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Fターム[4G030GA11]の内容

酸化物セラミックスの組成 (35,018) | 製法 (11,361) | 杯土の構成原料 (3,529) | 原料粉末の粒度限定 (886)

Fターム[4G030GA11]に分類される特許

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【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が5.4×10kg/m以上5.6×10kg/m以下で、Al換算で1重量%以上3重量%以下のAlを含み、酸化亜鉛粒子10中に存在するZnAl粒子20の粒子径は3μm以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するZnAl粒子20の径は10μm以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にAlが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ZnAl粒子20が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ZnAl粒子20を起点とする異常放電を防止できる。 (もっと読む)


【課題】 外形加工や切断の処理工程において、表面にクラックあるいは脱粒に起因する欠陥の発生し難いガラスセラミック焼結体とそれを用いた反射部材および発光素子搭載用基板ならびに発光装置を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック焼結体1は、ガラス相中に、アノーサイト相と、石英相と、カルシウム・ジルコニウム・シリケート相と、ジルコニア相とを有する。また、発光素子搭載用基板は、発光素子を搭載するための搭載部11を備えた絶縁基体13と、該絶縁基体13の上面において、前記搭載部11を囲うように設けられた反射部材19とを有し、前記絶縁基体13および前記反射部材19のうち少なくとも一方が上記のガラスセラミック焼結体からなる。 (もっと読む)


【課題】 絶縁性と圧電性が良好で、鉛とカリウムを含まない圧電材料、前記圧電材料を用いた圧電素子または積層圧電素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。
一般式(1)
(1−x){(NaBa1−z)(NbTi1−z)O}−xBiFeO(式中、x、y、zは、0<x≦0.015、0.80≦y≦0.95、0.85≦z≦0.95を表す。)上記の圧電材料と、前記圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子。上記の圧電材料からなる圧電材料層と、内部電極を含む電極とが交互に積層された積層圧電素子。 (もっと読む)


【課題】肝細胞を均一なサイズに凝集化させ、その性質を保持しつつ培養することができ、かつ、凝集化させた細胞塊(スフェロイド)に薬剤を効率よく供給することができる細胞培養担体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面に複数のウェルが形成されており、少なくとも前記ウェルの底面が、比表面積が0.0001〜1m2/gであり、平均粒径が0.1〜2μm、かつ、最大粒径が5μm以下のアルミナ粒子により構成されている肝細胞培養用の細胞培養担体を用いる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、CoベースのまたはFeベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの(MgOベースの)複合物からなるターゲットであって、MgOベースの複合物が、MgOおよび単数または複数の酸化物を備える、CoベースのまたはFeベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。 (もっと読む)


【課題】低い熱膨張係数と高い剛性(ヤング率)を有し、かつ低密度で比剛性が高い酸化物セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】結晶相として、コーディエライト、ムライトおよびサフィリンの3相を含む酸化物セラミックス焼結体であって、MgO、AlおよびSiOの含有量の合計を100質量%とした場合に、MgOを12質量%以上14質量%以下、Alを34質量%以上39質量%以下、SiOを47質量%以上51質量%以下含有し、MgOとAlおよびSiO以外の物質の含有量が全体の1.5質量%未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来のアイソパイプに関連する寸法安定性および他の欠点に対処する。
【解決手段】焼成されたセラミック物品が、40質量部より多い、3μmより大きく25μmまでのメジアン粒径を有する粗いジルコン成分、および、30から60質量部の、3μm以下のメジアン粒径を有する微細なジルコン成分、を含む多峰性粒径分布を有するジルコンを少なくとも90質量%含む組成物から形成される。 (もっと読む)


【解決手段】PbおよびCdの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば1300℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。 (もっと読む)


【課題】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボにおいて、前記内層が外層から剥離し難いシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボであって、前記外層が、溶融シリカ粒子からなる層であり、前記内層が、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末からなる層であり、前記内層と外層の界面近傍における球状のシリカ粒子の間の空間もしくは溶融シリカ粒子の間の空間が、前記シリカ微粉末によって閉塞されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
2+4+
但し、MはBa、Ca及びSrの中のいずれか一つであり、NはSn、Zr及びTiの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えてM2+(N1−y4+4+)B(但し、0<y<1)の組成式で
表現される組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】熱間補修に汎用される焼付け補修材を前提とし、補修部位からの補修材の流下を抑制して、補修部位に補修材を効率的に積層でき、補修部位の耐用性を向上可能とする焼付け補修材を提供する。
【解決手段】溶湯容器11の稼動面12の熱間補修に使用される焼付け補修材10であり、使用済みのマグネシア・クロミアれんがを有する骨材を65質量%以上95質量%以下含み、骨材は、使用済みのマグネシア・クロミアれんがを粉砕してなるクロミアを、骨材の全量に対して8質量%以上50質量%以下含み、かつ骨材中の篩目100μmアンダーが骨材の全量に対して5質量%以上50質量%以下である。 (もっと読む)


【課題】 高い導電性を有し、WO膜をDCスパッタにより成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、WO相とW1849相との2相以上からなる組織を有した酸化タングステンの焼結体であり、WO相の組織中の割合が、5%以上である。このスパッタリングターゲットの製造方法は、WOと、W1849及びWOの少なくとも一方とを含有した酸化タングステン粉を作製する工程と、該酸化タングステン粉を真空中でホットプレスにて焼結し、酸化タングステンの焼結体とする工程とを有し、前記酸化タングステン粉中の前記WOの含有量を、5〜95mol%とする。 (もっと読む)


【課題】電気特性の向上及び加工容易性の向上を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるAl、第1副原料としてのTi化合物及び第Sr、Ca、Mg及びBaのうち少なくとも1種を複合させた、第1副原料とは異なる2副原料が混合されることにより原料が調製される。各副原料の添加量が、p1=0.05〜1.50及びp2=0.05〜2.50により定義される「第1添加量範囲」又はp1=0.05〜0.60及びp2=0.05〜1.20により定義される「第2添加量範囲」に含まれるように調節される。 (もっと読む)


【課題】環境汚染がなく、且つ低融点低抵抗金属と同時焼成可能で基板の反りが少なく、白色性が強い無鉛ガラスセラミックス組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は40〜55重量%のガラス粉末と45〜60重量%の無機フィラーを配合・焼成されてなり、該ガラス粉末のガラス組成が、重量%でSiO2を55〜60%、Al2O3を11〜12%、CaOを16〜18%、ZnOを0〜4%含有しており、且つ実質的にPbO、MgOおよびAs2O3、Sb2O3を含有しないことを特徴とする無鉛白色ガラスセラミックス組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Gaをドープした酸化インジウム、又はAlをドープした酸化インジウムを含み、正4価の原子価を示す金属を、Gaとインジウムの合計又はAlとインジウムの合計に対して100原子ppm超1100原子ppm以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】150℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が5×10-3Ω・cm以下、可視波長(400nm〜800nm)において98%以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Sn/Inが0.019〜0.102であり、かつ、In/(In+Sn+Co)が0.771〜0.967、Sn/(In+Sn+Co)が0.016〜0.091、Co/(In+Sn+Co)が0.015〜0.15であり、相対密度が98%以上、比抵抗が5×10-3Ω・cm以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 (もっと読む)


【課題】帯電防止性、剥離性及び靭性に優れるセラミックシートを製造可能な塩基性セラミックス含有スラリー組成物を提供する。
【解決手段】本開示の一態様は、含窒素複素芳香族第4級アンモニウムカチオン基を含むカチオン化合物、高分子分散剤、非水系溶媒、塩基性セラミックス材料及びポリビニルアセタール樹脂を含有するスラリー組成物に関する。 (もっと読む)


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