【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板Ｗを保持する基板保持機構１１０と、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１に接続され、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０とを備えている。ガス供給機構１７０は、空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けて供給する。少なくとも吐出機構２１、めっき液供給機構３０およびガス供給機構１７０は、制御機構１６０によって制御される。 （もっと読む）

【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板Ｗを保持する基板保持機構１１０と、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１に接続され、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０とを備えている。基板保持機構１１０の周囲に、基板Ｗから飛散しためっき液を排出する液排出機構１４０が配置され、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗの上方において、基板Ｗの表面側を覆うようにトッププレート１５１が設けられている。基板Ｗ、液排出機構１４０およびトッププレート１５１の間に、空気より比熱容量が高い加熱用ガスＧが滞留する滞留空間１５６が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板を効率的かつ均一に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持機構１１０と、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けてめっき液３５を吐出する吐出機構２１と、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスＧを基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けて送り出すガス送出機構１９０と、を備えている。ガス送出機構１９０は、基板Ｗの中心領域Ａ_１よりも基板Ｗの周縁領域Ａ_２に向けて多くの加熱用ガスＧを送り出すよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜される膜の膜厚の均一性を向上する。
【解決手段】成膜材料を微粒子化して噴霧する噴霧口１３１を各々有する複数の噴霧機構と、複数の噴霧機構から噴霧された成膜材料を基板上に分布を補正して到達させるための噴出口１９１を各々有する複数の送風機構とを備える。複数の噴霧機構は、各々の噴霧口１３１が基板と対向し、かつ、平面視において基板の搬送方向と交差する方向に互いに間隔を置くように配置されている。複数の送風機構は、各々の噴出口１３１が複数の噴霧機構のうちの少なくとも１つの噴霧機構の噴霧口１３１の周囲に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】凹凸のある部品の表面や部品内部孔の表面であっても摺動抵抗が低くかつ表面の硬度の高い摺動面を形成し、高性能な摺動部品およびガイド部品を安価に製造できるようにする。
【解決手段】構造母材１０１の摺動部表面にめっき膜１０２を成膜しその最表面に分散したダイヤモンド微粒子１０３を共析させることにより、凹凸のある表面や部品内部孔の表面にあっても摺動抵抗の低い摺動面を形成するとともに、めっき面の熱処理によってめっき膜の硬度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用し、しかも前の処理等で使用した水分の持込みを極力低減させて、一連の連続した各処理を、より均一に安定して行うことができるようにする。
【解決手段】複数枚の基板を鉛直方向に平行に保持して搬送し、搬送の前後で異なる処理槽内の処理液中に複数枚の基板を同時に浸漬させる基板ホルダを有する無電解めっき装置において、基板ホルダは、基板の外周部を位置させて基板を支持する複数の支持溝１３０を有する支持棒９４ａと、支持溝１３０の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構１３６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】メッキ液から水分蒸発によるメッキ液の濃度および各種成分の状態変化を抑制してメッキレートおよびメッキ膜厚の安定化を図る。
【解決手段】メッキ処理槽２内の処理液の液面上方にある気体中のメッキ処理液の蒸気圧を制御する蒸気圧制御手段としての超音波式加湿機９と、メッキ処理液の液面位置が所定位置になるように蒸気圧制御手段としての超音波式加湿機９を制御して処理液量を調節する電装制御ユニット１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽８０と、複数枚の基板Ｗを鉛直方向に並列に保持してめっき槽８０内のめっき液に浸漬させる基板ホルダ８４と、基板ホルダ８４で保持してめっき液に浸漬させた各基板Ｗの周囲をそれぞれ囲繞して、各基板Ｗの外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板１５０，１５２を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、めっき液を含む薬液の持ち出し量を低減させて洗浄工程での洗浄時間を短縮させ、しかも、めっき液循環ラインの内部等のフラッシングを容易かつ迅速に行うことができるめっき装置の提供。
【解決手段】めっき前処理を行うめっき前処理槽６０を有するめっき前処理モジュール６４と、基板表面に無電解めっきを行うめっき槽６６，７２を有するめっきモジュール７０，７６と、めっき前処理モジュール６４とめっきモジュール７０，７６の間で基板を搬送するモジュール間基板搬送装置８６を有し、めっき前処理槽は、めっき前処理液の温度調節機能を備えためっき前処理液循環ラインを有し、めっき槽は、フィルタとめっき液の温度調節機能を備えためっき液循環ラインを有し、めっき液循環ラインは、めっき液循環ライン及びめっき槽の内部をフラッシングするフラッシングライン１１４，１２２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制して成膜される膜の品質を安定させる。
【解決手段】筐体１５０と、筐体１５０の内部に成膜材料１６０を微粒子化して噴霧する噴霧口１３０ａを有する噴霧機構と、噴霧口１３０ａと間隙１３３を介して対向する流入口１３２ａ、および流入口１３２ａとは反対側に位置する流出口１３２ｂを有する整流部材１３２とを備える。整流部材１３２の流入口１３２ａと流出口１３２ｂとの間の空間と、筺体１５０の内部とは間隙１３３により連通している。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の膜を連続して高品質に成膜できる。
【解決手段】複数の成膜室１００の各々は、筐体１５０と、この筐体１５０内に成膜材料１６０を微粒子化したミストを噴霧するスプレーノズル１３０とを有する。筐体１５０は、１つの側壁に位置して排気手段と接続される排気口１５２を有し、かつ、複数の成膜室１００を順次通過する基板２００と対向する開放部を加熱炉１２０内に有する。上記ミストは、複数の成膜室１００の各々において、スプレーノズル１３０から開放部を通過して排気口１５２に向けて流動する。排気手段による排気口１５２からの排気流量は、筺体１５０内への流入流量より大きい。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の下部にまで十分に触媒を吸着させることができる吸着処理方法を提供する。
【解決手段】はじめに、凹部２２が形成された基板２０を準備する。次に、触媒吸着装置１０によって、基板２０と、分散剤で被覆されたナノ粒子からなる触媒を含む触媒溶液１２とを接触させ、これによって、基板２０の表面に触媒２３を吸着させる。この際、触媒溶液１２に高周波振動が付与される。 （もっと読む）

【課題】平滑なプラスチックフィルムの表面であっても、簡便な方法で高い密着性を有する金属薄膜を形成することが可能な、無電解めっきの前処理に有用な組成物、及び該組成物を用いる無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】多官能性アクリル化合物を含むモノマー成分、還元により金属微粒子を生成可能な金属化合物、アゾ系ラジカル重合開始剤、及びアクリル基含有シランカップリング剤で表面修飾されたシリカ微粒子の疎水性有機溶媒分散液、を含有することを特徴とする無電解めっきの前処理皮膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、基板回転保持機構１１０およびめっき液供給機構３０を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２に向けてめっき液を吐出する吐出口４１を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。まためっき液供給機構３０は、第１ノズル４０に供給されるめっき液の温度が第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、基板回転保持機構１１０および吐出機構２１を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２の半径方向に沿って並べられた複数の吐出口４１を含む、または、基板２の半径方向に沿って延びる吐出口４２を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。 （もっと読む）

【課題】めっき液中のアンモニア成分の濃度を一定に維持してめっき液を循環して使用することができるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板２にめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。このうちめっき液供給機構３０は、基板２に供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３と、を有している。また供給タンク３１には、アンモニアガス貯留部１７０が接続され、供給タンク３１に貯留されためっき液３５中のアンモニア成分の濃度を目的の濃度範囲に保つ。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどにパラジウム構造を低コストで形成するための方法およびパラジウム堆積に使用できる溶液処理可能な塑性物を提供する。
【解決手段】パラジウム塩およびオルガノアミンを含み、還元剤を含まない非触媒パラジウム前駆体組成物であって、この組成物は、実質的に水を含まない。この組成物を、溶液処理方法を使用して基板上に溶液堆積させ、加熱して伝導性パラジウムを形成させ、パターン状のものを含む種々広範の基板にパラジウム層を形成し、電子デバイスのための電気回路または経路を形成する。 （もっと読む）

【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 （もっと読む）

【課題】マスキング材を半導体基板の一方面に貼り付ける際に生じ得る課題である製造時間が長時間に及ぶこと、マスキング材の貼り付けや剥離によって半導体基板に反りや割れが生じることが解消され、精度よく一方のアルミニウム電極層にめっき被膜を形成することのできる部分的にめっきをおこなう方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１とこれを挟む第１、第２のアルミニウム電極層２，３とからなる半導体基板４のうち、第１のアルミニウム電極層２にのみめっきをおこなう方法であって、ジンケート浴内に半導体基板４を浸漬し、第２のアルミニウム電極層３に亜鉛析出防止用の電位を印加してジンケート処理をおこない、第１のアルミニウム電極層２のみに亜鉛置換膜５が形成された中間体６を製作するステップ、ニッケルめっき浴に中間体６を浸漬して無電解めっき処理をおこない、第１のアルミニウム電極層２上に無電解ニッケル被膜７を形成するステップからなる。 （もっと読む）

【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第１のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第１の層を形成し、第２のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第１の層中の孔および第１の層上に第２の層を充填形成し、表面が平坦な上層部１１０を形成する。 （もっと読む）