【課題】蒸発材料の、蒸着対象物に対向する対向面内で、蒸発流密度の分布を均一にすることができる真空蒸着装置、これに用いられる電子銃及びその蒸着方法を提供すること。
【解決手段】真空蒸着装置１００では、メインコントローラ１４及び／または電子銃ドライバ５９により、電子ビームＢが、蒸発材料１０の上面１０ａの外形にしたがって揺動するように、揺動コイル６２が制御される。これにより、電子ビームが、その上面１０ａ全体に均一に入射される。したがって、蒸発材料１０の上面１０ａからの蒸発流分布（蒸発流密度）を均一にすることができる。その結果、成膜レートの安定化を図ることができ、基板Ｗに形成される蒸着膜の膜厚分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Ｍｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Ｘは、Ｍｏと合金を形成し、Ｍｏより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Ｔｌより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Ｘの含有量は、１ａｔ％以上２０ａｔ％以下が好ましい。少なくとも表面から５０ｎｍまでの領域が本発明に係るＭｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極。元素Ｘは、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれるいずれか１以上の金属元素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スリットの大きさが微細に制御された蒸着用マスクおよび蒸着用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による蒸着用マスクは、貫設された複数のスリットが形成されたマスク本体、および原子層蒸着法（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）により前記マスク本体の表面全体にコーティングされた蒸着層を含む。 （もっと読む）

【課題】高い解像度を有し、かつ生産性が高い有機ＥＬ発光装置等の装置を製造するための成膜装置を提供する。
【解決手段】マスク部材１１と、マスク部材１１を固定するフレーム１２と、からなるマスクユニット１０と、マスクユニット（１０）１基に対して１組設けられるアライメント機構と、を備え、マスク部材１１が、複数組の開孔パターン１３ａが並列して設けられてなる開孔部１３を有し、前記アライメント機構により、複数の成膜領域がマトリクス状に設けられている一枚の基板１に対して複数のマスクユニットが互いに干渉されることなく配置され、成膜時においてマスクユニット１０を交換し又は移動することなく、一括して薄膜を成膜することを特徴とする、成膜装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、蒸着品質を高めることができるマスク組立体およびそれを用いて製造された有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明によるマスク組立体は、開口部を形成するフレームと、複数の蒸着用開口部を形成し、長さ方向に沿って引張力が加わった状態で両側端部がフレームに固定される複数の単位マスクとを含む。複数の単位マスクのうちの隣接した少なくとも二つの単位マスクは、互いに向き合う両側面に蒸着用凹部を形成する。単位マスクの幅方向に沿った蒸着用凹部の幅は、単位マスクの幅方向に沿った蒸着用開口部の幅と同一であるか、またはそれよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】単結晶基板上において、圧電薄膜を良好な単結晶の状態で確実にエピタキシャル成長させて成膜し、圧電特性を確実に向上させる圧電素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子１０は、以下の工程によって製造される。単結晶基板１を、振動する振動部１Ａと、振動部１Ａと連結されて振動が生じない非振動部１Ｂとに分けたときに、単結晶基板１上で、非振動部１Ｂ上を含む領域であって、振動部１Ａ上の圧電薄膜３の成膜領域を除く領域に、圧電薄膜３の単結晶での成長を阻害する阻害膜２を成膜する。次に、上記成膜領域となる振動部１Ａ上の少なくとも一部に、圧電薄膜３を単結晶でエピタキシャル成長させて成膜するとともに、阻害膜２上に、圧電薄膜３を非晶質または多結晶で成膜する。その後、阻害膜２上に成膜された圧電薄膜３を除去する。 （もっと読む）

【課題】優れた耐摩傷性を備えたトップコート層が、アンダーコート層を介して、樹脂基材の表面に、十分に高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材１２の表面に積層されたアンダーコート層１４上に、無機珪素化合物のスパッタ層からなる基層部１８と、無機珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部２０との複層構造を有するトップコート層１６を更に積層形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】細い荷電粒子ビームを安定して発生させること。
【解決手段】イオンビーム生成装置１は、ガス流を発生させるガス源７と、基端部２１がガス源７に接続され、先端部２５がテーパー状に形成されたキャピラリーチューブ９と、キャピラリーチューブ９の側面３５を外側から囲むように設けられた板状電極１９と、板状電極１９にパルス電圧を印加するパルス電圧源１１と、イオンビームの照射対象のターゲットＴに負の直流バイアスを印加するバイアス電圧源１３とを備え、キャピラリーチューブ９の側面３６には複数の側孔３７ａ，３７ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子注入効率が高く低電圧駆動が可能な有機発光素子を製造する方法を利用する際に使用される蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着材料２５を収容する収容容器２３と、収容容器２３内に収容される蒸着材料５をガス状態にする加熱手段（熱源２２）と、を有する蒸着装置において、収容容器２３と被蒸着基材との間であって、ガス状態の蒸着材料が通過する位置に媒体２１を有し、媒体２１と前記被蒸着基材との間に媒体２１が発する熱を遮蔽する遮蔽部材が配置されていることを特徴とする蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時に異常放電によりスプラッシュが発生することを抑制または低減することができるスパッタリングターゲットの製造方法、および該製造方法によって得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】正面フライス１００を軸線Ｌまわりに回転させながら、軸線Ｌに直交する走査方向に走査させて切削加工を行うことで、スパッタリングターゲットのスパッタリング面５１を仕上げ加工する。正面フライス１００には、スローアウェイチップ（インサート）３として、第１チップ３１と第２チップ３２とが設けられる。第１チップ３１は、円弧状の切り刃を有する。第２チップ３２は、直線状の切り刃を有する。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット３１の背面側に設けられたマグネット配列体５は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット３１のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット３１の使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】高い解像度を有する有機ＥＬ発光装置が得られ、かつ生産性が高い有機ＥＬ発光装置の製造装置を提供する。
【解決手段】複数のマスク部材１０と、複数のマスク部材１０を固定するフレーム２０と、からなるマスクユニット２と、マスク部材１０と基板４０との相対位置を決めるアライメント機構と、蒸着源３０と、を備え、マスク部材１０が、複数組の開孔パターン１２が並列して設けられてなる開孔部１１と、マスク部材１０上であってマスク部材１０とフレーム２０とが接合している領域に設けられるアライメントマーク１４，１５と、を有し、マスク部材１０と、マスク部材１０と同一の形状の基板４０と、が、前記アライメント機構を用いて、マスク部材１０に設けられるアライメントマーク１４、１５と基板４０に設けられるアライメントマーク４２、４３とを合わせることによってアライメントが行われる。 （もっと読む）