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Fターム[4G146NB14]の内容

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Fターム[4G146NB14]に分類される特許

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【課題】高純度の炭化珪素ウィスカーを提供する。
【解決手段】B及びPの各々の含有率が1ppm以下である高純度炭化珪素ウィスカー。
珪酸質原料と炭素質原料の混合物からなるペレットを、非酸化性雰囲気下で加熱して高純度炭化珪素ウィスカーを得る方法であって、上記ペレットのかさ密度を上記ペレットの真密度で除した値が0.5〜0.8となるように上記ペレットを集合させて、上記加熱を行う、高純度炭化珪素ウィスカーの製造方法。 (もっと読む)


【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、1500℃を超え2600℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置100は、基板7の温度を測定する放射温度計24a、24bと、基板7の周辺にガス噴出部19が設けられたガス流路18と、ガス流路18に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、放射温度計24a、24bによる測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路18に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部26とを有する。ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部28と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部29とを有する。 (もっと読む)


【解決手段】本発明は、籾殻又は稲藁のようなシリコン含有植物から生成されたカーボン−シリカ生成物であり、硫酸で浸出することによって、非シリカ無機物及び金属を除去し、その一方、残った生成物内の固定カーボン対シリカのモル比を調整する。カーボンとシリカは、ミクロン又はサブミクロンスケールで密接に混合され、高純度と高い反応性、小さな粒子サイズ、高い空隙率を特徴とし、カーボン−シリカ生成物からシリコン含有生成物を生成するエネルギー源として用いられる揮発性カーボンを含む。 (もっと読む)


【課題】
電磁波照射を用いた炭化ケイ素合成における上記の問題を解決するためになされたものであり、投入原料全体にわたり均一に反応を生じさせ、反応温度の制御や管理も容易であり、しかも、省エネルギー、高効率かつ短時間で高純度・高品質の炭化ケイ素微粉末を製造する方法と、そのための製造装置を提供する。
【解決手段】
電磁波照射を利用するシリカの炭素熱還元による炭化ケイ素粉末の製造方法において、副生ガス通気孔14を有するとともに外周部に自己発熱材料13が、さらに、該自己発熱材料13の周囲に耐熱性多孔質断熱材料6が配置された耐熱性反応器5内に、シリカ源と炭素源を含む原料4を充填した後、電磁波を照射することにより、自己発熱材料13を介して原料4を非酸化雰囲気中で加熱して炭化ケイ素微粉末を得ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】膜厚が厚くなっても亀裂や欠陥を生じ難く剥離し難い被膜を表面に有し、黒鉛基材の耐酸化性が十分に向上された耐酸化性炭素材料を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】耐酸化性炭素材料を製造する方法であって、SiOxCyHz(ただし、xは1以上2以下の数、yは1以上6以下の数、zは3以上 8以下の数である)で表わされる組成式を有する溶融性シリコーン樹脂とAl粉末とを含む分散液を、炭素材料に含浸し、被覆処理した後、硬化処理し、次いで、非酸化性雰囲気下、800℃〜1300℃の温度下で焼成処理することを特徴とする耐酸化性炭素材料の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性(耐引っ掻き性)を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むDLC膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、V,Cr,Nb,Mo,Ta,Wから選ばれる少なくとも1種を含む合金鋼であり、前記第一層がV,Cr,Nb,Mo,Ta,Wから選ばれる少なくとも1種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 (もっと読む)


【課題】黒鉛粒を高濃度で含有する未硬化のフェノール樹脂との複合体である成形材料を、金型内で加熱・加圧成形によって賦形した成形品を無酸素の高温雰囲気で焼成して誘電加熱を可能とするカーボン凝結体成形品において、ゲート近傍の過度な吐出圧と流路の急変に伴って歪みが成形品内に残留する。この結果、焼成段階で樹脂部分に微細な亀裂が発生し、落球などの衝撃応力による耐性を著しく低下させていた。
【解決手段】この発明に係るカーボン焼結体の表面改質方法は、黒鉛粒にフェノール起源のカーボンを結合材としたカーボン凝結体の鍋状成形品の底面中央にあるゲート相当部分にシリコン化合物を含浸させた後、無酸素雰囲気の1100〜1500℃で加熱処理を行う工程を含んで成るものである。 (もっと読む)


【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素/ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が1.0〜100μmであり、かつ、13C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20%以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、昇華再結晶法による単結晶成長において、高くかつ安定した昇華速度を示す炭化ケイ素粉体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が100℃以上700μm以下であり、かつ比表面積が0.05m/g以上0.30m/g以下である炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体。粒子径が5μm以上200μm以下の一次粒子が焼結した粒子形態であることが好ましい。平均粒径が20μm以下の炭化ケイ素粉体を、温度1900℃以上2400℃以下、圧力70MPa以下、非酸化性雰囲気下の条件で加圧焼結させ、密度1.29g/cm以上の焼結体を得る工程、得られた焼結体の粉砕による粒度調整工程、酸処理による不純物除去工程、を含む炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】平均粒子径が50nm以下であり、大きな凝集粒子も無く、均質な炭化ケイ素粉体を得るための炭化ケイ素前駆物質の製造方法、及び、この炭化ケイ素前駆物質を基に平均粒子径が50nm以下の均質な炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素前駆物質の製造方法は、液状の炭素源と平均粒子径が40nm以下の二酸化ケイ素粉体とを混合し、得られた混合物を乾燥し、次いで炭化処理を行い、嵩密度が0.3g/cm以上かつ1.3g/cm以下の炭化ケイ素前駆物質とする。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素焼結体の耐酸化性を向上させることにより、炭化ケイ素焼結体の再利用性を高める。
【解決手段】窒化アルミニウムを含有する原料物質と、炭化ケイ素を含む原料物質と、焼結助剤としてイットリアとフェノール樹脂とを混合する工程と、混合して得られた混合体の粉体をホットプレスにより焼成する工程とを有し、混合物中における炭化ケイ素と窒化アルミニウムとの比が90/10〜50/50である。 (もっと読む)


【課題】微細かつ均一な粒径を有する品質の高い、珪素微粒子が炭化珪素に被覆されてなる珪素/炭化珪素複合微粒子を高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の珪素微粒子が炭化珪素で被覆された珪素/炭化珪素複合微粒子の製造方法は、酸化珪素の粉末を、炭素を含む液体状の物質に分散させてスラリーにし、このスラリーを液滴化させて酸素を含まない熱プラズマ炎中に供給して珪素/炭化珪素複合微粒子を得る。 (もっと読む)


【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材1上に炭化タンタル被覆膜2を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材1表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】直線状のスプリング軸を有しており、弾力性および機械強度に優れたセラミックススプリング、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スプリング外径が0.01μm〜100μm、スプリングピッチが0.01μm〜10μm、スプリング長が1.0×10−5mm〜20mm、スプリング軸が直線状である螺旋形状を有し、かつ、破断強度が80MPa以上である一重又は二重のセラミックススプリングである。

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本発明は、原料としてのカーボンブラックと超微粉タングステンを用いて超微粉タングステンカーバイドを作成する方法である。本発明方法は以下の工程より成る。(1)純粋二酸化炭素ガスの存在で超微粉タングステンを不活性化する工程と、(2)冷却水と不活性ガスとを導入した後超微粉タングステンとカーボンブラック粉とを混合するカーボン付加工程と、(3)タングステンカーバイド粉を乾留炉内で高温で乾留し、塊状に合成する工程と、(4)塊状のタングステンカーバイド粉を、粉砕し、冷却し、ふるいにかけて超微粉タングステンカーバイドを得る工程。
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【課題】本発明は、炭化ケイ素粉体製造方法及びシステムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素粉体製造方法は、混合器でケイ素源と炭素源とから構成された混合物を生成するステップ、及び前記混合物を真空度0.03torr以上0.5torr以下、温度1300℃以上1900℃以下に加熱して炭化ケイ素(SiC)粉体を合成するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】溶液や廃液中のSiCやSiを排水汚濁なく回収可能し、研削材、砥粒、研磨材として利用可能な炭化珪素を製造する。
【解決手段】SiC微粒子及び/又はSi微粒子を少なくとも含む溶液又は廃液を、炭素粉及び酸化珪素粉を少なくとも含む分離助材を用いて固液分離して固体分を得るステップと、この固体分を必要に応じて炭素粉及び/又は酸化珪素粉を含む添加剤と混合するステップと、炭化珪素を得るために、この固体分又は添加剤と混合された固体分を、非酸化性雰囲気で1850℃を超えて2400℃未満に加熱反応させるステップとを少なくとも含んでなる炭化珪素の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】
ポリカルボシランを原料として、簡便な工程により、炭化ケイ素質の球状中空微粒子を得る方法を提供する。
【解決手段】
ポリカルボシランの溶液を炭素数1〜4の低級アルコールと水との混液に滴下することによりポリカルボシランの球状中空微粒子を析出させ、該微粒子を酸素架橋後に焼成して炭化ケイ素質の球状中空微粒子を得ることにより、上記の課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な2H炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス23に炭化珪素単結晶基板25を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン26を導入し、前記リチウムフラックス23に前記メタン26を接触させることにより、前記リチウムフラックス23から前記単結晶基板25上に2H炭化珪素単結晶27を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 (もっと読む)


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