Fターム[4H049VQ00]の内容
第4族元素を含む化合物及びその製造 (22,055) | 第4族元素含有化合物上の結合又は基(目的化合物) (4,225)
Fターム[4H049VQ00]の下位に属するFターム
炭化水素基 (780)
ハロゲン (232)
O含有基(非環式) (940)
N含有基(非環式) (536)
S含有基(←Se、Te含有基)(非環式) (213)
複素環含有基 (847)
M含有基 (331)
M*と2つ以上の置換基とで環又は三次元、網状構造を構成するもの (243)
Mと基との配位・キレート結合(錯体) (78)
第1〜3族元素含有基(単純な塩を除く)(例;Ph−SiH2−Na) (23)
構造不明の置換基 (1)
Fターム[4H049VQ00]に分類される特許
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テルル前駆体、これを用いて製造されたTe含有カルコゲナイド薄膜およびその製造方法、ならびにテルル前駆体を含む相変化メモリ素子
【課題】リセット/セットプログラミングのために必要とされる電流値が低い、相変化層が形成されうる手段を提供する。
【解決手段】
テルル(Te)と、14族元素および15族元素のいずれか一方または両方と、を含むテルル前駆体、これを用いて調製されたTe含有カルコゲナイド薄膜およびその製造方法、ならびに前記テルル前駆体を含む相変化メモリ素子である。
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