【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、めっき液を含む薬液の持ち出し量を低減させて洗浄工程での洗浄時間を短縮させ、しかも、めっき液循環ラインの内部等のフラッシングを容易かつ迅速に行うことができるめっき装置の提供。
【解決手段】めっき前処理を行うめっき前処理槽６０を有するめっき前処理モジュール６４と、基板表面に無電解めっきを行うめっき槽６６，７２を有するめっきモジュール７０，７６と、めっき前処理モジュール６４とめっきモジュール７０，７６の間で基板を搬送するモジュール間基板搬送装置８６を有し、めっき前処理槽は、めっき前処理液の温度調節機能を備えためっき前処理液循環ラインを有し、めっき槽は、フィルタとめっき液の温度調節機能を備えためっき液循環ラインを有し、めっき液循環ラインは、めっき液循環ライン及びめっき槽の内部をフラッシングするフラッシングライン１１４，１２２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 被めっき物の表面に、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えたフェライトめっき膜を析出する。
【解決手段】 めっき槽４と、２価の鉄イオン、または、２価の鉄イオンと鉄以外の２価の金属イオンを含む反応２液と、被めっき物１とを準備する工程と、めっき槽に、純水５および反応液２の少なくとも一方と、被めっき物１とを投入し、被めっき物の表面にフェライトめっき膜（図示せず）を析出させる工程とを備え、被めっき物１の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、めっき槽４内の液体９の液面と被めっき物１との距離を一定に保つようにした。 （もっと読む）

【課題】めっき液中のアンモニア成分の濃度を一定に維持してめっき液を循環して使用することができるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板２にめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。このうちめっき液供給機構３０は、基板２に供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３と、を有している。また供給タンク３１には、アンモニアガス貯留部１７０が接続され、供給タンク３１に貯留されためっき液３５中のアンモニア成分の濃度を目的の濃度範囲に保つ。 （もっと読む）

【課題】めっき液の組成を簡便に制御可能な無電解めっき装置及び方法を提供する。
【解決手段】めっき槽２と、めっき槽２から抜き取っためっき液に金属のイオンを補給する金属溶解槽３０、３１と、金属溶解槽３０、３１から送られた液に含まれる溶存酸素の濃度を低下させて曝気液を生成する曝気槽４とを含む無電解金属めっき装置１を用い、めっき槽２から抜き取っためっき液を金属溶解槽３０、３１に送るめっき液搬送部と、高濃度化しためっき液を金属溶解槽３０、３１から曝気槽４に送る高濃度化めっき液搬送部と、曝気槽４からめっき槽２に曝気液を送る曝気液搬送部と、めっき液に酸素を溶解する酸素富化ガス供給部６０、６１とを備え、金属溶解槽３０、３１は、槽内に内包させる金属を配置・取り出し可能とする。イオンの溶解量を調節可能とし、酸素富化ガス供給部６０、６１は、金属溶解槽３０、３１又はめっき液搬送部に付設されている。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板の一面の基板処理領域のみを簡単かつ迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような状態の処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに溶液供給機構が基板処理溶液ＴＬを圧送するとともに吸引する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは圧送されるとともに吸引される基板処理溶液ＴＬにより処理されることになる。 （もっと読む）

【課題】外周面上に凹凸が形成された円筒形の金型本体の外周面上に、比較的薄いニッケルめっき層を均一に形成でき、該凹凸が微細である場合でもめっき斑等のめっき欠陥の発生を抑制できるニッケルめっき金型の製造方法の提供。
【解決手段】外周面に凹凸が形成された円筒形の金型本体をニッケルめっき液に浸漬して該金型本体の外周面にニッケルめっき処理を施すニッケルめっき金型の製造方法であって、前記金型本体の外周面の温度を、前記ニッケルめっき液の温度±１０℃以内とした状態で前記ニッケルめっき処理を開始する。 （もっと読む）

無電解ニッケル（Ｎｉ）めっきによって基材を耐摩耗性粒子でコーティングする諸方法。一方法は、槽内に用意されたＮｉ塩含有処理液中に基材を浸漬するステップと、所定の大きさを有する立方窒化ホウ素（ｃＢＮ）粒子を、ｃＢＮの所定の濃度を生じるように処理液に追加するステップと、基材をｃＢＮ粒子とともに処理液中に所定の時間維持するステップと、基材を取り出すステップとを含み、取り出された基材は、ｃＢＮおよびＮｉからなる第１の範囲内のコーティングを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の被めっき物をめっきしつつ、被めっき物に対するめっき液の温度及び所定成分の濃度のばらつきを低減でき、且つ廃液量の削減を図ることが可能な無電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】制御装置３１は、第１〜第５のめっき槽２，３，４，５，６のうち補給対象となる１つのめっき槽に対応する分析用バルブを開状態に設定するとともに分析用ポンプを駆動し、１つのめっき槽内のニッケルめっき液３３を分析部４１に供給し、分析部４１の分析結果に基づいて１つのめっき槽内のニッケルめっき液３３中の所定成分の濃度を所定の濃度にするために加える補給液の供給量を算出し、算出した供給量の補給液を１つのめっき槽に供給する分析補給処理を実行する。制御装置３１は、予め定められた補給順序に従って補給対象となるめっき槽を順次変更して分析補給処理を繰り返して実行する。 （もっと読む）

【課題】劣化した無電解めっき液の不要イオンを目標とする濃度まで精度良く除去できる無電解めっき液の再生方法を提供する。
【解決手段】不要イオンが蓄積し、劣化した無電解めっき液（めっき液と記す）を電気透析法により再生する方法であって、陽極板および陰極板間に複数の陽イオン交換膜と陰イオン交換膜を交互に配置して仕切られた脱塩室および濃縮室を有する電気透析ユニットを用いて、脱塩室にめっき液を循環して供給する工程、濃縮室に希薄電解液を循環して供給する工程、陽極板および陰極板間に電圧を印加して電気透析して、めっき液に蓄積した不要イオンをめっき液側から希薄電解液側に移行させて除去し、めっき液を再生する工程を有し、蓄積した不要イオン濃度が減少していくめっき液の導電率または不要イオン濃度が増加していく希薄電解液の導電率の変化により電気透析条件を制御するめっき液の再生方法。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内のめっき液の温度や流動を均一にすることで、ワーク等の被めっき物に均一なめっきを施すことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】リザーブ槽２０からポンプ５０によってめっき液Ｂをめっき槽１０へ導入させ、多孔管６０の吐出口６２よりめっき槽１０上方へ吐出させることで、めっき槽１０内のめっき液Ｂに流動が与えられる。このとき、吐出口６２が複数箇所に設けられ、また、その開口方向が多孔管６０の上方および両側方であり、さらに、多孔管６０の上部に多孔質板９０が設けられていることから、めっき槽１０内のめっき液Ｂの流動は均一化される。また、めっき液Ｂの温度については、リザーブ槽２０内に設けられたヒーター８０、ヒーター制御部８１および攪拌機７０によって調節され、その後に温度調節されためっき液Ｂがめっき槽１０へ導入される。 （もっと読む）

【課題】プロセスにおける不所望のアニオンの増加を避けることにより無電解ニッケルめっき浴の寿命を延ばす方法、及び浴のｐＨ安定性を改善し、ｐＨ調整添加剤の添加を最小限に抑える方法。
【解決手段】該方法は、（ａ）無電解ニッケルめっき浴から無電解ニッケルを基材上に析出させる工程であって、前記無電解ニッケルめっき浴が好ましくはニッケル源及び次亜リン酸イオン源を含有している工程と、（２）ニッケルアノードを前記めっき浴に浸漬する工程と、（３）イオン交換膜により前記ニッケル浴から分離されているカソードを利用し、酸或いはその塩を含むカソード液を用いることにより回路を完成させる工程と、（４）前記浴に電流を流す工程と、を含む。ニッケルがめっき浴に溶解することによりニッケル濃度が維持され、水素はカソードから放出される。 （もっと読む）

【課題】水素分離用薄膜として供する緻密なパラジウムと銀合金膜を作製するに当たり、非導電性基材の表面に、無電解メッキによってパラジウムと銀を一定の組成で、均一に析出させて成膜し、６００℃以下の加熱で迅速に合金化させた水素分離用薄膜を提供する。
【解決手段】パラジウムと銀とを含むメッキ浴に、種核を付着させた多孔質基材を浸し、メッキを施す過程において、一定の流速で連続的に銀含有水溶液を添加することで、両元素の析出速度を制御して、一定の組成比のパラジウムと銀を深さ方向に均一に成膜する方法、及び該方法で作製した水素分離用薄膜。
【効果】非導電性基材の表面に、無電解メッキによってパラジウムと銀を一定の組成で、均一に析出させた水素分離膜として供するためのパラジウムと銀の合金膜を作製する方法及びその水素分離用薄膜を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】めっき溶液の解析及び制御のための方法と装置
【解決手段】めっきシステムは、めっき溶液と、めっき溶液の制御のための装置とを含み、装置は、有機成分の測定のためのラマン分光計と、金属成分の測定のための可視光分光計と、ｐＨプローブとを含む。めっき溶液は、連続的に又は間欠的にサンプリングすることができる。めっき溶液の注入は、めっきプロセス中に消費された又は失われた成分の調整を行う。注入の方法は、めっき溶液を所望の組成に維持することに基づいている。 （もっと読む）

【課題】無電解メッキ液の使用に伴い減少する金属イオンを補給し、生成する不要な陰イオンの蓄積を減少し、メッキ液を安定して長期間使用することができる無電解メッキ装置を提供する。
【解決手段】無電解メッキをするためのメッキ液を有するメッキ槽と、前記メッキ槽に無電解メッキに使用する金属を補給するための補給槽と、前記補給槽とメッキ槽とを連結してメッキ液を循環させるための循環手段とを有する無電解メッキ装置であって、前記補給槽は、電気分解をするための電源と、前記無電解メッキに使用する金属からなる陽極電極を有する陽極室と、陰極電極を有する陰極室と、前記陽極室と陰極室との間に設けられたイオン交換膜とを有し、電気分解により前記陽極室の陽極電極から生成した金属イオンを陽極室または陰極室からメッキ槽に補給する無電解メッキ装置。 （もっと読む）

【課題】本発明はナトリウムイオン及び硫酸イオンを実質的に含まない浴をイオン交換リサイクル技術と組み合わせることで、無電解ニッケル廃棄物の問題を実質的に無くすことを目的とする。
【解決手段】還元剤として次亜リン酸イオンを利用し、硫酸及びナトリムイオンを実質的に含まない無電解ニッケルめっき浴が提供される。めっき浴中の使用済みニッケルがイオン交換樹脂を使用して取り除かれ、残留排液は肥料組成物の製造に使用できる。ニッケルは、めっき浴に戻される介在物に処理される。よって、本発明の処理により、有害廃棄物を放出しないで溶液を無期限で使用できる。 （もっと読む）

【課題】メッキ液が安定で、メッキの選択析出性が良好なメッキ法を提供する。また、そのメッキ法により形成されたメタルキャップ膜を埋め込み配線上に有し、配線間のリーク耐性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】メッキ後、メッキ廃液を回収して再利用する循環式メッキ法であって、メッキ液を収容する容器からメッキ液を取り出す工程と、取り出したメッキ液に、メッキ助剤であるジメチルアミンボランを添加する工程と、ジメチルアミンボランを添加したメッキ液でメッキする工程と、生じたメッキ廃液を、メッキ液を収容する容器に回収する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】シアン化金塩、錯化剤、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物及びアミン化合物を含有する無電解金めっき浴を７０〜９０℃に保持した状態で上記無電解金めっき浴のめっき能を安定に維持管理する方法であって、シアン化アルカリ、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物及びアミン化合物を第１の補給成分として定期的に補給し、更に、めっき処理により金が消費されためっき浴に対し、シアン化金塩、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物及びアミン化合物のみを第２の補給成分として補給する無電解金めっき浴のめっき能維持管理方法。
【効果】ニッケル表面の粒界侵食が進行することによる外観不良を引き起こさず、良好な皮膜外観の金めっき皮膜を形成する無電解金めっき浴のめっき能を長期間、安定的に維持管理することができ、また、めっき処理によりシアン化金塩が消費された無電解金めっき浴を長期間、安定的に維持管理することができる。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき溶液中の金属溶液及び還元剤溶液の濃度を測定する方法が開示されている。
【解決手段】ラマン分光器法を用いて、混合した後の無電解めっき溶液中の各溶液の濃度を測定する。溶液をめっき浴に提供する前に各溶液の濃度を測定することにより、個々の溶液の濃度を調整して、各溶液の目標濃度を得ることができる。更に、各溶液は他の溶液と混合する前にラマン分光法を用いて個々に分析することができる。混合前の個々の溶液のラマン分光法測定値に基づいて、各溶液を形成する個々の成分を混合前に調整して目標の成分濃度を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】Pｄ活性化処理を行わずとも、被めっき金属微粒子を無電解めっき法によりめっき用金属にて良好にめっきする方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】被めっき金属微粒子は、まず第三工程においてその表面が清浄化処理されて、機械油、手垢、グリスなどの油脂類、あるいは軽度に脆化した酸化物や水酸化物などが除去され、ついで第一工程において高温度の大気中での加熱や酸化力のある酸水溶液などで酸化処理されてその表面に均一な酸化膜が形成され、最後に第二工程において所望のめっき用金属を自己触媒析出する無電解めっき液に浸漬して無電解めっきされる。 （もっと読む）