【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超硬合金に比べてWの使用量を削減でき、かつ超硬合金の代替となり得る強度と靭性を備えた焼結体の原料として好適な硬質粒子とその製造方法を提供する。
【解決手段】この硬質粒子10は、コア11と、コア11を覆うシェルとを備える。コア11は、Wを除く周期律表4、5、6族元素及びSiから選択される一つ以上の元素とWの炭化物、窒化物及び炭窒化物の少なくとも一種の固溶体を含有する。シェル12は、WCで構成される。Wが固溶された所定の複合固溶体でコア11を構成し、かつWCでシェル12を構成することにより、コア11とシェル12の線膨張係数差を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】中空構造の球状粒子における実効的な比表面積が大きく、触媒として用いた場合の触媒機能が高く、しかも、機械的な耐久性が高く、さらには、内燃機関等から排出される排ガス中に含まれる各種物質の無害化処理や、プロピレン等の有機ガスに対する反応を、効率よく行うことが可能な中空顆粒状粒子及びその製造方法並びにそれを備えたガス処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の中空顆粒状粒子１は、一次粒子２を殻状に凝集してなる粒子径が０．２μｍ以上かつ２０μｍ以下の中空二次粒子４とし、この中空二次粒子４をさらに殻状に凝集してなる粒子径が３μｍ以上かつ５００μｍ以下の中空顆粒状粒子であり、この中空顆粒状粒子１の殻状の部分の厚みｔ_２は、その粒子半径ｒ_２の１／４以上かつ２／３以下である。 （もっと読む）

【課題】電磁放射、特にマイクロ波エネルギーに曝露された場合、アーク放電およびスパークが無く、迅速に効率的にかつ高温に加熱する材料を開発する。また、その材料を使用して調理する方法を提案する。
【解決手段】マトリクス材料において単結晶炭化ケイ素ホイスカおよび繊維を含む、電磁放射に曝露すると温度上昇する複合材料。この材料を利用し、食品が、電磁放射に曝露されず、複合材料が電磁放射によって加熱された後に複合材料から伝達された熱によって加熱され、且つ熱が、加熱された構成材料から、伝導、対流、または赤外放射の再放射によって伝達される、調理する。 （もっと読む）

【課題】生体活性を有する炭化ケイ素（SiC）ナノチューブを提供すること、及びそのようなSiCナノチューブの簡潔な作製方法を提供すること。
【解決手段】生体活性炭化ケイ素ナノチューブは、カーボンナノチューブとSi粉末との真空熱処理により、多結晶SiCナノチューブを合成し、合成された前記多結晶SiCナノチューブをNaOH処理またはKOH処理し、NaOH処理またはKOH処理後、多結晶SiCナノチューブをHCl処理することよって作製される。合成された生体活性SiCナノチューブの外径は200nm以下であり、且つその内径は150nm以下である。 （もっと読む）

【課題】蛍光体に過大な力を加えることなく製造することができ、得られる蛍光体粉末の大きさのばらつきを抑制することのできる直方体状の蛍光体粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素ナノ粒子同士の凝集を抑制することにより分散性及び分散安定性を向上させることが可能な炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法及び炭化ケイ素ナノ粒子分散液、この炭化ケイ素ナノ粒子分散液を用いて得られる耐摩耗性、耐擦傷性、耐熱性、硬質性に優れた炭化ケイ素ナノ粒子膜を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法は、熱プラズマ法またはシリカ前駆体焼成法により作製され、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下の炭化ケイ素ナノ粒子１の表面に酸化処理を施して表面酸化層３を形成し、次いで、この炭化ケイ素ナノ粒子１の表面酸化層３を、フッ酸、フッ化アンモニウム、硝酸の群から選択された１種または２種以上を含む溶液を用いて溶解することにより除去し、次いで、この表面酸化層３が除去された炭化ケイ素ナノ粒子１１を分散媒４中に分散させる。 （もっと読む）

【課題】水系押出成形体の成形精度の向上、特に厚肉長尺型成形体の乾燥工程における変形、寸法変化を抑制できる混合混練物の組成および成形体の乾燥加熱矯正法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセス用ＳｉＣ部材の製造方法として、ＳｉＣの粉体と、水溶性樹脂を主成分とするバインダーと、水とを含む混練材料を混練して混合混練物を得る混練工程と、前記混合混練物を押出成形して成形体を得る成形工程と、高湿環境下で、前記成形体全体を均温化して乾燥体を得る乾燥工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造できる湿式法を用い、ダイヤモンドやＣＢＮ等の不活性な硬質粒子の表面に均一な表面処理皮膜を形成して分散性の良い表面処理皮膜付き硬質粒子を製造する方法等を提供する。
【解決手段】ヌープ硬度が１０００以上の硬質粒子２を準備する工程と、その硬質粒子２をＺｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＶから選ばれる１種又は２種以上の金属のフッ化物錯体を含む水溶液中に保持して、前記硬質粒子２の表面に前記金属の水和酸化物含有膜３’を形成する工程と、前記金属の水和酸化物含有膜３’が形成された硬質粒子を乾燥させる工程と、を有する方法により、表面処理皮膜付き硬質粒子１を製造した。水和酸化物含有膜形成工程と乾燥工程との間には、リン化合物を含有する水溶液への接触工程を設けることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】音声再生装置に関し、特にマグネシウム基複合材料を利用した音声再生装置を提供する。
【解決手段】音声再生装置は、筺体及び音声装置を備える。前記筺体の前部１２及び後部１６の少なくとも一つは、マグネシウム基複合材料からなる。該マグネシウム基複合材料は、マグネシウム基材料及び該マグネシウム基材料の中に分散したナノ材料を含む。該ナノ材料は、カーボンナノチューブ、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化チタン、炭化ホウ素、黒鉛のいずれか一種又はその多種の混合物である。 （もっと読む）

【課題】繊維状材料が均一に複合された繊維強化Ａl複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化アルミニウムを主成分として表面に酸素を含む繊維が表面に形成されたＡl粉末を成型して成形体とする第一の工程と、該成形体をＡlの融点以上で加熱する第二の工程と、続いてＡlの溶融状態を保持したまま加圧して緻密化する第三の工程とを含むことを特徴とする繊維強化Ａl複合材料の製造方法により解決される。前記第三の工程を熱間鍛造で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ原料粉体にドーパントを混合させた場合に、ＳｉＣの昇華ガスとドーパントの昇華ガスとを均一に種結晶に供給することができると共に、不純物の混入可能性が低い炭化珪素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素粉体の製造方法は、珪素源と、炭素源と、反応触媒と、バナジウム含有化合物と、を混合させて液状混合物７を生成する工程と、液状混合物７を減圧雰囲気下に配置した状態で、液状混合物７に不活性ガスを導入しつつ排出ガスを排気する工程と、液状混合物７を乾燥および硬化させることにより固形物１９を生成する工程と、固形物１９を加熱して炭化および焼成することにより、炭化珪素粉体２５を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハーの製造工程において生じる多量のシリコン切削屑等を原料として、工業材料に適する品質の炭化珪素を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン屑に対してカーボン粉を当量以上混合し、この混合粉を、非酸化性雰囲気下、１０００℃〜１４００℃で、６時間〜２４時間加熱してシリコン屑とカーボン粉を反応させて炭化珪素を製造し、冷却後、酸洗浄して不純物を除去し、乾燥することを特徴とする炭化珪素の製造方法であって、好ましくは、シリコンウエハーの製造工程において生じたシリコン切削屑を用い、シリコン切削屑を脱脂処理ないし脱水処理した後にカーボン粉と混合し、加熱処理後に生成物を酸浸出した後に、水またはアルコールで洗浄して不純物を除去する炭化珪素の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素膜形成後にクラックや剥離が生じることなく、炭化珪素膜を炭素基材の表面上に効率良く形成する。
【解決手段】炭素基材１の表面１ｂの所定箇所を支持治具４で当接した状態で炭素基材１を支持し、炭素基材１の表面１ｂ上に炭化珪素膜５を形成する方法であって、支持治具４が当接する所定箇所に孔１ａが形成された炭素基材１を準備する工程と、炭素基材１と同種の材料からなり、孔１ａに嵌入することができる寸法形状を有する嵌入部材２であって、孔１ａに嵌入した際に炭素基材１の表面１ｂに連なる表面２ａ上に予め炭化珪素膜３が形成された嵌入部材２を準備する工程と、炭素基材１の孔１ａに嵌入部材２が直接接するように嵌入部材２を嵌入し、炭化珪素膜３が形成された嵌入部材２の表面に支持治具４を当接して、炭素基材１を支持した状態で、炭素基材１の表面１ｂ上に炭化珪素膜５を形成する工程とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明の主題は特に、多孔質アモルファス水素化シリコンカーバイド膜を製造可能にする方法である。
【解決手段】本発明は、
ａ）基板上に、酸化ケイ素貫通ナノワイヤが分散されたアモルファス水素化シリコンカーバイドマトリックスから成る膜を形成する段階と、
ｂ）ステップａ）において形成された膜に存在する酸化ケイ素ナノワイヤを、化学物質によって選択的に分解する段階と、を含む貫通孔を備えたアモルファス水素化シリコンカーバイド膜の製造方法に関する。
応用例：マイクロエレクトロニクスおよびマイクロテクノロジーにおけるエアギャップの形成、特に集積回路のエアギャップ相互接続の製造のための化学物質を透過する膜からの化学物質の拡散による犠牲材料の分解を含む全ての製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素ナノ粒子同士の凝集を抑制することにより分散性及び分散安定性を向上させることが可能な炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法及び炭化ケイ素ナノ粒子分散液、この炭化ケイ素ナノ粒子分散液を用いて得られる耐摩耗性、耐擦傷性、耐熱性、硬質性に優れた炭化ケイ素ナノ粒子膜を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法は、凝集性を有する炭化ケイ素ナノ粒子１の表面に酸化処理を施して表面酸化層３を形成し、次いで、この炭化ケイ素ナノ粒子１の表面酸化層３を除去し、次いで、この表面酸化層３が除去された易分散性の炭化ケイ素ナノ粒子１１を分散媒４中に分散させる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の表面に反応性イオンエッチングにより微細加工を施す際に、炭化ケイ素の表面を任意形状かつ高精細に微細加工することができ、特に、ナノメートル級の寸法公差による微細加工を行うことができる炭化ケイ素の表面処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により微細加工を施す前に行う表面処理方法であって、単結晶炭化ケイ素基板の表面に、アンモニア及び過酸化水素を含む水溶液、塩酸及び過酸化水素を含む水溶液、硫酸及び過酸化水素を含む水溶液、フッ酸及び過酸化水素を含む水溶液の群から選択される１種または２種以上を順次用いてケミカル洗浄を施し、次いで、この表面に酸素プラズマ処理を施す。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド基材と、炭化物形成元素の第１の炭化層と、第１の層からの炭化物形成元素を実質的に含まないである、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、又はその任意の組合せ若しくは合金から選択される高融点金属の第２の層と、第２の層の金属が、オーバーコーティングの金属と異なる、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、その任意の組合せ又は合金のオーバーコーティングとを含むコーティングされたダイヤモンドに関する。本発明は、さらに、このようなコーティングされたダイヤモンド及びこのようなコーティングされたダイヤモンドを含む研磨材含有工具の製造方法に関する。
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