【課題】３Ａ族の酸化物をはじめとする焼結助剤は含有しておらず、研削加工を行っても表面粗さの小さい窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】耐食性を有する純度９９％以上の窒化アルミニウム焼結体であって、密度が３．２０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以上であり、Ｃａを２００ｐｐｍ以上４００ｐｐｍ以下、Ｓｉを１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、Ｃを２２０ｐｐｍ以上１５００ｐｐｍ以下含有する。窒化アルミニウム焼結体は、３Ａ族の酸化物をはじめとする焼結助剤を含有せず、緻密化を促進する物質であるＣａと阻害する物質であるＳｉおよびＣを所定量含有する。これにより、研削面において窒化アルミニウム焼結体の表面粗さを小さくすることが可能となる。その結果、研削面の表面積が小さくなり、窒化アルミニウム焼結体の耐食性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】α型結晶であって、その粒径が5〜60μmであると共に内部が緻密な、球状炭化ケイ素粒子、その製造方法、及び、それを原料として用いた焼結体又は有機樹脂複合体を提供する。
【解決手段】平均粒径が5〜60μmで細孔径が１μm以下の内部細孔体積が0.02cc/g以下、且つ、比表面積が１m²/g以下で平均（短径／長径）アスペクト比が0.65以上である球状α型炭化ケイ素を製造するために、少なくとも、（１）平均粒径が1μm以下でα型結晶である原料炭化ケイ素のスラリーをスプレイドライして多孔質で球状の粒子を得る工程、及び、（２）得られた多孔質で球状の粒子を焼結する工程を含む工程からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１Ｅ５Ωｃｍ以上の抵抗率を有し、２００ｐｐｍ以下の窒素原子を含む、再結晶炭化ケイ素体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粗粒子と、同粗粒子の平均粒径より平均粒径が小さい炭化ケイ素微粒子と混合して混合物を形成する工程、前記混合物を成形して、未焼成品を形成する工程、および、不活性ガスを含み、約２５Ｔｏｒｒ以下の減圧を有する雰囲気中で前記未焼成品を昇華温度に加熱し、再結晶炭化ケイ素体を形成する工程を含む、方法により達成。 （もっと読む）

【課題】接合強度の向上を図った中空構造のＢ_４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得ることが可能なＢ_４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法を提供する。
【解決手段】複数のＢ_４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持することにより接合する。 （もっと読む）

【課題】 加工性が良く、色ムラの発生が無く、高温（１５００℃）曲げ強が高く、耐熱性の良好なＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を提供する
【解決手段】
窒化硼素２．５〜５０質量％、炭化珪素４７〜９７質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５〜３質量％未満の相対密度９７．５％以上、Ａｒガス中の２０００℃で１０時間加熱後の質量減少率が０．５質量％以下であるＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体。比表面積１１ｍ^２／ｇ以上で酸素含有量が１３．３４×Ａ^{−０．５８}以下の窒化硼素が２．５〜５０質量％、比表面積８ｍ^２／ｇ以上の炭化珪素が４７〜９７質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５質量％以上３質量％未満の混合粉末であり、酸素量が１．１０質量％以下、比表面積が１０〜４５ｍ^２／ｇである混合粉末を非酸化性雰囲気で圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１８００〜２１５０℃、保持時間１〜６時間のホットプレス焼結で焼結するＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 冷却効率が良好で、密着強度が高く信頼性に優れた半導体製造装置用部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体製造装置用部材は、窒化アルミニウム質基体１の表面に水酸化アルミニウムからなる被膜（水酸化アルミニウム膜２）が設けられていることを特徴とするものである。これにより、水酸化アルミニウム膜２は水分との濡れ性がいいので、水酸化アルミニウム膜２から窒化アルミニウム質基体１への伝熱が良くなり、冷却効率が良好な半導体製造装置用部材を実現できる。また、水酸化アルミニウム膜２と窒化アルミニウム質基体１との界面へのクラックの発生が抑制され、密着強度が高く信頼性に優れたものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、１５００℃を超え２６００℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 常温のみならず高温においても体積抵抗率を高い値に維持することができる窒化アルミニウム焼結体、及び該窒化アルミニウム焼結体を少なくとも部分的に用いた半導体製造装置用又は検査装置用のウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブを内部に含んだ窒化アルミニウム粒子からなる窒化アルミニウム焼結体であって、その常温及び５００℃における体積抵抗率がそれぞれ１.０×１０^１３Ω・ｃｍ以上及び１.０×１０^８Ω・ｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化アルミニウム基板の製造に関し、酸化性、非酸化性と雰囲気の相反する脱脂炉と焼結炉において共用可能な台板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム粒子と焼結助剤と有機バインダーとから成る窒化アルミニウム成形体を酸化性雰囲気の脱脂炉中で脱脂し、次いで１６００〜２１００℃の非酸化性雰囲気の焼結炉中で焼成して窒化アルミニウム焼結体を得る製造方法において、窒化アルミニウム成形体を積載した耐酸化性及び耐熱性を有する台板を前記脱脂炉及び焼結炉内で共用可能に使用すること、また前記台板が、グラファイト板の全表面を炭化珪素の皮膜で被覆していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性や熱的特性を有しているとともに体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材を提供する。
【解決手段】 炭化珪素を主成分とし、チタンを含む緻密質の炭化珪素質焼結体であって、炭化珪素の平均結晶粒径が4.8μｍ以下（但し、０μｍを除く）であり、チタンの含
有量が140質量ｐｐｍ以下（但し、０ｐｐｍを除く。）の炭化珪素質焼結体である。この
炭化珪素質焼結体は、機械的特性や熱的特性を有しているとともに体積抵抗率の大きなものである。 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生個数の低減化が図られている多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】１００重量部のＳｉＣ粉末と、５重量部以下のカーボン粉末または５重量部以下のカーボンを含む有機系バインダーと、２０重量部以上の金属シリコン粉末との混合粉末をプレス成形して成形体とする。成形体を非酸化雰囲気中、１２００〜１３５０［℃］で熱処理することにより金属シリコンの粒子同士をネッキングさせる。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、焼結性および接合性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】回路層となる金属板と接合されてパワーモジュール用基板を形成するセラミックス基板であって、繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子と、非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子とが焼結されており、前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子が、０．０５μｍ以上３μｍ以下の短軸径と３以上２０以下のアスペクト比を有し、且つ、一つの断面における前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子のセラミックス基板に占める割合が、５面積％以上９５面積％以下であり、前記非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】押出成形など、低コストの成形法に対して、同じく低コストでかつ環境負荷が少ない酸による洗浄法による半導体製造プロセス用ＳｉＣ部材の製造方法を提供する。
【解決手段】水系押出成形において、成形体を乾燥後、不活性ガス雰囲気中で３５０〜４５０℃の温度で熱処理する脱脂工程と、酸で洗浄する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来よりも容易かつ正確に、球面曲率を有するウエハホルダを製造できるウエハホルダの製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１は、球面形状を有する凸状の表面５を有し、基板固定工程Ｓ２１では、支持体１の表面５に基板１００を載置し、かつ基板１００を支持体１に固定し、前記基板研削工程Ｓ２２では、基板１００が支持体１に固定された状態において基板１００の研削された表面が平面となるように、基板１００の表面を研削する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】焼結の際に内部に埋設された耐熱性金属材料の炭化を抑制して、耐熱性金属材料の導電性の低下を防止するセラミックス焼結体の製造方法、セラミックス焼結体およびセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】 本発明のセラミックス焼結体は、耐熱性金属材料２と、耐熱性金属材料２の表面に形成され、金属炭化物の標準生成自由エネルギーが耐熱性金属材料２よりも小さい金属材料からなる金属皮膜と、金属皮膜が形成された耐熱性金属材料２をセラミックス基体の原材料である粉体中の所定の位置に配設し、加圧成型されたセラミックス成型体と、を備えるプレセラミックスを焼結して形成され、前記焼結時に金属皮膜が炭化されて金属炭化物皮膜４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】 色ムラの発生が無く、加工性、強度、耐熱性の良好なＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を提供する。
【解決手段】
窒化硼素１０〜４０質量％、炭化珪素５８〜８８質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５〜３質量％未満の相対密度９７％以上、曲げ強さ３００ＭＰa以上、Ａｒガス中の２０００℃で１０時間加熱後の質量減少率が０．６質量％以下であるＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体。
比表面積１０ｍ^２／ｇ以上で酸素含有量が１８．５×（混合粉末中のＢＮ質量％）^{−０．６５７}以下の窒化硼素が１０〜４０質量％、比表面積７ｍ^２／ｇ以上の炭化珪素が５８〜８８質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５質量％以上３質量％未満の混合粉末であり、酸素量が１．２０質量％以下、比表面積が８〜４５ｍ^２／ｇの混合粉末を非酸化性雰囲気で圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１８５０〜２１５０℃、保持時間１〜６時間のホットプレス焼結するＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板において、ＩＩＩ族窒化物半導体層との間で剥離や亀裂が発生することを抑制することができる下地基板に関する技術を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板の下地基板として用いられるセラミックス複合材料であって、酸化物系セラミックスおよび非酸化物系セラミックスから構成され、２０〜９００℃における平均線熱膨張係数が（５．９±０．２）×１０^−６／℃であるセラミックス複合材料。前記セラミックス複合材料を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板に用いられる下地基板の製造方法であって、酸化物系セラミックス粉末と非酸化物系セラミックス粉末とを所定の比率で混合する原料混合工程と、原料混合工程において得られた混合粉末を所定形状の成形体に成形する成形工程と、成形体を不活性雰囲気中で焼成してセラミックス複合材料の焼結体を作製する焼成工程とを有する。 （もっと読む）