍ以上のマイクロクラックがなく、幅が１μｍ未満のサブミクロンクラックが単位面積１００μｍ^２当たりに０〜２個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が４２０ｎＡ以下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上、残留炭素含有量が５００ｐｐｍ以下である窒化けい素セラミックス基板２に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板２は、粒界相中における結晶化合物相の割合が２０％以上であり、ＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜３．０質量％含有する。 （もっと読む）

約１Ｅ５Ωｃｍ以上の抵抗率を有し、再結晶炭化ケイ素体中の結合した窒素原子を含む窒素含有率が約２００ｐｐｍ以下である、再結晶炭化ケイ素体を提供する。
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【課題】 母基板の熱伝導率を向上できる回路基板およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、基板が、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有することを特徴とする。このような回路基板の母基板は、窒化珪素粉末にＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で全量中０．３〜１．５質量％添加した混合粉末を成形し、焼成し、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有せしめて作製される。 （もっと読む）

【課題】減圧環境下で使用されるセラミックス部品において、処理物への汚染の少ないセラミックス部品の装着方法および有機物の汚染の少ない半導体製造装置用セラミックス部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線光電子分光法で表面の深さ方向の測定をし、表面から５ｎｍ以深の深さで検出される炭素量が５ｍａｓｓ％以下である状態で半導体製造装置に装着することを特徴とする半導体製造装置用非汚染性セラミックス部品の装着方法である。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素焼結体の強度や摺動特性の低下を抑制しつつ、加工性を向上させて製造コストの低減を図る。
【解決手段】窒化珪素焼結体は、窒化珪素結晶粒子と、２質量％以上１５質量％以下の範囲の焼結助剤成分とを含有する、窒化珪素焼結体を構成する窒化珪素結晶粒子は、短径Ｓに対する長径Ｌの比（Ｌ／Ｓ比）が５以上の針状結晶粒子を面積比で１０％以上含む。このような針状結晶粒子はＬ／Ｓ比の平均値が６〜８の範囲で、Ｌ／Ｓ比の標準偏差が０．８以上である。窒化珪素焼結体は例えばベアリングボール２として用いられる。 （もっと読む）

【課題】炉材を消耗させることなく体積抵抗率が低い炭化珪素焼結体を製造する。
【解決手段】粉砕粉を窒素雰囲気下で焼成することにより焼成粉を生成し、焼成粉を粉砕することにより再粉砕粉を生成し、再粉砕粉を焼結させることにより炭化珪素焼結体を生成する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの４３０〜４８０ｎｍの範囲の光によって高効率で安定に発光する窒化物蛍光体および酸窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、高効率で特性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）：Ｅｕ_aＳｉ_bＡｌ_cＯ_dＮ_eで実質的に表される、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、一般式（Ｂ）：ＭＩ_fＥｕ_gＳｉ_hＡｌ_kＯ_mＮ_nで実質的に表され、、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、または、一般式（Ｃ）：(ＭＩＩ_1-pＥｕ_p)ＭＩＩＩＳｉＮ₃で実質的に表され、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、これらの蛍光体を用いた発光装置。 （もっと読む）