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Fターム[4G146MB05]の内容

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Fターム[4G146MB05]に分類される特許

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【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】常温下と高温下の双方の雰囲気下においても、高強度を有する炭化珪素焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素粉末を得る、炭化珪素粉末製造工程と、得られた炭化珪素粉末を焼結して、炭化珪素焼結体を得る、焼結工程を含む、炭化珪素焼結体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、1500℃を超え2600℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】従来よりも低温での熱処理により得られ、しかも高臨界電流密度を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物1を含ませることで、従来よりも低温での熱処理により得られ、高臨界電流密度を有する超電導線材10及びその製造方法を提供することができる。Mg(B1−x・・・(1)(ただし、式(1)中、xは0<x<1を満たす数であり、yは2.1≦yを満たす数である。) (もっと読む)


【課題】水系押出成形体の成形精度の向上、特に厚肉長尺型成形体の乾燥工程における変形、寸法変化を抑制できる混合混練物の組成および成形体の乾燥加熱矯正法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセス用SiC部材の製造方法として、SiCの粉体と、水溶性樹脂を主成分とするバインダーと、水とを含む混練材料を混練して混合混練物を得る混練工程と、前記混合混練物を押出成形して成形体を得る成形工程と、高湿環境下で、前記成形体全体を均温化して乾燥体を得る乾燥工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素/ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が1.0〜100μmであり、かつ、13C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20%以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素(炭化ケイ素)を母材とする微細周期構造を有するモールドにおいて、ガラスの成型などの用途に適した傾斜した断面形状の微細周期構造を有するモールドを、比較的簡単な方法によって再現性良く形成出来る方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素基板上に、開口部を有するタングステンシリサイドからなるドライエッチング用マスクを形成した後、エッチングガスとしてフッ素含有ガス単独又はフッ素含有ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によって炭化ケイ素基板をドライエッチングすることを特徴とする炭化ケイ素製モールドの製造方法。 (もっと読む)


【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H−SiC単結晶基板上にSiCのエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】カーボン含有耐火物の耐熱衝撃性、耐酸化性及び耐食性をさらに向上させること。
【解決手段】AlCを15.5質量%以上95質量%以下含有するカーボン含有耐火物である。AlC源としては、炭素質原料とアルミナ質原料に、炭化珪素、炭化硼素、窒化アルミニウム、窒化硼素及び金属のうち1種以上を添加し、アーク炉で溶融することにより製造され、カーボンを3.1質量%以上6.5質量%以下含有するアルミニウムオキシカーバイド組成物原料を使用する。 (もっと読む)


【課題】 炭化物は、高硬度、低熱膨張、高熱伝導率で、耐腐食性や耐熱性、耐摩耗性に優れる等の特徴を有するため多方面で使用されており、近年、更に優れた特性を有する物質としてアルミニウムと炭素および他の元素を含む複合炭化物が注目されているが、この複合炭化物も長期間あるいは高温下で水や水蒸気雰囲気にさらされた場合には水和反応が進行して水和物へと変化する場合があり、水や水蒸気が存在する条件下では安定して使用または保管できないという課題がある。従って本発明の目的は、耐熱性、耐食性に優れ、かつ耐水和性に優れた複合炭化物を提供することにある。
【解決手段】 アルミニウムと炭素および他の元素を含む複合炭化物において、表面に酸化被膜を有することを特徴とする複合炭化物およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】 凝集性を改良した炭化ケイ素微粉を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素粗粉体に、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子を加えてなる炭化ケイ素微粉であって、そのBET比表面積比(=金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子のBET比表面積/炭化ケイ素粗粉体のBET比表面積)が20〜80で、且つ、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子の含有量が1〜10%であることを特徴とする。前記炭化ケイ素粗粉体のBET比表面積が1〜10m/gであること、前記金属酸化物が、ケイ素、アルミニウム、チタンの酸化物の少なくとも1種からなること、が好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数のハニカムユニットに安定して通電すると共に、高容量バッテリーから端子を経て電極間に電圧を印加しても断線及び接触抵抗による発熱を抑制することが可能なハニカム構造体及び該ハニカム構造体を有する排ガス浄化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ハニカム構造体10は、複数の貫通孔が長手方向に並設されていると共に、導電性セラミックスを含むハニカムユニット11が接着層12を介して4個接着されており、ハニカムユニット11の外周面には、一対の帯状電極13が形成されており、4個の一対の帯状電極13と電気的に接続されている一対の導電部材14が設置されている。 (もっと読む)


【課題】アルミ電解炉におけるエネルギー効率を改善するために、電気比抵抗が低く、熱伝導性の高いアルミニウム精錬用カソードカーボンブロックおよびその製造方法を提供する。アルミニウム溶湯との濡れ性も改善され、且つ電解浴による電気化学的侵食の速度を低下させて長寿命を達成できるアルミニウム精錬用カソードカーボンブロックおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
混合工程では、炭化原料64〜97%と炭化チタン3〜36%の混合比率で混合する。このとき、粒子径1mm以下の原料組成において炭化チタン比率を5〜100%とする。捏合・成形工程では、混合工程を経た混合物に有機バインダーを加え捏合し、成形する。焼成工程では、成形体を焼成する。黒鉛化処理工程では、焼成工程を経て焼成された焼成体を2400〜3000℃で黒鉛化処理する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも高強度な炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、焼成成形してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、X線回折法による、前記炭素繊維の炭素002面の面間隔d002が、3.36〜3.43であることを特徴とする炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。炭素繊維はピッチ由来の前駆体から焼成して得られた炭素繊維であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶SiC基板11の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜12を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材10であって、イリジウム膜又はロジウム膜12は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶SiC基板11とイリジウム膜又はロジウム膜12の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜13をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材10’であってもよい。基材10’がMgO膜13を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜12の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 (もっと読む)


【課題】表面の平滑度の高い炭化ケイ素部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、β型炭化ケイ素部材を表面加工する工程と、この表面加工を施したβ型炭化ケイ素部材を、Siを含有する雰囲気中において1400〜1900℃の加熱温度で熱処理することにより、β型炭化ケイ素部材の表面における炭化ケイ素の粒成長を促進させる工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】排気ガス中の揮発性有機化合物のガスを炭化物に吸着させて製造する炭化物の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化した有機廃棄物を円柱体に形成し、炭化物1を製造する。炭化物1は、前記円柱体の軸方向に略平行で、前記円柱体の略平行な一方の面1Aと他方の面1Bを貫通する複数の貫通孔1aを備えている。該炭化物1を排気通路2内の排気ガスの流れに対して、炭化物1の複数の貫通孔1aが略平行になるように炭化物1を排気通路2内に設置し、前記排気ガス中の揮発性有機化合物のガスを炭化物1内に通過させ、炭化物1に吸着させて製造する。 (もっと読む)


【課題】シリコンウエハーの製造工程において生じる多量のシリコン切削屑等を原料として、工業材料に適する品質の炭化珪素を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン屑に対してカーボン粉を当量以上混合し、この混合粉を、非酸化性雰囲気下、1000℃〜1400℃で、6時間〜24時間加熱してシリコン屑とカーボン粉を反応させて炭化珪素を製造し、冷却後、酸洗浄して不純物を除去し、乾燥することを特徴とする炭化珪素の製造方法であって、好ましくは、シリコンウエハーの製造工程において生じたシリコン切削屑を用い、シリコン切削屑を脱脂処理ないし脱水処理した後にカーボン粉と混合し、加熱処理後に生成物を酸浸出した後に、水またはアルコールで洗浄して不純物を除去する炭化珪素の製造方法。 (もっと読む)


【課題】使用されたディーゼル粒子フィルタの濾過性能を高めるために、カーボンブラック粒子を堆積することができる表面積をできる限り大きくする必要がある
【解決手段】ケイ素含有粒子からなる材料を、ポリアミドの存在で熱分解する、ディーゼル車両用の、再生可能なセラミックの粒子フィルタの製造方法。前記方法から製造された粒子フィルタは>350m2/lのBET表面積を有する。 (もっと読む)


【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、1500℃を超え2600℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 (もっと読む)


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