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【課題】品質の低下が抑制された有機ELデバイスを製造し得る有機ELデバイスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造方法であって、前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って設けられた第1及び第2蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、該構成層形成工程は、複数の上向き蒸着工程と、方向変換工程とを備えている有機ELデバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 切断加工時などにおけるひび割れの発生を抑制することができるCu−Ga合金スラブ、および、このようなCu−Ga合金スラブを用いて作製されたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Cu−Ga合金スラブは、Cu−Ga合金よりも融点の高い高融点金属を、原子百分率で1at%以下含有する。このCu−Ga合金スラブを用いて、スパッタリングターゲットを作製する。 (もっと読む)


【課題】 Cu−Ga合金からなるCu−Ga合金スラブを溶解鋳造により作製するための鋳造装置において、大型のCu−Ga合金スラブを、ひび割れ発生を充分に抑制して製造することができる鋳造装置を提供する。
【解決手段】 鋳造装置100は、坩堝1と鋳型2との間に貯留槽3を備える。貯留槽3は、坩堝1の下方に配置され、坩堝1の出湯開口12から出湯された溶湯を一時的に貯留する。この貯留槽3は、坩堝1の出湯開口12から出湯された溶湯が流入する流入開口32と、該流入開口32よりも下方に設けられ、流入開口32から流入して貯留される溶湯を、溢流させて排出可能な排出開口33とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】 膜剥離の問題を改善し、さらに低い電気抵抗値を維持できる、MoTiターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Tiを20〜80原子%含有し残部がMoおよび不可避的不純物からなる組成を有し、前記不可避的不純物の一である水素が10質量ppm以下であるMoTiターゲット材である。また、本発明のMoTiターゲット材は、MoTi焼結体を100Pa未満の圧力、800℃以上、0.5時間以上の条件で熱処理する工程とで得られる。 (もっと読む)


【課題】複数の圧電体薄膜を積層して形成される圧電体素子における膜の密着性を高めて剥離を防止し、耐久性、信頼性を高めるとともに変位効率(駆動効率)を向上させる圧電体素子を提供する。
【解決手段】基板30上に、第1の電極32が形成され、その上に第1の圧電体膜34が形成される。さらに第1の圧電体膜34の上に拡散ブロック層として機能する金属酸化物膜36が積層され、その上に金属膜38が積層して形成される。金属膜38の上に第2の圧電体膜76が形成され、その上に第2の電極46が積層して形成される。第1の圧電体膜34の分極方向と第2の圧電体膜44の分極方向は互いに異なる。第1の電極32と第2の電極46を接地電位とし、金属膜38を含む中間電極40をドライブ電極とすることができる。各層の圧電体膜を互いに異なる組成で構成することができる。中間層40の厚みと応力値の積は100N/m未満であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】円筒形状のCu−Ga合金からなる高品質で量産が可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】溶解容器5内のCuとGaを加熱手段で溶解して溶湯Mを形成し、前記溶解容器の底部に形成された円環状の開口7を開閉自在に覆うことができる引下部材6を所定の速度で引き下げることにより、前記開口を開放すると共に前記溶解容器内の前記溶湯を凝固させながら連続的に円筒形状のスパッタリングターゲットとなる凝固材を抜き出すに際して、前記溶解容器内の前記開口付近の前記溶湯を流動可能な半凝固状態とし、且つ前記溶解容器の前記開口から外部に出た直後に流動性のない凝固状態となるように、前記加熱手段によって温度制御を行う。 (もっと読む)


【課題】高いバリア性を有するCu−Mn合金膜を形成する。
【解決手段】半導体素子の配線の形成に用いられるCu−Mn合金スパッタリングターゲット材10であって、濃度が8原子%以上30原子%以下のMnと、不可避的不純物とを含むCu−Mn合金からなり、Cu−Mn合金の平均結晶粒径が10μm以上50μm以下である。 (もっと読む)


【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに、低抵抗な主導電層であるAlと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Mo合金からなる被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Alを主成分とする主導電層と該主導電層の一方の面および/または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がMo100−x−y−Ni−Ti、10≦x≦30、3≦y≦20で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 (もっと読む)


【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供する。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第1ロール室W1から第2ロール室W2へ向う第1の方向に第1ロール室から繰り出し、繰り出された基体10を脱ガスし、第1の面に第1成膜室41において第1の膜材料を成膜し、第1の膜材料が成膜された基体を、第2ロール室から第1ロール室へ向う第2の方向で第2成膜室42へ案内し、第2の方向に案内中の基体の第1の面とは反対側の第2の面に第2成膜室において第2の膜材料を成膜し、第1の面に第1の膜材料が成膜され且つ第2の面に第2の膜材料が成膜された基体を第1ロール室と第2ロール室の間に設けた第3ロール室W3でロール状に巻取り、第3ロール室で巻き取った基体を第1の方向に第1ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 (もっと読む)


【課題】真空状態の容器内で蒸発源を放電させて処理物の表面に薄膜を生成する際の成膜効率を簡易な構成で向上させることの可能な、成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、真空状態の容器21内で蒸発源を放電させることにより、容器21内の処理物Wの表面を、蒸発源から放出されて電荷を帯びた膜材粒子で被覆し、処理物Wの表面に薄膜を生成するものであって、筒状の容器21は、蒸発源に用いられる素材で形成される。 (もっと読む)


【課題】相対密度の高く、抵抗値のバラツキが小さいCuGaNa系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るCuGaNa系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、CuGa合金粉末と150μm以下の平均粒度を有するNa2CO3粉末との混合粉末を作製し、上記混合粉末を加圧焼結する。CuGa合金粉末に添加されるNa原料としてNa2CO3粉末を採用し、そのNa2CO3粉末の平均粒度を150μm以下に制限することで、焼結体の相対密度を例えば98%以上に高めることができるとともに、抵抗値のバラツキを例えば±6%以下に抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】相対密度の高く、抵抗値のバラツキが小さいCuGaNa系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るCuGaNa系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、CuGa合金粉末と100μm以下の平均粒度を有するNaCl粉末との混合粉末を作製し、上記混合粉末を加圧焼結する。CuGa合金粉末に添加されるNa原料としてNaCl粉末を採用し、そのNaCl粉末の平均粒度を100μm以下に制限することで、焼結体の相対密度を例えば97%以上に高めることができるとともに、抵抗値のバラツキを例えば±10%以下に抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、Moの分散性が良い、均一微細な組織をもったMoTiターゲット材の製造方法およびMoTiターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本発明は、(1)Mo一次粒子が凝集したMo凝集体を平均粒径10μm以下に解砕してMo粉末を作製する工程と、(2)前記Mo粉末と平均粒径50μm以下のTi粉末とを混合して混合粉末を作製する工程と、(3)前記混合粉末を加圧焼結してMoTi焼結体を作製する工程とを有するMoTiターゲット材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成・制御で高い品質の透明導電膜を生成する。
【解決手段】In−Sn合金膜120をガラス基板12上に成膜し、成膜されたIn−Sn合金膜120を、エッチングしてパターニングした後、水蒸気生成装置42の処理室400に格納する。水蒸気生成装置42によって水蒸気を生成させて、その基板12を格納する処理室400に水蒸気を導入する。In−Sn合金膜120が水蒸気に曝された状態を所定の時間保持することで、ITO膜140となるようにIn−Sn合金膜120を酸化反応させる。 (もっと読む)


【課題】ターゲットを高融点金属とし、このターゲットを処理対象物に成膜するときにグレインサイズや表面モホロジーを制御し得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ターゲット2として高融点金属製のものを用い、真空チャンバ1内でこのターゲットに処理対象物Wを対向配置し、所定圧力の真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物の表面に上記高融点金属からなる金属膜を成膜する。スパッタリング中、処理対象物の全面に亘って垂直な静磁場を作用させることを特徴とするスパッタリング方法。 (もっと読む)


【課題】光情報記録媒体の層数を低減しながら、所定の要求特性(低い記録パワーで記録が可能であること、高い変調度を有すること、低いジッター値を有すること、再生に十分な高い反射率を有すること)をすべて満足し、生産性を高めることのできる光情報記録媒体用記録膜を提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用記録膜は、レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録膜であって、Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と;酸素(O)と、を含み、Mnの少なくとも一部、およびX群元素の少なくとも一部が酸化されている。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたGa添加濃度1〜40原子%のCu−Ga膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのSeを除く金属成分として、Ga:1〜40at%、Na:0.05〜2at%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Naがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。このスパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、発電効率の向上に有効なNaを含有したCu−Ga膜を成膜することができる。 (もっと読む)


【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基体10に連続的に真空成膜を行う方法であって、ロール状に巻かれた長尺の基体を第1ロール室W1から第2ロール室W2へ向う第1の方向に第1ロール室から繰り出す段階、第1の方向に繰り出された基体を脱ガスする段階、脱ガスされた基体の面に第2成膜室42において第2の膜材料を成膜する段階、第2の膜材料が成膜された基体を第2ロール室で巻取る段階、第2ロール室で巻き取った基体を第2ロール室から第1ロール室へ向う第2の方向に第2ロール室から繰り出す段階、第2の方向に繰り出された基体の面に第1成膜室41において第1の膜材料を成膜する段階、第2の膜材料の上に第1の膜材料が積層された基体を第1ロール室で巻取る段階、を備える。 (もっと読む)


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