【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アチソン炉を用いて、安価にかつ大量に、しかも安全に高純度炭化珪素粉末を製造することができ、かつ、高純度炭化珪素粉末を製造する際の消費電力量を低減することができる高純度炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、高純度炭化珪素粉末を得る、高純度炭化珪素粉末の製造方法。上記シリカとカーボンからなる粒子は、好ましくは、粒子内のいずれの地点においても、シリカの含有率が９０質量％以下であり、かつ、カーボンの含有率が１０質量％以上のものである。 （もっと読む）

【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１００は、基板７の温度を測定する放射温度計２４ａ、２４ｂと、基板７の周辺にガス噴出部１９が設けられたガス流路１８と、ガス流路１８に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、放射温度計２４ａ、２４ｂによる測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路１８に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部２６とを有する。ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部２８と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低温での熱処理により得られ、しかも高臨界電流密度を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物１を含ませることで、従来よりも低温での熱処理により得られ、高臨界電流密度を有する超電導線材１０及びその製造方法を提供することができる。Ｍｇ（Ｂ_１−ｘＣ_ｘ）_ｙ・・・（１）（ただし、式（１）中、ｘは０＜ｘ＜１を満たす数であり、ｙは２．１≦ｙを満たす数である。） （もっと読む）

【解決手段】本発明は、籾殻又は稲藁のようなシリコン含有植物から生成されたカーボン−シリカ生成物であり、硫酸で浸出することによって、非シリカ無機物及び金属を除去し、その一方、残った生成物内の固定カーボン対シリカのモル比を調整する。カーボンとシリカは、ミクロン又はサブミクロンスケールで密接に混合され、高純度と高い反応性、小さな粒子サイズ、高い空隙率を特徴とし、カーボン−シリカ生成物からシリコン含有生成物を生成するエネルギー源として用いられる揮発性カーボンを含む。 （もっと読む）

【課題】新規な炭化ケイ素−炭素複合材の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素が表面に付着した炭素質材料２を含む成形体を焼成することにより炭化ケイ素−炭素複合材１を製造する。 （もっと読む）

【課題】
電磁波照射を用いた炭化ケイ素合成における上記の問題を解決するためになされたものであり、投入原料全体にわたり均一に反応を生じさせ、反応温度の制御や管理も容易であり、しかも、省エネルギー、高効率かつ短時間で高純度・高品質の炭化ケイ素微粉末を製造する方法と、そのための製造装置を提供する。
【解決手段】
電磁波照射を利用するシリカの炭素熱還元による炭化ケイ素粉末の製造方法において、副生ガス通気孔１４を有するとともに外周部に自己発熱材料１３が、さらに、該自己発熱材料１３の周囲に耐熱性多孔質断熱材料６が配置された耐熱性反応器５内に、シリカ源と炭素源を含む原料４を充填した後、電磁波を照射することにより、自己発熱材料１３を介して原料４を非酸化雰囲気中で加熱して炭化ケイ素微粉末を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より容易に製造することができ、炭化珪素を高純度で含む炭化珪素粉末および炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末であって、シリコン小片と炭素粉末との混合物を加熱した後に粉砕することによって形成されており、実質的に炭化珪素で構成されている炭化珪素粉末とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長法などの多くのエネルギを消費する方法によらず電気めっきによる環境に優しい方法により作製された金属炭化物めっき膜を提供する。
【解決手段】金属イオンと、シアンイオンと、前記金属イオンと錯体を形成する有機酸イオンとを含む電気めっき液に、陰極として電解脱脂処理及び酸活性処理されたＮｉ基板と、陽極として網状の白金被覆チタン電極を浸漬し、電流密度を調整してめっきすることにより、金属炭化物Ｎｉ３Ｃに相当する主相を有するめっき膜Ｂ、Ｃ、Ｄを得た。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性（耐引っ掻き性）を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むＤＬＣ膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含む合金鋼であり、前記第一層がＶ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 既存の問題点であるアルミニウムと炭素材料の接合に関する問題を解決し、電気アーク又は電気化学的方法を用いて、重さが軽く力学的強度に優れた炭素材料−アルミニウム複合体を製造した。
【解決手段】 本発明は、電気化学的方法を用いてアルミニウム−炭素材料のＡｌ−Ｃ共有結合を形成する方法を提供する。上記方法は、陽極と、炭素材料の連結された陰極とで構成され、電解液で満たされた電気化学装置に電位を印加して、陰極に連結された炭素材料の表面をアルミニウムでメッキする段階を含むことができる。更に、本発明は、上記電気化学装置に電位を印加し炭素材料の表面をアルミニウムでメッキして共有結合を形成したアルミニウム−炭素材料複合体を製造する方法、及び上記方法により製造されたアルミニウム−炭素材料複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス供給口を閉塞させること無く、歩留まりを良くする。
【解決手段】複数積層されたウェーハ１４を処理（熱処理）する反応管４２（マニホールド３６）と、反応管４２内を加熱する加熱体４８と、反応管４２内に設けられ、各ウェーハ１４の積層方向に延びる第１ガス供給ノズル６０と、第１ガス供給ノズル６０の基端部６０ａから先端部６０ｂに向けて複数並んで設けられ、各ウェーハ１４に向けてＳｉ原子含有ガス（成膜ガス）およびＣｌ原子含有ガス（エッチングガス）を供給する第１ガス供給口６８と、第１ガス供給ノズル６０の先端部６０ｂに設けられ、ガス供給方向に向けて延びる整流板６１とを備えている。これにより、最上段の第１ガス供給口６８の周辺におけるエッチングガスの濃度低下を抑えることができ、第１ガス供給口６８を閉塞させることが無いので、歩留まりを良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】連続した試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】第１の軸に沿ってレーザ光線１１を照射するレーザ１０と、第１の軸と垂直な方向から試薬流１３を流し第１の相互作用ゾーン１５でレーザ光線と交差するように構成された第１の注入装置と、第１の軸に沿って第１の相互作用ゾーンの下流側に第２の相互作用ゾーン１５’を形成する第２の試薬流１３’を与える第２の注入装置と、レーザ光線のエネルギーをレーザ光束の幅及び高さを独立して変更可能な光学部材１２を備え、レーザ光密度が第１の相互作用ゾーンと第２の相互作用ゾーンにおいて同一の水準にすることが可能なシステムを用い、試薬流のレーザ熱分解によりナノメートルサイズまたはサブミクロンサイズの粉体を高いエネルギー収率で製造する。 （もっと読む）

【課題】還元法による高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素とシリカとを粉砕し、洗浄した後、各々を所定の比率の割合で混合し、これをルツボ７に収容し、これを加熱手段により加熱して反応させ、炭化珪素をシリカで酸化し、さらにシリカを炭化珪素で還元することにより、シリコン５５を製造・抽出するとともに、加熱反応時に生成される活性ガス５６、５７を原料として、気相成長、エピタキシャル成長により、シリコンカーバイド膜１０を形成し、これを回収することによりシリコンカーバイド５９を作製するシリコンとシリコンカーバイドとを同時に製造する製造方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一な粒径を有する品質の高い、珪素微粒子が炭化珪素に被覆されてなる珪素／炭化珪素複合微粒子を高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の珪素微粒子が炭化珪素で被覆された珪素／炭化珪素複合微粒子の製造方法は、酸化珪素の粉末を、炭素を含む液体状の物質に分散させてスラリーにし、このスラリーを液滴化させて酸素を含まない熱プラズマ炎中に供給して珪素／炭化珪素複合微粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】チタンの製造において使用される前駆体を安価とし、さらに、金属の溶融、鋳造及び鍛造の間の酸化に起因するロスを低減し、チタン、その合金及びその化合物を効率的且つ安価なプロセスで製造する。
【解決手段】チタン含有材料からチタン金属を製造する方法は、チタン含有材料からＭ^ＩＩＴｉＦ_６の溶液を製造する工程、（Ｍ^Ｉ）ａＸｂの添加によって溶液からＭ^Ｉ_２ＴｉＦ_６を選択的に沈殿する工程、選択的に沈殿されたＭ^Ｉ_２ＴｉＦ_６を用いてチタンを製造する工程、を包含する。Ｍ^ＩＩは、ヘキサフルオロチタネートを形成するタイプのカチオンであり、Ｍ^Ｉはアンモニウム及びアルカリ金属カチオンから選択され、Ｘはハライド、サルフェート、ニトライト、アセテート、及びニトレートから選択され、ａ及びｂは１又は２である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反応ガス及び未反応ガスを円滑で、かつ均一に排出できる真空熱処理装置用熱処理容器を提供することをその目的とする。
【解決手段】本発明に従う真空熱処理装置用熱処理容器は、底部と側壁とを含み、側壁の上部に排気通路が形成される。 （もっと読む）