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Fターム[4G146MB02]の内容

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Fターム[4G146MB02]に分類される特許

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【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】アチソン炉を用いて、安価にかつ大量に、しかも安全に高純度炭化珪素粉末を製造することができ、かつ、高純度炭化珪素粉末を製造する際の消費電力量を低減することができる高純度炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、高純度炭化珪素粉末を得る、高純度炭化珪素粉末の製造方法。上記シリカとカーボンからなる粒子は、好ましくは、粒子内のいずれの地点においても、シリカの含有率が90質量%以下であり、かつ、カーボンの含有率が10質量%以上のものである。 (もっと読む)


【課題】中空構造の球状粒子における実効的な比表面積が大きく、触媒として用いた場合の触媒機能が高く、しかも、機械的な耐久性が高く、さらには、内燃機関等から排出される排ガス中に含まれる各種物質の無害化処理や、プロピレン等の有機ガスに対する反応を、効率よく行うことが可能な中空顆粒状粒子及びその製造方法並びにそれを備えたガス処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の中空顆粒状粒子1は、一次粒子2を殻状に凝集してなる粒子径が0.2μm以上かつ20μm以下の中空二次粒子4とし、この中空二次粒子4をさらに殻状に凝集してなる粒子径が3μm以上かつ500μm以下の中空顆粒状粒子であり、この中空顆粒状粒子1の殻状の部分の厚みtは、その粒子半径rの1/4以上かつ2/3以下である。 (もっと読む)


【課題】従来よりも低温での熱処理により得られ、しかも高臨界電流密度を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物1を含ませることで、従来よりも低温での熱処理により得られ、高臨界電流密度を有する超電導線材10及びその製造方法を提供することができる。Mg(B1−x・・・(1)(ただし、式(1)中、xは0<x<1を満たす数であり、yは2.1≦yを満たす数である。) (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素ナノ粒子同士の凝集を抑制することにより分散性及び分散安定性を向上させることが可能な炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法及び炭化ケイ素ナノ粒子分散液、この炭化ケイ素ナノ粒子分散液を用いて得られる耐摩耗性、耐擦傷性、耐熱性、硬質性に優れた炭化ケイ素ナノ粒子膜を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法は、熱プラズマ法またはシリカ前駆体焼成法により作製され、一次粒子の平均粒子径が5nm以上かつ500nm以下の炭化ケイ素ナノ粒子1の表面に酸化処理を施して表面酸化層3を形成し、次いで、この炭化ケイ素ナノ粒子1の表面酸化層3を、フッ酸、フッ化アンモニウム、硝酸の群から選択された1種または2種以上を含む溶液を用いて溶解することにより除去し、次いで、この表面酸化層3が除去された炭化ケイ素ナノ粒子11を分散媒4中に分散させる。 (もっと読む)


【課題】蛍光体に過大な力を加えることなく製造することができ、得られる蛍光体粉末の大きさのばらつきを抑制することのできる直方体状の蛍光体粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 (もっと読む)


【課題】
電磁波照射を用いた炭化ケイ素合成における上記の問題を解決するためになされたものであり、投入原料全体にわたり均一に反応を生じさせ、反応温度の制御や管理も容易であり、しかも、省エネルギー、高効率かつ短時間で高純度・高品質の炭化ケイ素微粉末を製造する方法と、そのための製造装置を提供する。
【解決手段】
電磁波照射を利用するシリカの炭素熱還元による炭化ケイ素粉末の製造方法において、副生ガス通気孔14を有するとともに外周部に自己発熱材料13が、さらに、該自己発熱材料13の周囲に耐熱性多孔質断熱材料6が配置された耐熱性反応器5内に、シリカ源と炭素源を含む原料4を充填した後、電磁波を照射することにより、自己発熱材料13を介して原料4を非酸化雰囲気中で加熱して炭化ケイ素微粉末を得ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】水系押出成形体の成形精度の向上、特に厚肉長尺型成形体の乾燥工程における変形、寸法変化を抑制できる混合混練物の組成および成形体の乾燥加熱矯正法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセス用SiC部材の製造方法として、SiCの粉体と、水溶性樹脂を主成分とするバインダーと、水とを含む混練材料を混練して混合混練物を得る混練工程と、前記混合混練物を押出成形して成形体を得る成形工程と、高湿環境下で、前記成形体全体を均温化して乾燥体を得る乾燥工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】純度の向上と、収率の低下とのトレードオフ関係を改善した炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素坩堝を用いた昇華再結晶法による結晶成長に際して形成され、炭素坩堝1に結合した再結晶析出物を、炭素坩堝1ごと粉砕し、再結晶析出物が結合した状態で破片となった炭素坩堝材に水を浸透させる、水が浸透した破片状の炭素坩堝材に対して、水が凍結、融解する温度での温度サイクルを複数回繰り返した後、温度サイクルをかけられた炭素坩堝材を粉砕して炭化珪素単結晶育成用原料とする。 (もっと読む)


【課題】導電性かつ耐熱性を有する導電性薄膜を備える導電性基板を、低コストで提供する。
【解決手段】基材上に導電性薄膜を備える導電性基板であって、該導電性薄膜が、周期表(長周期型)第6族遷移金属炭化物及び/又は周期表(長周期型)第6族遷移金属二酸化物を含むナノ粒子が融着した構造を有する、導電性基板、及び、下記工程(I)及び工程(II)を有する、導電性基板の製造方法である。
工程(I):基材上に、周期表(長周期型)第6族遷移金属炭化物を含むナノ粒子を含有する薄膜を形成する工程
工程(II):不活性ガス及び/又は還元性ガス雰囲気下で該薄膜を焼成する工程 (もっと読む)


【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素/ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が1.0〜100μmであり、かつ、13C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20%以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造できる湿式法を用い、ダイヤモンドやCBN等の不活性な硬質粒子の表面に均一な表面処理皮膜を形成して分散性の良い表面処理皮膜付き硬質粒子を製造する方法等を提供する。
【解決手段】ヌープ硬度が1000以上の硬質粒子2を準備する工程と、その硬質粒子2をZr、Ti、Si、Cr、Ta、Hf、Sn、Mo、W、Zn、In及びVから選ばれる1種又は2種以上の金属のフッ化物錯体を含む水溶液中に保持して、前記硬質粒子2の表面に前記金属の水和酸化物含有膜3’を形成する工程と、前記金属の水和酸化物含有膜3’が形成された硬質粒子を乾燥させる工程と、を有する方法により、表面処理皮膜付き硬質粒子1を製造した。水和酸化物含有膜形成工程と乾燥工程との間には、リン化合物を含有する水溶液への接触工程を設けることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】使用済みのSiC−Al系耐火物から、耐火物原料として通常のSiC原料と同様に使用できるSiCを高純度で分離回収することができる方法を提供する。
【解決手段】使用済みのSiC−Al系耐火物を粉砕し、その粉砕物を陰イオン界面活性剤を添加した水溶液に投入して浮遊選鉱法によりAlを浮上分離させ、沈殿物のSiCを分離回収する。 (もっと読む)


【課題】簡単な操作方法と手段でシリコンと炭化ケイ素を回収することができるカッティング廃液の処理、回収方法とその手段を提供する。
【解決手段】第一のステップと、第二のステップと、第三のステップと、第四のステップを含んでなり、第一のステップでは、カッティング廃液を希塩酸で攪拌混合して流動し易い混合材料にし、第二のステップでは、混合材料を過熱して液体分離して水とポリエチレングリコールを蒸発させ、冷却、脱水してポリエチレングリコールを回収し、分離して得られる固体が炭化ケイ素とシリコンの固体混合物で、第三のステップでは、固体混合物を二次洗浄して炭化ケイ素とシリコンの二次洗浄の固体混合物を回収し、第四のステップでは硝酸とハフニウムから組成した混合酸性溶液で、炭化ケイ素とシリコンを回収し、廃液重量から計算すると、26−46%の回収率に達する。 (もっと読む)


【課題】高絶縁性の炭化ケイ素粉体、及び、耐熱性に優れると共に、高熱伝導性と高絶縁性を同時に有する複合組成物を提供すること。
【解決手段】表面が、焼成によって設けられた、厚みが10nm〜500nmの酸化物被膜によって被覆されてなることを特徴とする炭化ケイ素粉体。 (もっと読む)


【課題】本発明は、昇華再結晶法による単結晶成長において、高くかつ安定した昇華速度を示す炭化ケイ素粉体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が100℃以上700μm以下であり、かつ比表面積が0.05m/g以上0.30m/g以下である炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。粒子径が5μm以上200μm以下の一次粒子が焼結した粒子形態であることが好ましい。平均粒径が20μm以下の炭化ケイ素粉体を、温度1900℃以上2400℃以下、圧力70MPa以下、非酸化性雰囲気下の条件で加圧焼結させ、密度1.29g/cm以上の焼結体を得る工程、得られた焼結体の粉砕による粒度調整工程、酸処理による不純物除去工程、を含む炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】超硬質多結晶炭化ホウ素材料を提供する。
【解決手段】本発明の多結晶BC材料は強磁界整列技術及び焼結によって作製することができる。このB4Cのc軸は印加された磁界に垂直に高度に配向されていた。c軸に垂直/平行な表面上で測定された硬度は夫々38.86±2.13GPa及び31.31±0.79GPaであった。これらの大きな値の硬度、弾性係数及び破壊靱性によりB4C材料の応用分野が拡大する。 (もっと読む)


【課題】反応基質として有機溶媒を使用することなく、化合物ナノ粒子を十分に高度な収率で製造することが可能な化合物ナノ粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】レーザー光Lを発生させるためのレーザー発振器10と、溶媒13を保持するための処理容器12と、処理容器12内に保持されている溶媒13と、処理容器12内に配置したターゲット14とを備える液相レーザーアブレーション装置を用い、ターゲット14として、レーザー光Lを吸収する材料を2種類以上含有するものを用い、ターゲット14の密度が前記溶媒の密度よりも大きくなるようにターゲット14及び溶媒13を選択して用い、ターゲット14を処理容器12の底部Bに沈殿させて配置し、ターゲット14に対してレーザー光Lを照射して液相レーザーアブレーションを行い、発生させた各微粒子同士を反応た化合物からなるナノ粒子を形成することを特徴とする化合物ナノ粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】平均粒子径が50nm以下であり、大きな凝集粒子も無く、均質な炭化ケイ素粉体を得るための炭化ケイ素前駆物質の製造方法、及び、この炭化ケイ素前駆物質を基に平均粒子径が50nm以下の均質な炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素前駆物質の製造方法は、液状の炭素源と平均粒子径が40nm以下の二酸化ケイ素粉体とを混合し、得られた混合物を乾燥し、次いで炭化処理を行い、嵩密度が0.3g/cm以上かつ1.3g/cm以下の炭化ケイ素前駆物質とする。 (もっと読む)


【課題】連続した試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】第1の軸に沿ってレーザ光線11を照射するレーザ10と、第1の軸と垂直な方向から試薬流13を流し第1の相互作用ゾーン15でレーザ光線と交差するように構成された第1の注入装置と、第1の軸に沿って第1の相互作用ゾーンの下流側に第2の相互作用ゾーン15’を形成する第2の試薬流13’を与える第2の注入装置と、レーザ光線のエネルギーをレーザ光束の幅及び高さを独立して変更可能な光学部材12を備え、レーザ光密度が第1の相互作用ゾーンと第2の相互作用ゾーンにおいて同一の水準にすることが可能なシステムを用い、試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造する。 (もっと読む)


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