使用温度において酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態、より具体的には、立方相、ホタル石相、オーリビリウスタイプのペロブスカイト相、褐色針ニッケル鉱相またはパイロクロア相の形態にある、ドープされたセラミック酸化物から選ばれる複合電子／酸素Ｏ^２−アニオン伝導性化合物（Ｃ_１）少なくとも７５ｖｏｌ％、および
酸化物タイプのセラミック、非酸化物タイプのセラミック、金属、金属合金またはこれらタイプの物質の混合物から選ばれる、化合物（Ｃ_１）とは異なる化合物（Ｃ_２）０．０１〜２５ｖｏｌ％、および式：ｘＦ_ｃ１＋ｙＦ_ｃ２→ｚＦ_ｃ３（式中、Ｆ_ｃ１、Ｆ_ｃ２およびＦ_ｃ３は、化合物Ｃ_１、Ｃ_２およびＣ_３それぞれの実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の比の数値を表す）により表される少なくとも１の化学反応から生成する化合物（Ｃ_３）０ｖｏｌ％〜２．５ｖｏｌ％を含む複合物（Ｍ）。本発明は、複合物の製造方法、並びにメタンまたは天然ガスの接触酸化により合成ガスの合成のために使用することが意図された触媒膜反応器用の複合伝導性複合物としての、および／または空気から酸素を分離するために使用することが意図されたセラミック膜のための複合伝導性複合物としてのその使用にも関する。 （もっと読む）

ＩＴＯスパッタリングターゲット中に、王水でエッチングしたとき又はスパッタエッチングしたときに表出する、粒径１００ｎｍ以上の粒子の個数が１個／μｍ^２以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット及び密度が７．１２ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。スパッタ特性、特にアーキングの発生を抑制し、このアーキングに起因するＩＴＯ膜の欠陥の発生を抑え、ＩＴＯ膜の品質低下を効果的に抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来生じていたスプレードライヤーで得られる造粒粉の成形時でのつぶれ性のばらつきによる強度低下や、密度の低下という問題のない高強度で高密度のＩＴＯターゲットを得る方法の提供を課題とする。
【解決手段】酸化インジウム粉と酸化スズ粉と水と有機バインダーとを混合し粉砕し、これを噴霧乾燥して造粒粉を得、得られた造粒粉を均一混合した後加圧成型し、得られた成型体を焼成してＩＴＯターゲットを得る方法において、有機バインダーとしてケン化度９０〜９５ｍｏ１％、重合度４００〜１０００のポリビニルアルコールを酸化インジウム粉と酸化スズ粉の合量に対して１．０〜３．０重量％となる量を加え、加圧成型前の造粒粉の水分率を０．１５〜０．４重量％とする。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗５００〜２０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする焼結体であって、さらに酸化ケイ素又は酸化チタンの少なくとも一方を含有することを特徴とする高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 相対密度が高く、成膜中における異常放電が少なくノジュールが発生しにくい、ＩＴＯターゲットの製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末からなる成形体を焼結炉内に入れて焼結させるに際し、焼結炉内に酸素を成形体重量１ｋｇ当り０．５〜３．０リッター／分の割合で、少なくとも成形体片面に沿って酸素が流れるように流入させつつ、成形体中に含まれる成形用バインダを揮発させた後は、２４時間程度かけて１０００℃まで昇温し、１０００℃から１４００〜１６００℃の所望の温度までを１５０分以内で昇温し、１４００〜１６００℃の温度範囲で１０時間以上保持して焼結させる。 （もっと読む）