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Fターム[4G146MB23]の内容

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Fターム[4G146MB23]に分類される特許

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【課題】高純度の炭化珪素ウィスカーを提供する。
【解決手段】B及びPの各々の含有率が1ppm以下である高純度炭化珪素ウィスカー。
珪酸質原料と炭素質原料の混合物からなるペレットを、非酸化性雰囲気下で加熱して高純度炭化珪素ウィスカーを得る方法であって、上記ペレットのかさ密度を上記ペレットの真密度で除した値が0.5〜0.8となるように上記ペレットを集合させて、上記加熱を行う、高純度炭化珪素ウィスカーの製造方法。 (もっと読む)


【課題】アチソン炉を用いて、安価にかつ大量に、しかも安全に高純度炭化珪素粉末を製造することができ、かつ、高純度炭化珪素粉末を製造する際の消費電力量を低減することができる高純度炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、高純度炭化珪素粉末を得る、高純度炭化珪素粉末の製造方法。上記シリカとカーボンからなる粒子は、好ましくは、粒子内のいずれの地点においても、シリカの含有率が90質量%以下であり、かつ、カーボンの含有率が10質量%以上のものである。 (もっと読む)


【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、1500℃を超え2600℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してSiC等のSiC系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板200を処理室201内に収容する工程と、加熱された処理室201内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板200上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室201内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室201内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室201内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室201内を排気する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 FRPを有効利用して低コスト、効率的かつ簡便に得ることのできるSiC製造方法を提供すること。
【解決手段】 FRP<1>を粉末化する粉末化工程<P1>と、粉末化工程<P1>により得られたFRP粉末<2>を加熱処理する加熱処理工程<P2>とにより構成される、極めて簡素なものである。したがって本製法によれば、粉末化工程<P1>においてFRP<1>が粉末化されてFRP粉末<2>が得られ、ついで加熱処理工程<P2>においてFRP粉末<2>が加熱処理されることによって、容易に目的のSiC<3>を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】純度の向上と、収率の低下とのトレードオフ関係を改善した炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素坩堝を用いた昇華再結晶法による結晶成長に際して形成され、炭素坩堝1に結合した再結晶析出物を、炭素坩堝1ごと粉砕し、再結晶析出物が結合した状態で破片となった炭素坩堝材に水を浸透させる、水が浸透した破片状の炭素坩堝材に対して、水が凍結、融解する温度での温度サイクルを複数回繰り返した後、温度サイクルをかけられた炭素坩堝材を粉砕して炭化珪素単結晶育成用原料とする。 (もっと読む)


【課題】SiCエピタキシャル成長のような1500℃から1700℃といった超高温での処理を行う場合に、成膜ガスをマニホールドの耐熱温度まで低下させると共に、膜質均一性を向上させ得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板14の処理を行う反応室44と、複数の基板14を保持する基板保持具15と、反応室44内に設けられ、反応室44内の成膜ガスが流れる流路より狭い流路を形成する熱交換部34と、を備え、基板保持具15の最下部に保持された基板よりも下方に空間340を有する基板処理装置を用いる。 (もっと読む)


【課題】導電性かつ耐熱性を有する導電性薄膜を備える導電性基板を、低コストで提供する。
【解決手段】基材上に導電性薄膜を備える導電性基板であって、該導電性薄膜が、周期表(長周期型)第6族遷移金属炭化物及び/又は周期表(長周期型)第6族遷移金属二酸化物を含むナノ粒子が融着した構造を有する、導電性基板、及び、下記工程(I)及び工程(II)を有する、導電性基板の製造方法である。
工程(I):基材上に、周期表(長周期型)第6族遷移金属炭化物を含むナノ粒子を含有する薄膜を形成する工程
工程(II):不活性ガス及び/又は還元性ガス雰囲気下で該薄膜を焼成する工程 (もっと読む)


【課題】ガスノズルのガス供給口を閉塞させること無く、歩留まりを良くする。
【解決手段】複数積層されたウェーハ14を処理(熱処理)する反応管42(マニホールド36)と、反応管42内を加熱する加熱体48と、反応管42内に設けられ、各ウェーハ14の積層方向に延びる第1ガス供給ノズル60と、第1ガス供給ノズル60の基端部60aから先端部60bに向けて複数並んで設けられ、各ウェーハ14に向けてSi原子含有ガス(成膜ガス)およびCl原子含有ガス(エッチングガス)を供給する第1ガス供給口68と、第1ガス供給ノズル60の先端部60bに設けられ、ガス供給方向に向けて延びる整流板61とを備えている。これにより、最上段の第1ガス供給口68の周辺におけるエッチングガスの濃度低下を抑えることができ、第1ガス供給口68を閉塞させることが無いので、歩留まりを良くすることができる。 (もっと読む)


【課題】反応室内のSiC基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化することで、基板上での原料ガスを消費しやすくし、基板面内でのガス流れを均等化し、積層された基板間の下方方向への流れ落ちを抑制するSiC縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】炭化珪素膜を成長させることを可能とする反応室とその中に配置されたボートを有し、且つそのボートには、複数枚の基板14が平行に縦積みで配置され、反応室内に設けられたガス供給ノズル60,70の基板の配列領域に設けられた第一のガス供給ノズルから少なくともシリコン原子含有ガスを供給し、ガス供給ノズルとは異なる箇所であって、基板の配列領域に設けられた第二のガス供給ノズルから少なくとも炭素原子含有ガスを供給して、基板上に炭化珪素膜を成膜する縦型基板処理装置において、反応室内の基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化するための壁体300を設ける。 (もっと読む)


【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H−SiC単結晶基板上にSiCのエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】SiC半導体の表面特性を向上できるSiC半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】SiC半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。SiC半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、150ppm以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、SiC半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】大面積かつ低抵抗のグラフェンシートを備えたグラフェンシート付き基材、及び、このグラフェンシート付き基材を安価に製造することが可能なグラフェンシート付き基材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンシート付き基材1は、結晶方位が(111)面のシリコン基板2に、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素層3、グラフェンシート4が順次積層されている。 (もっと読む)


【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ7に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン55を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス56、57を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜10を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド59を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 (もっと読む)


【課題】コストを抑え、エネルギーを十分に有効利用し、環境保護にも適し、炭化ケイ素原料を製造しケイ素原料の生産効率を高める新たなシステムと方法を提供する。
【解決手段】工場から排出される二酸化炭素を回収し、二酸化ケイ素と回収された二酸化炭素を利用した炭化ケイ素原料と酸素を製造するものである。他の実施形態では、炭化ケイ素原料の製造方法は、工場から排出される二酸化炭素を回収し、ケイ素と回収された二酸化炭素を利用し炭化ケイ素原料と酸素を製造するものである。 (もっと読む)


【課題】目的の粒子径の炭化ケイ素粉体を効率よく得ることができるα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法、及び、この粒径制御方法により粒径が制御されたα型炭化ケイ素粉体を用いることで不純物が少なくかつ均質な炭化ケイ素単結晶を提供する。
【解決手段】本発明のα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法は、β型炭化ケイ素または炭化ケイ素前駆体を非酸化性の雰囲気中にて加熱し、前記β型炭化ケイ素、または前記炭化ケイ素前駆体から生成するβ型炭化ケイ素をα型炭化ケイ素に相転移させて生成するα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法であり、雰囲気の圧力を変化させてβ型炭化ケイ素からα型炭化ケイ素への相転移温度を制御し、平均粒子径が10μm以上のα型炭化ケイ素粉体を生成する。 (もっと読む)


【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶SiC基板11の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜12を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材10であって、イリジウム膜又はロジウム膜12は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶SiC基板11とイリジウム膜又はロジウム膜12の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜13をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材10’であってもよい。基材10’がMgO膜13を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜12の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 (もっと読む)


【課題】光透過性が低く、かつ、伝熱性が高く、半導体製造等における熱処理工程、特に、急速加熱・急速冷却熱処理に好適に用いることができる炭化ケイ素材料を提供する。
【解決手段】CVD法により成膜されたβ−SiCからなり、成膜方向に対する垂直断面において、結晶面(311)/(111)のX線回折によるピーク強度比が0.8よりも大きい層が、厚さ40μm以上で形成された炭化ケイ素材料を半導体製造装置の熱処理用部材に用いる。 (もっと読む)


【課題】表面の平滑度の高い炭化ケイ素部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、β型炭化ケイ素部材を表面加工する工程と、この表面加工を施したβ型炭化ケイ素部材を、Siを含有する雰囲気中において1400〜1900℃の加熱温度で熱処理することにより、β型炭化ケイ素部材の表面における炭化ケイ素の粒成長を促進させる工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、単結晶炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、単結晶炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度900℃以上で照射され、その照射量がはじき出し量として5dpa以上である。 (もっと読む)


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