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Fターム[4G146PA06]の内容

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Fターム[4G146PA06]に分類される特許

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【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】中空構造の球状粒子における実効的な比表面積が大きく、触媒として用いた場合の触媒機能が高く、しかも、機械的な耐久性が高く、さらには、内燃機関等から排出される排ガス中に含まれる各種物質の無害化処理や、プロピレン等の有機ガスに対する反応を、効率よく行うことが可能な中空顆粒状粒子及びその製造方法並びにそれを備えたガス処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の中空顆粒状粒子1は、一次粒子2を殻状に凝集してなる粒子径が0.2μm以上かつ20μm以下の中空二次粒子4とし、この中空二次粒子4をさらに殻状に凝集してなる粒子径が3μm以上かつ500μm以下の中空顆粒状粒子であり、この中空顆粒状粒子1の殻状の部分の厚みtは、その粒子半径rの1/4以上かつ2/3以下である。 (もっと読む)


【課題】リチウムなどのイオンを透過させる能力と導電性を併せ持つグラフェンを提供する。また、該グラフェンを用いることにより、充放電特性に優れた蓄電装置を提供する。
【解決手段】炭素と窒素で形成された環状構造の内側の空孔を有するグラフェンは、リチウムなどのイオンを透過させる能力と、導電性を有する。グラフェンに含まれる窒素濃度は、0.4原子%以上40原子%以下であることが好ましい。また、該グラフェンを用いると、リチウムなどのイオンを好適に透過させることができるため、充放電特性に優れた蓄電装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素ナノ粒子同士の凝集を抑制することにより分散性及び分散安定性を向上させることが可能な炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法及び炭化ケイ素ナノ粒子分散液、この炭化ケイ素ナノ粒子分散液を用いて得られる耐摩耗性、耐擦傷性、耐熱性、硬質性に優れた炭化ケイ素ナノ粒子膜を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法は、熱プラズマ法またはシリカ前駆体焼成法により作製され、一次粒子の平均粒子径が5nm以上かつ500nm以下の炭化ケイ素ナノ粒子1の表面に酸化処理を施して表面酸化層3を形成し、次いで、この炭化ケイ素ナノ粒子1の表面酸化層3を、フッ酸、フッ化アンモニウム、硝酸の群から選択された1種または2種以上を含む溶液を用いて溶解することにより除去し、次いで、この表面酸化層3が除去された炭化ケイ素ナノ粒子11を分散媒4中に分散させる。 (もっと読む)


【課題】純度の向上と、収率の低下とのトレードオフ関係を改善した炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素坩堝を用いた昇華再結晶法による結晶成長に際して形成され、炭素坩堝1に結合した再結晶析出物を、炭素坩堝1ごと粉砕し、再結晶析出物が結合した状態で破片となった炭素坩堝材に水を浸透させる、水が浸透した破片状の炭素坩堝材に対して、水が凍結、融解する温度での温度サイクルを複数回繰り返した後、温度サイクルをかけられた炭素坩堝材を粉砕して炭化珪素単結晶育成用原料とする。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造できる湿式法を用い、ダイヤモンドやCBN等の不活性な硬質粒子の表面に均一な表面処理皮膜を形成して分散性の良い表面処理皮膜付き硬質粒子を製造する方法等を提供する。
【解決手段】ヌープ硬度が1000以上の硬質粒子2を準備する工程と、その硬質粒子2をZr、Ti、Si、Cr、Ta、Hf、Sn、Mo、W、Zn、In及びVから選ばれる1種又は2種以上の金属のフッ化物錯体を含む水溶液中に保持して、前記硬質粒子2の表面に前記金属の水和酸化物含有膜3’を形成する工程と、前記金属の水和酸化物含有膜3’が形成された硬質粒子を乾燥させる工程と、を有する方法により、表面処理皮膜付き硬質粒子1を製造した。水和酸化物含有膜形成工程と乾燥工程との間には、リン化合物を含有する水溶液への接触工程を設けることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】簡単な操作方法と手段でシリコンと炭化ケイ素を回収することができるカッティング廃液の処理、回収方法とその手段を提供する。
【解決手段】第一のステップと、第二のステップと、第三のステップと、第四のステップを含んでなり、第一のステップでは、カッティング廃液を希塩酸で攪拌混合して流動し易い混合材料にし、第二のステップでは、混合材料を過熱して液体分離して水とポリエチレングリコールを蒸発させ、冷却、脱水してポリエチレングリコールを回収し、分離して得られる固体が炭化ケイ素とシリコンの固体混合物で、第三のステップでは、固体混合物を二次洗浄して炭化ケイ素とシリコンの二次洗浄の固体混合物を回収し、第四のステップでは硝酸とハフニウムから組成した混合酸性溶液で、炭化ケイ素とシリコンを回収し、廃液重量から計算すると、26−46%の回収率に達する。 (もっと読む)


【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H−SiC単結晶基板上にSiCのエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】SiC半導体の表面特性を向上できるSiC半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】SiC半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。SiC半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、150ppm以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、SiC半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】大面積かつ低抵抗のグラフェンシートを備えたグラフェンシート付き基材、及び、このグラフェンシート付き基材を安価に製造することが可能なグラフェンシート付き基材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンシート付き基材1は、結晶方位が(111)面のシリコン基板2に、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素層3、グラフェンシート4が順次積層されている。 (もっと読む)


【課題】 炭化物は、高硬度、低熱膨張、高熱伝導率で、耐腐食性や耐熱性、耐摩耗性に優れる等の特徴を有するため多方面で使用されており、近年、更に優れた特性を有する物質としてアルミニウムと炭素および他の元素を含む複合炭化物が注目されているが、この複合炭化物も長期間あるいは高温下で水や水蒸気雰囲気にさらされた場合には水和反応が進行して水和物へと変化する場合があり、水や水蒸気が存在する条件下では安定して使用または保管できないという課題がある。従って本発明の目的は、耐熱性、耐食性に優れ、かつ耐水和性に優れた複合炭化物を提供することにある。
【解決手段】 アルミニウムと炭素および他の元素を含む複合炭化物において、表面に酸化被膜を有することを特徴とする複合炭化物およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】音声再生装置に関し、特にマグネシウム基複合材料を利用した音声再生装置を提供する。
【解決手段】音声再生装置は、筺体及び音声装置を備える。前記筺体の前部12及び後部16の少なくとも一つは、マグネシウム基複合材料からなる。該マグネシウム基複合材料は、マグネシウム基材料及び該マグネシウム基材料の中に分散したナノ材料を含む。該ナノ材料は、カーボンナノチューブ、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化チタン、炭化ホウ素、黒鉛のいずれか一種又はその多種の混合物である。 (もっと読む)


【課題】アルミ電解炉におけるエネルギー効率を改善するために、電気比抵抗が低く、熱伝導性の高いアルミニウム精錬用カソードカーボンブロックおよびその製造方法を提供する。アルミニウム溶湯との濡れ性も改善され、且つ電解浴による電気化学的侵食の速度を低下させて長寿命を達成できるアルミニウム精錬用カソードカーボンブロックおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
混合工程では、炭化原料64〜97%と炭化チタン3〜36%の混合比率で混合する。このとき、粒子径1mm以下の原料組成において炭化チタン比率を5〜100%とする。捏合・成形工程では、混合工程を経た混合物に有機バインダーを加え捏合し、成形する。焼成工程では、成形体を焼成する。黒鉛化処理工程では、焼成工程を経て焼成された焼成体を2400〜3000℃で黒鉛化処理する。 (もっと読む)


【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第1のガス供給ノズル60及び第2のガス供給ノズル70と、第1のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第2のガス供給ノズルの方向に1以上分岐され1以上の第1のガス供給口68を有する第1の分岐ノズルと、第2のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第1のガス供給ノズルの方向に1以上分岐され、1以上の第2のガス供給口72を有する第2の分岐ノズルとを備え、第1のガス供給口と第2のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも高強度な炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、焼成成形してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、X線回折法による、前記炭素繊維の炭素002面の面間隔d002が、3.36〜3.43であることを特徴とする炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。炭素繊維はピッチ由来の前駆体から焼成して得られた炭素繊維であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材1上に炭化タンタル被覆膜2を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材1表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材上に炭化タンタル被覆形成工程により炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程とタンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを経て第1炭化タンタル被覆膜を形成する第1炭化タンタル被覆膜形成工程と、前記第1炭化タンタル被覆膜上に新たな第2炭化タンタル被覆膜を形成する第2炭化タンタル被覆膜形成工程を有する。 (もっと読む)


【課題】目的の粒子径の炭化ケイ素粉体を効率よく得ることができるα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法、及び、この粒径制御方法により粒径が制御されたα型炭化ケイ素粉体を用いることで不純物が少なくかつ均質な炭化ケイ素単結晶を提供する。
【解決手段】本発明のα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法は、β型炭化ケイ素または炭化ケイ素前駆体を非酸化性の雰囲気中にて加熱し、前記β型炭化ケイ素、または前記炭化ケイ素前駆体から生成するβ型炭化ケイ素をα型炭化ケイ素に相転移させて生成するα型炭化ケイ素粉体の粒径制御方法であり、雰囲気の圧力を変化させてβ型炭化ケイ素からα型炭化ケイ素への相転移温度を制御し、平均粒子径が10μm以上のα型炭化ケイ素粉体を生成する。 (もっと読む)


【課題】高温での耐久性に優れ、しかも高温における貴金属粒子の触媒活性の低下を抑制することができる貴金属担持炭化ケイ素粒子とその製造方法及びそれを含有する触媒並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の貴金属担持炭化ケイ素粒子は、平均一次粒子径が0.005μm以上かつ5μm以下の炭化ケイ素粒子の表面に、貴金属粒子を担持させた酸化ケイ素層を備えたもので、この炭化ケイ素粒子の比表面積は1.0m/g以上かつ400m/g以下であり、この酸化ケイ素層は、炭化ケイ素粒子に貴金属粒子を担持させた後、酸化性雰囲気中にて酸化することにより、生成した。 (もっと読む)


【課題】表面の平滑度の高い炭化ケイ素部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、β型炭化ケイ素部材を表面加工する工程と、この表面加工を施したβ型炭化ケイ素部材を、Siを含有する雰囲気中において1400〜1900℃の加熱温度で熱処理することにより、β型炭化ケイ素部材の表面における炭化ケイ素の粒成長を促進させる工程と、を含む。 (もっと読む)


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