【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを２つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、２０００〜９０００Ｖ／ｍｍの電位勾配及び２１．５〜５５の非線形係数（α）を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が５．４×１０^３ｋｇ／ｍ^３以上５．６×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下で、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１重量％以上３重量％以下のＡｌを含み、酸化亜鉛粒子１０中に存在するＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０の粒子径は３μｍ以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０の径は１０μｍ以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にＡｌが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４粒子２０を起点とする異常放電を防止できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基体と、この絶縁基体内に埋設された発熱抵抗体とを備え、耐久性の良好なセラミックヒータの製造方法、及びこのようなセラミックヒータを有するグロープラグの製造方法を提供する。
【解決手段】焼成により絶縁基体１０の一部となる第１成形体３０及び焼成により発熱抵抗体１１となる未焼成発熱抵抗体３３を有する半成形体３４を成形する半成形体成形工程と、焼成により絶縁基体１０の残部となる第２成形体３５を、半成形体３４と一体に成形する第２成形体成形工程とを備え、未焼成発熱抵抗体３３の未焼成曲げ返し部３２は、一部が第１成形体３０中に埋められる一方、残部が第１成形体３０から突出しており、半成形体成形工程は、未焼成曲げ返し部３２と成形体内側部５２とがなす内側角θｉと未焼成曲げ返し部３２と成形体外側部５５とがなす外側角θｏの少なくともいずれかが、９０度よりも大きい形態に、半成形体３４を成形する。 （もっと読む）

【解決手段】ＰｂおよびＣｄの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば１３００℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。 （もっと読む）

【課題】低い熱膨張係数と高い剛性（ヤング率）を有し、かつ低密度で比剛性が高い酸化物セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】結晶相として、コーディエライト、ムライトおよびサフィリンの３相を含む酸化物セラミックス焼結体であって、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ＭｇＯを１２質量％以上１４質量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３を３４質量％以上３９質量％以下、ＳｉＯ_２を４７質量％以上５１質量％以下含有し、ＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２以外の物質の含有量が全体の１．５質量％未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、平均粒径１０μｍ以下、且つ粒径３０μｍ以上の結晶粒の割合が１５％以下であり、相対密度８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えてＭ^２＋（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６（但し、０＜ｙ＜１）の組成式で
表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】焼結後の接合部にクラックまたは剥離が生じることを抑制できるセラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス接合体３の製造方法は、互いに同種材料からなる第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する工程（Ｓ１０，Ｓ２０）と、第１および第２のセラミックス成形体１，２を等方圧成形を用いて接合することによってセラミックス接合体３を成形する工程（Ｓ３０）と、セラミックス接合体３を焼結する工程（Ｓ４０）とを備えている。等方圧成形前の第１および第２のセラミックス成形体１，２のそれぞれは、セラミックス接合体３より低い成形密度を有している。 （もっと読む）

【課題】焼結後の接合部にクラックまたは剥離が生じることを抑制できるセラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス接合体３の製造方法は、互いに同種材料からなる第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する工程（Ｓ１０，Ｓ２０）と、第１および第２のセラミックス成形体１，２を等方圧成形を用いて接合することによってセラミックス接合体３を成形する工程（Ｓ３０）と、セラミックス接合体３を焼結する工程（Ｓ４０）とを備えている。第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する際のそれぞれの成形圧力は等方圧成形の成形圧力より低い。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を有し、ＷＯ_ｘ膜をＤＣスパッタにより成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、ＷＯ_２相とＷ_１８Ｏ_４９相との２相以上からなる組織を有した酸化タングステンの焼結体であり、ＷＯ_２相の組織中の割合が、５％以上である。このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＷＯ_２と、Ｗ_１８Ｏ_４９及びＷＯ_３の少なくとも一方とを含有した酸化タングステン粉を作製する工程と、該酸化タングステン粉を真空中でホットプレスにて焼結し、酸化タングステンの焼結体とする工程とを有し、前記酸化タングステン粉中の前記ＷＯ_２の含有量を、５〜９５ｍｏｌ％とする。 （もっと読む）

【課題】製鉄プロセスで使用される転炉において鉄皮の変形防止及び精錬効率の向上を図るとともに、環境問題及び黒鉛の資源枯渇問題に対応し、更にはマグカーボンれんがの耐食性を改善する。
【解決手段】耐火原料配合物中の、粒径１ｍｍ未満のマグネシア粒子量に対する粒径１ｍｍ以上のマグネシア粒子量の質量比が１．２７以上２．５８以下で、かつ、マグネシアと黒鉛の合計量に占める黒鉛の配合量が１０質量％以下であるマグネシアカーボン質れんがを、内張り用れんがの一部又は全部に使用した転炉の操業方法において、吹錬終了時の転炉内のスラグのＣａＯとＳｉＯ_２の質量比（Ｃ／Ｓ）が２．０以上で、かつ、スラグ中の酸化鉄の含有量をＦｅに換算した数値（Ｔ．Ｆｅ）が１２質量％以上となるように操業する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si／(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子％であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO₂相および珪酸亜鉛（Zn₂SiO₄）であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO_２粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃／分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式ＢａＴｉＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてＭｎ、Ｓｉの元素を含有する。ＫＮｂＯ_３とＢａＴｉＯ_３との混晶体から成る主成分とすることで、１００℃以下では、ＢａＴｉＯ_３が有する高い比誘電率を利用し、１５０℃以上では、ＫＮｂＯ_３が有する高い比誘電率を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶配向を制御したセラミックスの製法の提供。このように結晶配向制御されたセラミックスは電気抵抗に異方性を持ち、熱電変換セラミックスとして利用することができる。
【解決手段】拡散による結晶粒間の変形の緩和が生じうる温度と歪み速度を選定することにより大歪み加工を達成した。即ち、不整合結晶構造を持つＣｏ酸化物から成る多結晶を８００℃以上から該結晶の融点の３０℃下の温度までの温度範囲にて１．０×１０^−５〜１．０×１０^−３ｓ^−１の歪み速度で圧縮加工を行うことにより、この多結晶の（００１）面上ですべり変形を生じさせることができる。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式（Ｂａ_１−ｘＭ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＬ_ｙ）Ｏ_３（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＭｇから選択される少なくとも１種類）、（ただし、ＬはＺｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇの中から選択される少なくとも１種類）で表される第二の相との混合相から成る。 （もっと読む）

【課題】膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のＺｎＯ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末とＢ_２Ｏ_３粉末とを混合、焼成及び粉砕してＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末を得る工程と、平均粒径が０．５〜１μｍのＺｎＯ粉末と平均粒径が０．２〜０．５μｍのＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末とを混合、成形、焼成してＺｎＯ焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 （もっと読む）