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Fターム[4G146MB19]の内容

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Fターム[4G146MB19]に分類される特許

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【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高純度の炭化珪素ウィスカーを提供する。
【解決手段】B及びPの各々の含有率が1ppm以下である高純度炭化珪素ウィスカー。
珪酸質原料と炭素質原料の混合物からなるペレットを、非酸化性雰囲気下で加熱して高純度炭化珪素ウィスカーを得る方法であって、上記ペレットのかさ密度を上記ペレットの真密度で除した値が0.5〜0.8となるように上記ペレットを集合させて、上記加熱を行う、高純度炭化珪素ウィスカーの製造方法。 (もっと読む)


【課題】蛍光体に過大な力を加えることなく製造することができ、得られる蛍光体粉末の大きさのばらつきを抑制することのできる直方体状の蛍光体粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 (もっと読む)


【課題】
電磁波照射を用いた炭化ケイ素合成における上記の問題を解決するためになされたものであり、投入原料全体にわたり均一に反応を生じさせ、反応温度の制御や管理も容易であり、しかも、省エネルギー、高効率かつ短時間で高純度・高品質の炭化ケイ素微粉末を製造する方法と、そのための製造装置を提供する。
【解決手段】
電磁波照射を利用するシリカの炭素熱還元による炭化ケイ素粉末の製造方法において、副生ガス通気孔14を有するとともに外周部に自己発熱材料13が、さらに、該自己発熱材料13の周囲に耐熱性多孔質断熱材料6が配置された耐熱性反応器5内に、シリカ源と炭素源を含む原料4を充填した後、電磁波を照射することにより、自己発熱材料13を介して原料4を非酸化雰囲気中で加熱して炭化ケイ素微粉末を得ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】化学気相成長法などの多くのエネルギを消費する方法によらず電気めっきによる環境に優しい方法により作製された金属炭化物めっき膜を提供する。
【解決手段】金属イオンと、シアンイオンと、前記金属イオンと錯体を形成する有機酸イオンとを含む電気めっき液に、陰極として電解脱脂処理及び酸活性処理されたNi基板と、陽極として網状の白金被覆チタン電極を浸漬し、電流密度を調整してめっきすることにより、金属炭化物Ni3Cに相当する主相を有するめっき膜B、C、Dを得た。 (もっと読む)


【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素/ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が1.0〜100μmであり、かつ、13C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20%以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 (もっと読む)


【課題】 凝集性を改良した炭化ケイ素微粉を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素粗粉体に、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子を加えてなる炭化ケイ素微粉であって、そのBET比表面積比(=金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子のBET比表面積/炭化ケイ素粗粉体のBET比表面積)が20〜80で、且つ、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子の含有量が1〜10%であることを特徴とする。前記炭化ケイ素粗粉体のBET比表面積が1〜10m/gであること、前記金属酸化物が、ケイ素、アルミニウム、チタンの酸化物の少なくとも1種からなること、が好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数のハニカムユニットに安定して通電すると共に、高容量バッテリーから端子を経て電極間に電圧を印加しても断線及び接触抵抗による発熱を抑制することが可能なハニカム構造体及び該ハニカム構造体を有する排ガス浄化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ハニカム構造体10は、複数の貫通孔が長手方向に並設されていると共に、導電性セラミックスを含むハニカムユニット11が接着層12を介して4個接着されており、ハニカムユニット11の外周面には、一対の帯状電極13が形成されており、4個の一対の帯状電極13と電気的に接続されている一対の導電部材14が設置されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、反応ガス及び未反応ガスを円滑で、かつ均一に排出できる真空熱処理装置用熱処理容器を提供することをその目的とする。
【解決手段】本発明に従う真空熱処理装置用熱処理容器は、底部と側壁とを含み、側壁の上部に排気通路が形成される。 (もっと読む)


【課題】目的の粒子径の炭化ケイ素粉体を効率よく得ることができるα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法、及び、この粒径制御方法により粒径が制御されたα型炭化ケイ素粉体を用いることで不純物が少なくかつ均質な炭化ケイ素単結晶を提供する。
【解決手段】本発明のα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法は、β型炭化ケイ素または炭化ケイ素前駆体を非酸化性の雰囲気中にて加熱し、前記β型炭化ケイ素、または前記炭化ケイ素前駆体から生成するβ型炭化ケイ素をα型炭化ケイ素に相転移させて生成するα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法であり、雰囲気の圧力を変化させてβ型炭化ケイ素からα型炭化ケイ素への相転移温度を制御し、平均粒子径が10μm以上のα型炭化ケイ素粉体を生成する。 (もっと読む)


本発明は、原料としてのカーボンブラックと超微粉タングステンを用いて超微粉タングステンカーバイドを作成する方法である。本発明方法は以下の工程より成る。(1)純粋二酸化炭素ガスの存在で超微粉タングステンを不活性化する工程と、(2)冷却水と不活性ガスとを導入した後超微粉タングステンとカーボンブラック粉とを混合するカーボン付加工程と、(3)タングステンカーバイド粉を乾留炉内で高温で乾留し、塊状に合成する工程と、(4)塊状のタングステンカーバイド粉を、粉砕し、冷却し、ふるいにかけて超微粉タングステンカーバイドを得る工程。
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【課題】黒鉛などの炭素基材の表面に炭化ケイ素被膜が緻密にかつ均一に被覆された炭化ケイ素被覆炭素基材を製造する。
【解決手段】未結合手を有しないSP炭素構造からなるベース部と、未結合手を有するSP炭素構造からなるエッジ部とを表面に有する炭素基材を準備する工程と、温度1400〜1600℃、圧力1〜150Paの雰囲気中で、炭素基材の表面と、SiOガスとを反応させて炭化ケイ素を形成することにより、炭化ケイ素で被覆された炭素基材を製造する工程とを備えることを特徴としている。 (もっと読む)


【解決手段】
0.01重量%未満の総鉱物性不純物と選択的に決定された炭素:シリコンの比率を含む、シリコン、炭化ケイ素および窒化ケイ素などのシリコン含有生成物。その生成物は、少なくとも3重量%のシリカを含む、籾殻および稲藁などの植物に由来する。制御された温度、圧力および反応時間の下、固定炭素:シリカのモル比を調節しながら、シリコン含有植物を硫酸水溶液で浸出して鉱物および金属を除去し、次いで、制御された条件下、熱的に処理して所望の生成物を生産することを特徴とする、そのような高純度のシリコン含有生成物を作るための方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】耐酸化性に優れ、耐熱性を有するα型炭化ケイ素粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】下記の(a)及び/又は(b)を満たす、カーボンファイバー及び/又はチューブと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内で、0.1気圧以下で、カーボンファイバー等を1,400℃以上の温度に加熱し、前記一酸化ケイ素を1,100℃以上の温度であって前記カーボンファイバー及び/又は前記カーボンチューブの加熱温度より低い温度に加熱してα型炭化ケイ素粒子を生成させる工程、を含む、α型炭化ケイ素粒子の製造方法。
ここで、(a)は粉末X線回折法によるグラファイト(002)面の回折ピークの半値幅が1°以下であること;(b)は600℃の大気中で加熱して重量減少が10%以下であること。 (もっと読む)


【課題】高容量で、サイクル特性に優れた二次電池、およびそれに用いられる負極活物質を提供する。
【解決手段】負極22は、リチウムと反応可能な負極活物質を含んでいる。この負極活物質は、構成元素として、ケイ素と、ホウ素と、炭素と、コバルト、チタンおよび鉄のうちの少なくとも1種の金属元素とを含んでいる。ホウ素の含有量は4.9質量%以上19.8質量%以下、炭素の含有量は4.9質量%以上19.8質量%以下、ホウ素と炭素との含有量の合計は9.8質量%以上29.8質量%以下、ケイ素と金属元素との含有量の合計に対するケイ素の含有量の割合は70質量%以上95質量%以下である。また、負極活物質は、リチウムと反応可能であり、X線回折により得られる回折ピークの半値幅が1°以上である反応相を有する。これにより、高い容量を維持しつつ、サイクル特性が改善される。 (もっと読む)


【課題】1,000℃以上の高温でも耐酸化性に優れ、耐熱性を有する炭化ケイ素チューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】下記の(a)及び/又は(b)を満たし、平均外径が50nm以上であって、直径と長さのアスペクト比が10以上である、カーボンファイバーと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内において、0.1気圧以下の真空下で、1,400℃以上の温度に加熱して炭化ケイ素を反応生成させる工程、並びに、600℃以上800℃以下の大気中で反応生成物を加熱して、残存するカーボンを酸化除去する工程、を含む炭化ケイ素チューブの製造方法。
(a)グラファイト(002)面のX線回折強度の半値幅が、1°以下の強度を有すること;(b)600℃の大気中で加熱したときに重量減少が10%以下であること (もっと読む)


【課題】結晶系が2H相である炭化ケイ素を20%以上含み、形状異方性を有する炭化ケイ素粒子、および、この炭化ケイ素粒子を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素は、2H相を20%以上含み、粒子長さが1μm以下であり、かつ、形状異方性を有することを特徴とする。本発明の炭化ケイ素粒子の製造方法は、炭素源およびケイ素源を含む炭化ケイ素前駆体を不活性雰囲気中にて熱処理し、炭化ケイ素とする炭化ケイ素粒子の製造方法であって、前記炭化ケイ素前駆体のアルカリ金属の含有量を0.1質量%以上かつ10質量%以下とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】平均粒子径が200nm以下であり、かつ、任意の粒子径の炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭化ケイ素微細粒子または炭化ケイ素前駆体を熱処理する、炭化ケイ素粉末の製造方法であって、前記熱処理を、還元性ガスを含む雰囲気で行なうとともに、前記雰囲気中における熱処理温度を1500℃以上かつ1900℃以下とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】不純物の含有量が低減されたより高純度の炭化珪素粉体を製造できる焼成炉、及び炭化珪素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼成炉100は、マッフル4によって区画された処理室3と、処理室3内に配設され、被焼成物8が収められる坩堝5と、外部から不活性ガスを供給する不活性ガス供給管6とを備え、マッフル4と坩堝5との間には空隙45が形成され、不活性ガス供給管6の開口端部62は、空隙45に配設される。 (もっと読む)


【課題】 超硬合金の高硬度と高強度(抗折力)を両立可能な炭化タングステン粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭化タングステン粉末は、レーザー回折・散乱法にて粒度測定した際に得られる粒度分布の累積パーセント径、D10%、D50%、D90%のそれぞれの値をX、Y、Zμmとしたとき、0.35≦X/Y、Z/Y≦2.85、0.20≦Y≦1.20である。
本発明の炭化タングステン粉末は、金属タングステン粉末またはタングステン酸化物粉末のいずれかと炭素源粉末との混合物を原料として、加熱処理にて得られた炭化タングステン粉末を、気流式粉砕機にて、粉砕ガス圧力0.4〜0.7MPaで粉砕し、その後、遠心分級機にて、分級風量4.0〜6.0m/分、分級機周速2200〜3500m/分で分級して得られる。 (もっと読む)


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