【課題】半導体製造装置部品用のSiC焼結体に用いられる高純度SiC微粉末あるいはSiCとC
が混合した微粉末を、安価なSiO₂をCと均一に混合し、高温で反応させて、安価に製造す
る方法を提供する。
【解決手段】SiO₂原料に微粒子シリカとC源に熱分解して炭素を生じる液状の熱硬化性樹
脂を用い、両者を溶媒下でゾル−ゲル反応で均一に混合させる。固化させた後に不活性ガ
ス中で熱処理し、SiC単体あるいはSiCとCが混合した高純度SiC粉末を合成する方法。 （もっと読む）

【解決手段】金属カーバイドと、該金属カーバイドをワンステップのプロセスによって合成する方法に関するものである。各種金属(例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＭｏであり、これらに限定されるものではない)の酸化物を、球状又は繊維状のナノ構造カーボン前駆物質と物理的に混合し、９００〜１９００℃の温度まで誘導加熱して、金属酸化物をカーボンと反応させて、異なる金属カーバイドを生成するものである。このプロセスでは、得られた金属カーバイドの中でカーボン前駆物質は元の形態が維持される。得られたナノサイズの金属カーバイドは、高結晶性である。金属カーバイド製品は、高温熱電装置、量子井戸、光電子装置、半導体、防護服、装甲車、触媒等の用途に用いられ、アルミニウム及びその他合金に不連続補強材として用いられる。 （もっと読む）

【課題】疑似容量効果の発現のための水和反応が促進され、導電性、成型性に優れると共に金属酸化物の疑似容量効果が高く、高容量のキャパシタ特性を発現するための電極材料として有用な特定な炭素被覆金属酸化物、およびこれを電極とした、燃料電池自動車、ハイブリッド型自動車等の補助電源、エネルギー回生等としての応用が可能な高容量のレドックス型キャパシタを提供する。
【解決手段】炭素で被覆されたタングステン微粒子又はモリブデン微粒子。好ましくは、タングステン又はモリブデンが、その単体、酸化物、炭化物および塩類から選ばれた少なくとも一種であり、粒径が１０〜５００ｎｍであることを炭素被覆タングステン微粒子又は炭素被覆モリブデン微粒子。この微粒子を電極としたレドックス型キャパシタ。 （もっと読む）

【課題】細長いカーバイドナノ構造を製造する方法において、基材に複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工する。
【解決手段】空間的に離隔した触媒粒子及び基材の少なくとも一部を、予め選択された温度で、基材と触媒粒子の少なくとも１個との間に無機ナノ構造を形成させるのに十分な時間にわたって、含金属蒸気に曝露する。無機ナノ構造を、予め選択された温度で、無機ナノ構造を炭化するのに十分な時間にわたって、含炭素蒸気源に曝露する。 （もっと読む）