【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板Ｗを保持する基板保持機構１１０と、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１に接続され、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０とを備えている。基板保持機構１１０の周囲に、基板Ｗから飛散しためっき液を排出する液排出機構１４０が配置され、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗの上方において、基板Ｗの表面側を覆うようにトッププレート１５１が設けられている。基板Ｗ、液排出機構１４０およびトッププレート１５１の間に、空気より比熱容量が高い加熱用ガスＧが滞留する滞留空間１５６が形成される。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用し、しかも前の処理等で使用した水分の持込みを極力低減させて、一連の連続した各処理を、より均一に安定して行うことができるようにする。
【解決手段】複数枚の基板を鉛直方向に平行に保持して搬送し、搬送の前後で異なる処理槽内の処理液中に複数枚の基板を同時に浸漬させる基板ホルダを有する無電解めっき装置において、基板ホルダは、基板の外周部を位置させて基板を支持する複数の支持溝１３０を有する支持棒９４ａと、支持溝１３０の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構１３６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽８０と、複数枚の基板Ｗを鉛直方向に並列に保持してめっき槽８０内のめっき液に浸漬させる基板ホルダ８４と、基板ホルダ８４で保持してめっき液に浸漬させた各基板Ｗの周囲をそれぞれ囲繞して、各基板Ｗの外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板１５０，１５２を有する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき液を安定に運転できる無電解めっき装置及び無電解めっき液への酸素供給方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液３０を貯留する無電解めっき槽１と、前記無電解めっき槽１に接続し、その無電解めっき槽１との間で前記無電解めっき液３０を循環する循環流路２１を有する外部循環手段２と、を備え、前記外部循環手段２が、その循環流路２１内に、酸素を含む気体を前記無電解めっき液３０に混入すると共に前記無電解めっき液３０を加圧して前記気体を前記循環流路２１内の前記無電解めっき液中に溶解させる気体混入手段と、前記気体を溶解させた前記無電解めっき液を減圧し微細気泡を発生させる減圧手段８と、を更に有する無電解めっき装置１００。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の下部にまで十分に触媒を吸着させることができる吸着処理方法を提供する。
【解決手段】はじめに、凹部２２が形成された基板２０を準備する。次に、触媒吸着装置１０によって、基板２０と、分散剤で被覆されたナノ粒子からなる触媒を含む触媒溶液１２とを接触させ、これによって、基板２０の表面に触媒２３を吸着させる。この際、触媒溶液１２に高周波振動が付与される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、基板回転保持機構１１０および吐出機構２１を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２の半径方向に沿って並べられた複数の吐出口４１を含む、または、基板２の半径方向に沿って延びる吐出口４２を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。 （もっと読む）

【課題】めっき液の反応速度を向上させることにより、基板１枚あたりのめっき処理時間を短縮することが可能なめっき処理方法およびめっき処理装置を提供する。
【解決手段】基板２の表面に前処理液が残っている状態で、基板２を第１回転数で回転させ、基板２にめっき液を供給することにより液置換を行う（液置換工程Ｓ３０５）。次に、基板２にめっき液を供給し続けた状態で、基板２を停止または第２回転数で回転させて、基板２に初期成膜を行う（インキュベーション工程Ｓ３０６）。その後、基板２にめっき液を供給し続けた状態で、基板２を第３回転数で回転させて、めっき膜を成長させる（めっき膜成長工程Ｓ３０７）。第１回転数は、第３回転数より回転数が高く、第３回転数は、第２回転数より回転数が高い。 （もっと読む）

【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、基板回転保持機構１１０およびめっき液供給機構３０を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２に向けてめっき液を吐出する吐出口４１を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。まためっき液供給機構３０は、第１ノズル４０に供給されるめっき液の温度が第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】被めっき対象の導通部およびその導通部から電気的に分離された独立部の表面に均一に金属薄膜を形成することが可能な無電解めっき装置、無電解めっき方法およびそれを用いた配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき装置１のめっき槽２内に無電解めっき液３０が収容される。無電解めっき液３０中に参照電極５および対極６が浸漬される。長尺状基材１０の導通部に電気的に接触するように導通部材４が設けられる。導通部材４、参照電極５および対極６は、ポテンショスタット３に接続される。主制御装置８は、ポテンショスタット３により参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導通部の電位が参照電極５を基準とする独立部の電位に等しくなるように、長尺状基材１０の導通部の電位を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第１のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第１の層を形成し、第２のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第１の層中の孔および第１の層上に第２の層を充填形成し、表面が平坦な上層部１１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきの析出速度を低下させることなく、効率よく、信頼性の高いめっき処理を行なえ、さらにコストを抑えることが可能なめっき装置およびめっき方法を提供すること。
【解決手段】めっき槽１３と、めっき槽１３内には無電解めっきにてプリント配線基板１５にめっきを施すめっき液３が充填された無電解めっき装置１であって、めっき槽１３上面には蓋材７が設けられ、蓋材７には基板１５が通過するためのスリット９が設けられ、蓋材７の液面側と、めっき液３の液面とで囲まれた空間１１には不活性ガスが充填されていることを特徴とするめっき装置である。 （もっと読む）

【課題】めっき液中の溶存酸素および溶存水素が効率的に除去されるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板２にめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。このうちめっき液供給機構３０は、基板２に供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３と、を有している。また供給タンク３１には、供給タンク３１に接続され、供給タンク３１に貯留されためっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段３４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】保持体の回転により被処理物の全ての箇所が処理液に浸漬でき、被処理物の全領域で均一な処理が可能で、被処理物の全領域を製品として使用可能とすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ５を処理するための処理液４を貯留する処理槽１と、ウエハ５の中心から最外位置までの距離より大きい半径を有する円の円周上位置においてウエハ５を把持することなく保持してウエハ５を処理液４に浸漬する保持体３０と、円周の中心を回転中心として保持体３０を回転させる回転手段１０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】めっき膜からデフェクトを容易に除去することが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対してめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。また、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対して物理力を印加することにより基板２を洗浄する物理洗浄機構７０が設けられている。物理洗浄機構７０は、基板２が乾燥されるよりも前に基板２に対して物理力を印加することにより、基板２上のめっき膜からデフェクトを除去する。 （もっと読む）

【課題】めっき液の組成を簡便に制御可能な無電解めっき装置及び方法を提供する。
【解決手段】めっき槽２と、めっき槽２から抜き取っためっき液に金属のイオンを補給する金属溶解槽３０、３１と、金属溶解槽３０、３１から送られた液に含まれる溶存酸素の濃度を低下させて曝気液を生成する曝気槽４とを含む無電解金属めっき装置１を用い、めっき槽２から抜き取っためっき液を金属溶解槽３０、３１に送るめっき液搬送部と、高濃度化しためっき液を金属溶解槽３０、３１から曝気槽４に送る高濃度化めっき液搬送部と、曝気槽４からめっき槽２に曝気液を送る曝気液搬送部と、めっき液に酸素を溶解する酸素富化ガス供給部６０、６１とを備え、金属溶解槽３０、３１は、槽内に内包させる金属を配置・取り出し可能とする。イオンの溶解量を調節可能とし、酸素富化ガス供給部６０、６１は、金属溶解槽３０、３１又はめっき液搬送部に付設されている。 （もっと読む）

【課題】触媒層に対するアルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】上流から下流にプラスチック基板（被処理物）１１０を搬送しながら、めっき液を用いてプラスチック基板１１０の被処理面上にめっき層１１４を形成するめっき処理槽（めっき処理装置）１０であって、搬送部９と、初期析出部７と、を備えている。搬送部９は、被処理物を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部７は、当該めっき処理装置の上流側に備えられ、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。 （もっと読む）

【課題】めっき液の劣化を防止するめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき方法は、第１面と前記第１面の反対側の面となる第２面を有するワークを、前記第１面と前記第２面との間に隙間を有するように、螺旋状に巻くワーク巻取り工程と、前記螺旋状に巻かれた前記ワークの幅方向の両端部を蓋部材で挟持して、前記隙間と前記蓋部材とで構成される流路を形成する流路形成工程と、前記流路にめっき液を導入するめっき液導入工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 個々の銅粉の全面に均一にスズめっき皮膜を形成したスズめっき銅粉を製造する。
【解決手段】 銅粉分散液には銅粉を酸に分散させた酸性分散液を用い、この酸性分散液に対してスズ塩含有液（実質的に無電解スズめっき液）を供給して混合し、混合液中ではスズと銅の重量比率を所定範囲に適正化するとともに、混合液を強く撹拌させながら銅とスズの間で置換反応を行った後、ろ過、洗浄、乾燥してスズめっき銅粉を製造する方法である。この酸性分散液の使用や、酸性分散液への無電解スズめっき液の供給方式などにより、個々の銅粉の全面にスズめっき皮膜を均一に被覆できる。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板の一面の基板処理領域のみを簡単かつ迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような状態の処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに溶液供給機構が基板処理溶液ＴＬを圧送するとともに吸引する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは圧送されるとともに吸引される基板処理溶液ＴＬにより処理されることになる。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡便に実施可能で、多孔質材料の内部まで欠陥の少ないめっき皮膜が形成可能な多孔質材料の無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】多孔質材料の内部に１または複数の液剤を順次含浸させる１または複数の含浸工程を有する多孔質材料の無電解めっき方法であって、含浸工程の少なくとも１つにおいて、液剤の液流中に全体が浸された状態で多孔質材料を配置し、その内部に液剤を含浸させ、所定時間接触させる多孔質材料の無電解めっき方法。 （もっと読む）