【課題】簡単かつ短時間でソーダ化反応に対する耐用性を試験することができ、しかも、実機での試験と同等程度の結果を得ることが可能である耐アルカリ炉材の耐用性評価試験方法を提供する。
【解決手段】アルカリ系材料３ａを使用したソーダ化反応を行う炉に使用される炉材の評価試験方法であって、炉材の材料によって形成された炉材成形体２の試験面２ａに、アルカリ系材料３ａを含有する試験材料３を載せて試験体１を形成する試験体形成工程と、試験体形成工程において形成された試験体１を加熱する加熱工程と、加熱工程終了後、試験体１を冷却する冷却工程と、を繰り返して行う。実機よりも過酷な条件で炉材成形体２の試験を行うことができるから、炉材成形体２の損傷の評価を短時間で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを２つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、２０００〜９０００Ｖ／ｍｍの電位勾配及び２１．５〜５５の非線形係数（α）を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性と圧電性が良好で、鉛とカリウムを含まない圧電材料、前記圧電材料を用いた圧電素子または積層圧電素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。
一般式（１）
（１−ｘ）｛（Ｎａ_ｙＢａ_１−ｚ）（Ｎｂ_ｚＴｉ_１−ｚ）Ｏ_３｝−ｘＢｉＦｅＯ_３（式中、ｘ、ｙ、ｚは、０＜ｘ≦０．０１５、０．８０≦ｙ≦０．９５、０．８５≦ｚ≦０．９５を表す。）上記の圧電材料と、前記圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子。上記の圧電材料からなる圧電材料層と、内部電極を含む電極とが交互に積層された積層圧電素子。 （もっと読む）

【課題】絶縁基体と、この絶縁基体内に埋設された発熱抵抗体とを備え、耐久性の良好なセラミックヒータの製造方法、及びこのようなセラミックヒータを有するグロープラグの製造方法を提供する。
【解決手段】焼成により絶縁基体１０の一部となる第１成形体３０及び焼成により発熱抵抗体１１となる未焼成発熱抵抗体３３を有する半成形体３４を成形する半成形体成形工程と、焼成により絶縁基体１０の残部となる第２成形体３５を、半成形体３４と一体に成形する第２成形体成形工程とを備え、未焼成発熱抵抗体３３の未焼成曲げ返し部３２は、一部が第１成形体３０中に埋められる一方、残部が第１成形体３０から突出しており、半成形体成形工程は、少なくとも、未焼成曲げ返し部３２と成形体後側部５５との後側境界５７において、第１成形体３０から突出した後側高さＨＨ２が第１成形体中に埋められた後側深さＨＤ２よりも小さい形態に、半成形体３４を成形する。 （もっと読む）

【課題】電極においてケイ素化合物を採用する固体電解質型二次電池に於いて、陽極に酸化ケイ素さらにゼオライトを含む固体電解質を、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュールを提供する。
【解決手段】正極を二酸化ケイ素とし、負極を窒化ケイ素、又はホウ化ケイ素又は金などとし、正極と負極との間に非水電解質を採用するシリコン二次電池を製造するために、電極リード金属２を基盤１にスパターリングした後、陽極に二酸化ケイ素、陰極に窒化ケイ素を、該基盤に、スパターリングで薄膜を作成し、シリコン化合物粉末にゼオライトを混合して、紫外線(ＵＶ)、又は約１３０℃に加熱し印刷するか、又は大気圧プラズマ化学蒸着法(ＰＥＣＶＤ)を使用して各電極４,６を製膜し、当該電極にゼオライトを混合した固体電解質５をコーティングし、両電極を接合して単位セルを作成する。 （もっと読む）

【課題】費用が安く純度の高いα−アルミナを得るための手段を提供する。
【解決手段】α−アルミナ焼成体を生産する方法のフロー１は、ベーマイトに加水するステップ１０１、混練するステップ１０２、脱気するステップ１０３、押出成形するステップ１０４、および焼くステップ１０５を備えている。前記ステップ１０３およびステップ１０４において、ベーマイトを脱気し、高圧で押出成形することによりベーマイト内部の気体を排除することができるので、ステップ１０５において、１回の焼成のみでサファイア単結晶の原料として要求される高い嵩密度を備えたα−アルミナ焼成体を生産することができる。 （もっと読む）

【解決手段】ＰｂおよびＣｄの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば１３００℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。 （もっと読む）

【課題】低い熱膨張係数と高い剛性（ヤング率）を有し、かつ低密度で比剛性が高い酸化物セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】結晶相として、コーディエライト、ムライトおよびサフィリンの３相を含む酸化物セラミックス焼結体であって、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ＭｇＯを１２質量％以上１４質量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３を３４質量％以上３９質量％以下、ＳｉＯ_２を４７質量％以上５１質量％以下含有し、ＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２以外の物質の含有量が全体の１．５質量％未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミック粒子（単結晶粒子）よりも磁気異方性が大きい圧電体セラミックデバイス用のセラミック粒子集合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、(１)セラミック粒子ＣＰを多数含むスラリーＳＬ１を用意する準備ステップ、(２)スラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに分散力を付与することによって各セラミック粒子ＣＰをばらばらに散らばらせる分散ステップ、(３)分散ステップ後のスラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに磁場を印加することによって各セラミック粒子ＣＰの結晶方位を揃える配向ステップ、(４)配向ステップ後のスラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに凝集力を付与することによって結晶方位が揃っている複数のセラミック粒子ＣＰが凝集したセラミック粒子集合体ＡＳｃｐを作製する凝集ステップ、(５)凝集ステップ後のスラリーＳＬ１からセラミック粒子集合体ＡＳｃｐを取り出す取出ステップ、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ７〜３５％、ＳｒＯ ２５〜６５％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｃａ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】焼結後の接合部にクラックまたは剥離が生じることを抑制できるセラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス接合体３の製造方法は、互いに同種材料からなる第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する工程（Ｓ１０，Ｓ２０）と、第１および第２のセラミックス成形体１，２を等方圧成形を用いて接合することによってセラミックス接合体３を成形する工程（Ｓ３０）と、セラミックス接合体３を焼結する工程（Ｓ４０）とを備えている。等方圧成形前の第１および第２のセラミックス成形体１，２のそれぞれは、セラミックス接合体３より低い成形密度を有している。 （もっと読む）

【課題】ＭｏＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＭｏＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下、可視波長（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において９８％以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Ｓｎ／Ｉｎが０．０１９〜０．１０２であり、かつ、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．７７１〜０．９６７、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１６〜０．０９１、Ｃｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１５〜０．１５であり、相対密度が９８％以上、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、高い比誘電率を有する強誘電体を提供すること。
【解決手段】格子定数が下記式（１）：
１≦（ａ_２／ａ_１）×１００≦８０ （１）
（式（１）中、ａ_１は第一強誘電材料の格子定数であり、ａ_２は第二強誘電材料の格子定数であり、ａ_１＞ａ_２である。）
で表される条件を満たす第一強誘電材料および第二強誘電材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、前記第一強誘電材料および前記第二強誘電材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造強誘電体。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式（Ｂａ_１−ｘＭ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＬ_ｙ）Ｏ_３（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＭｇから選択される少なくとも１種類）、（ただし、ＬはＺｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇの中から選択される少なくとも１種類）で表される第二の相との混合相から成る。 （もっと読む）

【課題】ライトオフ性能、触媒担持性能、及び強度の各性能のうちのいずれかを犠牲にすることなく、耐熱衝撃性を向上させることが可能なハニカム構造体を提供する。
【解決手段】流体の流路となる複数のセル２を区画形成する隔壁１を備え、隔壁１が、コージェライトからなり、隔壁１の平均細孔径の値をｘ（μｍ）、隔壁１の気孔率の値をｙ（％）とした場合に、ｘとｙとの関係がｙ≦−８．３３ｘ＋８６．６６であり、かつ０．５≦ｘ≦５、３５≦ｙ≦７０を満たすハニカム構造体１００。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、酸素イオン伝導性に優れたイオン伝導体を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造イオン伝導体。 （もっと読む）

【課題】高温で高い熱電特性を示す新規な熱電変換材料を提供する。
【解決手段】本発明の熱電変換材料は、（Ｃａ_3-xＢｉ_x）（Ｃｏ_4-yＭ_y）Ｏ₉で表される酸化物を有するものである。ここで、ＭはＧａ，Ｆｅ，Ｔｉ及びＮｂのうちの１つ以上の元素であり、ｘは０＜ｘ≦０．３を満たし、ｙはＭがＧａ，Ｆｅ及びＴｉのうち１つ以上の元素である場合には０＜ｙ≦０．１５を満たし、ＭがＮｂである場合には０＜ｙ＜０．１を満たす。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が９９．０重量％以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で０．２重量％以上０．８重量％以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が２０μｍ以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。 （もっと読む）