【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明では、被表面処理部材の材質および形状を問わず、所望の位置に微細構造体を形成することができる、被表面処理部材の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被表面処理部材に対する表面処理方法であって、（ａ）被表面処理部材を準備するステップと、（ｂ）シリコン系高分子を含む表面処理剤を調製するステップと、（ｃ）前記被表面処理部材の少なくとも一部に、前記表面処理剤を設置するステップと、（ｄ）触媒を含み、ガス流が存在する環境下において、前記表面処理剤が設置された被表面処理部材を８００℃以上の温度で焼成することにより、ケイ化物の繊維状構造体を形成するステップであって、前記ガス流は、前記被表面処理部材の表面積５０ｍ^２あたり０．０１Ｌ／ｍｉｎ以上の流量で供給されるステップと、を有する表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】セラミック化に伴う体積収縮を低減しクラックの発生を防止できると共に、ピンホール等の欠陥発生も抑制できるガス分離用セラミック薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガス分離用セラミック薄膜は、セラミックス前駆体であるポリカルボシラン(PCS)またはPCSに他の高分子材料を混合したポリマーブレンドなどのケイ素系混合高分子材料をセラミック基材上に成膜し、真空中や不活性ガス中などの無酸素環境下において電離放射線により架橋した後、アルゴンガスなどの高級不活性ガス中で焼成することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】飛散等が無い安全なナノファイバー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に高分子薄膜を形成し、高分子薄膜に対して、飛跡が基板に到達可能なイオンビームを複数の方向から照射し、高分子薄膜内に、３次元的に相互接続され、かつ一端が基板表面に固定されている複数個の円筒架橋部を形成した後、これを溶媒で洗浄する工程を経てナノファイバーを製造する。 （もっと読む）

【課題】ナノメータ単位の粒子径を有するＷ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｓｉの炭化物粉末の合成手段を提供する。
【解決手段】金属アルコキシドと、Ｃ、Ｈ、Ｎ、Ｏ以外の元素を実質的に含まない有機物の炭素源とを溶媒に溶解した後に、乾燥し得られた組成物を、非酸化雰囲気中、１０００〜１９００℃にて炭化処理する。アルコキシドに存在する配位子と、炭素源の官能基を液相中で置換し、安定に存在させることにより、金属の酸化物生成を抑制できる。得られた金属炭化物は最大粒子径が１５０ｎｍ以下で遊離炭素含有量が０．５重量％以下である。この焼結体は強度や破壊靭性（耐クラック発生・伝播性）にも優れており、加工時のクラック発生や粒子脱落（プルアウト）が無い材料である。また、炭化物が微細な為、２〜１５重量％の炭化物含有量でも従来のセラミックス複合材料焼結体と同等以上の機械的特性や加工特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】 製造が容易でアスペクト比が高く電波吸収特性にも優れ、かつ表面被覆を行なう際の反応性確保にも有利な表面形態を有した鉄系ナノ細線を提供する。
【解決手段】 この発明の鉄系ナノ細線は、線径が５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、かつ、線アスペクト比が２０以上となるように鉄系粒状結晶が列状に連なった細線形態又は該列状に連なった細線部が樹枝状に連結した形態をなす。また、線長手方向において各鉄系金属粒状結晶の線外周面を構成する表面部分の形態が、隣接粒子との接続面位置で線断面積の極小値を形成し、かつ、両側の接続面の途中位置で線断面積の極大値をなす凸湾曲面となる数珠状形態をなす。 （もっと読む）

【課題】高温における半導体特性や電界電子放出特性の優れた竹状形態を有する炭化珪素ナノワイヤーの製造方法を提供する。
【解決手段】一酸化ケイ素粉末、グラファイト粉末及び窒化ガリウム粉末の混合物を不活性ガス気流中で、所定温度で所定時間加熱し、炭化珪素ナノワイヤーを合成する。上記粉末の混合物を不活性ガス気流中で、１３００〜１４００℃で、４０分〜２時間加熱することにより、直径が８０〜３００ｎｍで、長さ数百μｍの竹状形態を有する立方晶系炭化珪素ナノワイヤーを製造することができる。 （もっと読む）

ケイ素炭素化合物を形成する方法。ケイ素源が環境に導入される。ケイ素粒子がケイ素源から形成される。１つ又は複数の炭化水素がケイ素源とは別々に環境に導入され、それにより１つ又は複数のケイ素炭素化合物が形成される。ケイ素粒子が炭化水素源と一緒になる前にケイ素粒子のサイズを最小にするために、解離エンハンサーを環境に導入することができる。
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