【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用し、しかも前の処理等で使用した水分の持込みを極力低減させて、一連の連続した各処理を、より均一に安定して行うことができるようにする。
【解決手段】複数枚の基板を鉛直方向に平行に保持して搬送し、搬送の前後で異なる処理槽内の処理液中に複数枚の基板を同時に浸漬させる基板ホルダを有する無電解めっき装置において、基板ホルダは、基板の外周部を位置させて基板を支持する複数の支持溝１３０を有する支持棒９４ａと、支持溝１３０の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構１３６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】高分子材料表面上に優れた平滑性及び密着性を有し、かつ、優れた金属めっきの外観が形成された高分子材料のめっき物の提供。
【解決手段】
高分子材料表面上に、厚さ２０ないし２００ｎｍの複素環を有する高分子化合物層及び該層に吸着された無電解めっきの触媒能力を有する金属塩から構成されるめっき下地層が形成され、該めっき下地層上に無電解めっき法により金属めっき膜が形成された高分子材料のめっき物であって、
前記めっき下地層が、以下の（ａ）乃至（ｃ）のいずれかの方法により形成されることを特徴とするめっき物。
（ａ）前記高分子材料を、（ｉ）複素環を有する化合物と（ｉｉ）酸化剤として機能し且つ無電解めっきの触媒能力を有する金属塩とを含む水溶液に浸漬し、そして引き上げる工程を含む方法
（ｂ）前記高分子材料を、前記複素環を有する化合物を含む水溶液に浸漬し、そして引き上げた材料を、前記金属塩を含む水溶液に浸漬する工程を含む方法
（ｃ）前記高分子材料を、前記金属塩を含む水溶液に浸漬し、そして引き上げた材料を、前記複素環を有する化合物を含む蒸気に接触する工程を含む方法 （もっと読む）

【課題】平滑なプラスチックフィルムの表面であっても、簡便な方法で高い密着性を有する金属薄膜を形成することが可能な、無電解めっきの前処理に有用な組成物、及び該組成物を用いる無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】多官能性アクリル化合物を含むモノマー成分、還元により金属微粒子を生成可能な金属化合物、アゾ系ラジカル重合開始剤、及びアクリル基含有シランカップリング剤で表面修飾されたシリカ微粒子の疎水性有機溶媒分散液、を含有することを特徴とする無電解めっきの前処理皮膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】プリント回路板の製造に使用される樹脂積層基体、特に基体に形成されたスルーホールに適用される安定でかつ信頼性のある無電解金属めっき用触媒を提供する。
【解決手段】銀、金、白金、イリジウム、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される金属と、セルロースまたはセルロース誘導体とのナノ粒子、並びに１種以上の酸化防止剤を含み、かつスズを含まない水系溶液を触媒とすることで目的が達成される。 （もっと読む）

【課題】安定でかつ信頼性のある無電解金属めっき触媒を提供する。
【解決手段】銀、金、白金、パラジウム、イリジウム、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される１種以上の金属と、没食子酸、没食子酸誘導体およびこれらの塩から選択される１種以上の安定化化合物とのナノ粒子を含む水系触媒溶液を用いる。この水系触媒溶液はスズを含まない。この水系触媒溶液で基体を処理した後無電解金属めっき浴を用いて前記基体上に金属を無電解堆積する。 （もっと読む）

【課題】基材フィルム表面を粗化せず、しかも接着剤を使用しないにも拘わらず、基材フィルムと金属めっき膜との密着性を確保し、更にはフォトエッチング法により金属めっき膜を除去した部分において光透過性と表面平滑性に優れる回路用導電フィルムおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材フィルム上にめっき下地層を設け、めっき下地層上に無電解めっき法により金属めっき膜を設け、金属めっき膜をフォトエッチング処理して基材上にパターン状の金属めっき膜を設けた回路用導電フィルムであって、前記めっき下地層は、複素環を有する化合物、または複素環を有する化合物及び金属塩を含む層であり、前記フォトエッチング処理により金属めっき膜が除去された部分は、基材フィルムの光透過率を１００％とした時の値に対して９５％以上の光透過率であり、かつ表面粗さＲａが５０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に対する密着性に優れる金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法より得られる積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層に無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、無電解めっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する無電解めっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法であって、無電解めっき液の銅電極を用いて測定した混成電位と、無電解めっき触媒が付与された被めっき層の表面電位との差が０．１Ｖ以下であり、被めっき層の表面粗さが２００ｎｍ未満である、金属膜を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】マスキング材を半導体基板の一方面に貼り付ける際に生じ得る課題である製造時間が長時間に及ぶこと、マスキング材の貼り付けや剥離によって半導体基板に反りや割れが生じることが解消され、精度よく一方のアルミニウム電極層にめっき被膜を形成することのできる部分的にめっきをおこなう方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１とこれを挟む第１、第２のアルミニウム電極層２，３とからなる半導体基板４のうち、第１のアルミニウム電極層２にのみめっきをおこなう方法であって、ジンケート浴内に半導体基板４を浸漬し、第２のアルミニウム電極層３に亜鉛析出防止用の電位を印加してジンケート処理をおこない、第１のアルミニウム電極層２のみに亜鉛置換膜５が形成された中間体６を製作するステップ、ニッケルめっき浴に中間体６を浸漬して無電解めっき処理をおこない、第１のアルミニウム電極層２上に無電解ニッケル被膜７を形成するステップからなる。 （もっと読む）

【課題】貫通ビア電極を形成する際に処理温度が高くなく且つ低コストで、バリア層を均一に、且つ高い密着強度で製造する。
【解決手段】シリコン基板１０の厚さ方向に形成された高アスペクト比の、貫通ビア電極形成用の孔１２の内周面に、自己組織化単分子膜２４を形成し、これに、金属ナノ粒子１４を、高密度で吸着させて、この金属ナノ粒子１４を触媒として、バリア層を無電解めっきにより形成し、バリア層の上にシード層を無電解めっきにより形成し、次に、貫通ビア電極材を電解めっきにより堆積して、孔１２を埋めて、貫通ビア電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】所定のユニットを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物を用いて、基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、エッチング液を使用してパターン状金属膜を形成するパターン形成工程と、パターン状金属膜を有する基板と酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、パターン状金属膜が形成されていない領域の被めっき層をプラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程とを備える、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銀薄膜上に硬化型のトップコートを施す際にアンダーコート層と銀薄膜との接着性の著しい低下がなく優れた接着性を有する銀薄膜層の形成が可能な銀薄膜形成方法および該方法で用いられる銀鏡用第二活性処理液を提供する。
【解決手段】基材の表面に設けられたアンダーコート層を塩化第一スズを含有する銀鏡用第一活性処理液で処理する工程、さらに重金属の硫化物を含有する銀鏡用第二活性処理液で処理する工程、該重金属の硫化物で処理されたアンダーコート層上に銀鏡反応により銀薄膜層を形成する工程、該銀薄膜層上にトップコートを設ける公邸からなる銀薄膜形成方法、および該方法に用いられる重金属の硫化物を含有する銀鏡用第二活性処理液。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面に金属薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面に形成した金属薄膜はその形成途中段階において、ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の前駆体は、表面深さ方向に金属イオンの濃度勾配を有するポリイミド前駆体のポリアミド酸系樹脂層であって、前記濃度勾配はポリアミド酸系樹脂層の表面方向に低く深さ方向に高いという特徴を有しており、前記ポリアミド酸系樹脂層に含ませた金属イオンを還元することにより、ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面に金属薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ハードディスク装置用アルミニウム基板の表面を無電解ニッケルめっきに適した表面とすることのできるめっき前処理液及びそれを用いたハードディスク装置用アルミニウム基板の製造方法を得ること。
【解決手段】ハードディスク装置用アルミニウム基板製造のめっき前処理に用いられるめっき前処理液は、鉄イオン濃度が0.1〜1.0g/lでかつ硝酸濃度が2.0〜12.0wt%である。このめっき前処理液を、ハードディスク装置用アルミニウム基板に無電解ニッケルめっきをするめっき工程の前処理に用いる。これにより、ハードディスク装置用アルミニウム基板の表面を無電解Niめっきに適した表面とし、めっき工程で無電解ニッケルめっきを行った場合に、めっき表面のうねり、ノジュール及びピットの発生を抑制して平滑なめっき皮膜表面を得る。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき感度が高く、めっき被膜の均質性に優れ、高温・高湿環境下に長期間保存されても基板に対する密着性が高い金属パターンを得ることができる金属パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にアンカー層を形成し、該アンカー層上に無電解めっきの触媒またはその前駆体を含有するインクを付与した後、無電解めっき処理によって金属パターンを形成する金属パターンの製造方法において、該アンカー層は、重合性組成物を該基板上に付与した後、該重合性組成物を光重合法または熱重合法により重合して形成され、該アンカー層のアセトン抽出法によるゲル分率が９５％以上であることを特徴とする金属パターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れた強度、靱性及び硬度を有し、かつ、密着性及び光輝性に優れためっきが施されたアルミニウム合金鋳物を提供する。また、そのようなアルミニウム合金鋳物の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき層を有するアルミニウム合金鋳物であって、該アルミニウム合金が、Ｍｇ：１．５〜５．５重量％、Ｚｎ：１．６〜５．０重量％、Ｓｉ：０．４重量％以下、Ｆｅ：０．４重量％以下、Ｃｕ：０．４重量％以下、Ｔｉ：０．２重量％以下、Ｂ：０．１重量％以下及びＢｅ：０．１重量％以下を含有し、残部がＡｌ及び不可避不純物からなり、電解研磨された前記鋳物の表面に、ジンケート処理層を有し、さらに、その上に前記無電解ニッケルめっき層を有することを特徴とする、めっきが施されたアルミニウム合金鋳物とする。 （もっと読む）

【課題】プリント回路板のスルーホールの金属化のためのスズを含まない安定なパラジウム触媒組成物を提供する。
【解決手段】ナノ粒子の形態のパラジウム粒子、パラジウムの沈殿および凝集を妨げる安定化剤であるグルタチオンおよびパラジウムイオンを金属に還元するための還元剤を含有する組成物。 （もっと読む）

【課題】金属材料を被めっき部分として含む被処理物に無電解めっき皮膜を形成するための新規な活性化処理方法を提供する。
【解決手段】下記（１）及び（２）に記載の二段階の工程で処理することを特徴とする、無電解めっきの前処理方法：（１）（ｉ）パラジウム化合物、並びに（ii）アルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、、アルカリ金属、アルカリ土類金属の硫酸塩からなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する水溶液に接触させる第一活性化処理工程：（２）（ｉ）パラジウム化合物、（ii）アルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属、アルカリ土類金属の硫酸塩からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、並びにポリアミンの架橋化物からなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する水溶液からなる活性化液に、第一活性化処理工程で処理された被処理物を接触させる第二活性化処理工程。 （もっと読む）

【課題】本発明は、使用時のめっき剥がれに強く（めっきの密着性が高い）かつ、導電性が高い複合粒子の製造方法及び、更に無電解めっきを行う複合粒子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】少なくとも、粒子表面に金属アルコキシ基を有する有機ポリマー粒子（Ａ１）と、粒子表面に金属アルコキシ基を有する金属微粒子（Ｂ１）との混合物を加水分解・縮合させることを特徴とする複合粒子の製造方法である。更に無電解めっきを行う複合粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】第一固体層（first solid layer）上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。
【解決手段】この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 （もっと読む）

【課題】金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】金属膜形成システム１は、ウェハＷを搬入出する搬入出ステーション２と、ウェハＷ上に前処理液を塗布し、ウェハＷ上に下地膜を形成する前処理ステーション３と、下地膜が形成されたウェハＷ上に金属混合液を塗布し、ウェハＷ上に金属膜を形成する主処理ステーション４と、搬入出ステーション２と前処理ステーション３とを接続する第１のロードロックユニット１０と、前処理ステーション３と主処理ステーション４とを接続する第２のロードロックユニット１３とを有している。前処理ステーション３、主処理ステーション４、第１のロードロックユニット１０及び第２のロードロックユニット１３は、それぞれ内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）